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公开(公告)号：CN101164127A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013453.1
申请日：2006-04-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/1209 , H01G4/206 , H01G4/33 , H05K2201/0175 , H05K2203/1147 , Y10T428/265 , Y10T428/266
Abstract: 本发明的目的在于提供电容器层形成材料，其具有由溶胶-凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中任意一种方法形成的介电层，能够减少电容器电路的漏电流。为了达成上述目的，采用在用于形成上部电极的第一导电层和用于形成下部电极的第二导电层之间具有介电层的电容器层形成材料，其特征是，该介电层是由溶胶-凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意方法形成的氧化物介电膜，并在构成该氧化物介电膜的粒子之间浸渍树脂成分。另外，采用电容器层形成材料的制造方法，其特征是，在下部电极的构成材料表面，通过溶胶-凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意一种方法形成氧化物介电膜，在该氧化物介电膜的表面浸渍树脂清漆，经树脂干燥、树脂固化形成介电层，然后在该介电层上设置上部电极构成层。
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公开(公告)号：CN103003198A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180035448.1
申请日：2011-10-25
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C01B31/18
CPC classification number: C01B32/40 , Y02P20/129
Abstract: 本发明的一氧化碳的制造方法的特征在于，将具有氧离子传导性、且具有可逆的氧缺陷的金属氧化物与含二氧化碳的气体在加热下接触，通过化学计量反应将二氧化碳还原，生成一氧化碳，其中，作为所述金属氧化物，使用包含稀土类元素（其中铈除外）的氧化铈或包含稀土类元素的氧化锆。在包含稀土类元素（其中铈除外）的氧化铈中，稀土类元素（其中铈除外）的摩尔数相对于铈及稀土类元素（其中铈除外）的摩尔数的合计量的比例优选为0.001～0.5。此外，在包含稀土类元素的氧化锆中，稀土类元素的摩尔数相对于锆及稀土类元素的摩尔数的合计量的比例也优选为0.001～0.5。
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公开(公告)号：CN113891762A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080040149.6
申请日：2020-06-29
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 一种β型沸石，将通过X射线衍射测定而观察到的所述β型沸石的主峰的衍射强度设为A，将以与上述相同的条件进行X射线衍射测定得到的、作为美国国家标准与技术研究院公布的标准物质674a的α‑氧化铝的(116)面的衍射强度设为B，将作为A相对于B的强度比的A/B的值设为P，将X射线衍射测定中所述β型沸石的主峰的晶面间距设为Q时，所述β型沸石在Q小于0.4011nm的范围满足P＞76.79Q‑29.514。优选所述β型沸石在Q为0.3940nm以上且0.4000nm以下的范围满足所述式(1)。
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公开(公告)号：CN101167415B
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200680014390.1
申请日：2006-04-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/624 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/658 , C04B2235/661 , C23C18/06 , C23C18/1216 , C23C18/1241 , C23C18/1254 , C23C18/1275 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , H01G4/1209 , H01G4/33 , H01G13/00 , H05K3/4652 , H05K2201/0175 , H05K2201/0355 , H05K2201/09509
Abstract: 本发明的目的是提供一种氧化物介电层的形成方法，其采用溶胶-凝胶法形成介电层，该介电层具有难以受到蚀刻液的损伤并且高的电容量等的优良的介电特性。为了达到该目的，本发明的氧化物介电层的形成方法，采用溶胶-凝胶法形成氧化物介电层，其特征在于，具有以下(a)～(c)工序：(a)溶液制备工序，用于制备用于制造规定的氧化物介电层的溶胶-凝胶溶液；(b)涂敷工序，把在金属基材的表面上涂敷上述溶胶-凝胶溶液、在含氧的环境中干燥、在含氧的环境中热分解的一系列工序作为一个单位工序，重复多次该一个单位工序，在一个单位工序与一个单位工序之间，任意设置在550℃～1000℃下的惰性气体置换环境等中进行的预焙烧处理，进行膜厚调整；(c)焙烧工序，最后在550℃～1000℃下的惰性气体置换环境等中进行焙烧处理，形成介电层。
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公开(公告)号：CN116745033A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202280009052.8
申请日：2022-01-24
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 三井金属矿业株式会社
IPC: B01J37/10
Abstract: 本发明是一种β型沸石的制造方法，其中，使不使用有机结构导向剂而合成的β型沸石母粉与pH12以上的碱性水溶液接触。优选将所述碱性水溶液的液温设定为40℃以上且100℃以下。还优选将所述母粉/所述碱性水溶液的比率设定为10g/L以上且1000g/L以下。还优选将接触时间设定为0.5小时以上且48小时以下。还优选SiO2/Al2O3的摩尔比为16以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103097289B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201180043324.8
申请日：2011-10-25
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C01B31/18
CPC classification number: C01F17/0043 , B01D53/62 , B01D53/96 , B01D2251/202 , B01D2251/602 , B01D2256/20 , B01D2257/504 , B01D2258/025 , B01D2258/0283 , C01B32/40 , C01F17/0018 , C01G25/02 , C01P2002/50 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , Y02A50/2341 , Y02C10/04 , Y02P20/129 , Y02P20/152
Abstract: 本发明的一氧化碳的制造方法的特征在于，将具有氧离子传导性、且具有可逆的氧缺陷的金属氧化物与含二氧化碳的气体在加热下接触，通过化学计量反应将二氧化碳还原，生成一氧化碳，其中，作为所述金属氧化物，使用包含锆的氧化铈。在包含锆的氧化铈中，锆的摩尔数相对于铈及锆的摩尔数的合计量的比例为0.001～0.5。
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公开(公告)号：CN101167415A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200680014390.1
申请日：2006-04-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/624 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/658 , C04B2235/661 , C23C18/06 , C23C18/1216 , C23C18/1241 , C23C18/1254 , C23C18/1275 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , H01G4/1209 , H01G4/33 , H01G13/00 , H05K3/4652 , H05K2201/0175 , H05K2201/0355 , H05K2201/09509
Abstract: 本发明的目的是提供一种氧化物介电层的形成方法，其采用溶胶－凝胶法形成介电层，该介电层具有难以受到蚀刻液的损伤并且高的电容量等的优良的介电特性。为了达到该目的，本发明的氧化物介电层的形成方法，采用溶胶－凝胶法形成氧化物介电层，其特征在于，具有以下(a)～(c)工序：(a)溶液制备工序，用于制备用于制造规定的氧化物介电层的溶胶－凝胶溶液；(b)涂敷工序，把在金属基材的表面上涂敷上述溶胶－凝胶溶液、在含氧的环境中干燥、在含氧的环境中热分解的一系列工序作为一个单位工序，重复多次该一个单位工序，在一个单位工序与一个单位工序之间，任意设置在550℃～1000℃下的惰性气体置换环境等中进行的预焙烧处理，进行膜厚调整；(c)焙烧工序，最后在550℃～1000℃下的惰性气体置换环境等中进行焙烧处理，形成介电层。
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公开(公告)号：CN101049055A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200580036842.1
申请日：2005-11-02
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H01G4/228 , H01G4/008 , H01G4/12 , H05K1/09 , H05K1/162 , H05K3/4641 , H05K2201/0355 , H05K2201/09309 , H05K2201/09509 , Y10T428/26 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可适用于经过氟树脂基板、液晶聚合物等的300℃～400℃的高温加工工序而制造的印刷电路板，并且高温加热后强度没有劣化的电容器层形成材料。为了达成该目的，采用一种电容器层形成材料，其是在形成上部电极时使用的第一导电层与形成下部电极时使用的第二导电层之间具有介电层的印刷电路板的电容器层形成材料，其特征在于，第二导电层为镍层或镍合金层。另外，优选作为该第二导电层的镍层或镍合金层的厚度为10μm～100μm。并且，该介电层采用适合于在构成第二导电层的镍层或镍合金层上用溶胶－凝胶法形成的情形的介电层。
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公开(公告)号：CN113950460A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202080040090.0
申请日：2020-06-29
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的Si/Al提高的沸石的制造方法包括如下工序：对不使用有机结构导向剂所合成的沸石进行离子交换而制成钠型、质子型或铵型；使离子交换后的沸石与铵盐溶液接触进行脱铝。铵盐优选为草酸铵、氟化铵、六氟硅酸铵、四氟硼酸铵、六氟磷酸铵、六氟钛酸铵或六氟锆酸铵中的任意者。优选将离子交换后的沸石暴露于水蒸气，然后使其与所述铵盐溶液接触。
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公开(公告)号：CN103097289A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043324.8
申请日：2011-10-25
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C01B31/18
CPC classification number: C01F17/0043 , B01D53/62 , B01D53/96 , B01D2251/202 , B01D2251/602 , B01D2256/20 , B01D2257/504 , B01D2258/025 , B01D2258/0283 , C01B32/40 , C01F17/0018 , C01G25/02 , C01P2002/50 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , Y02A50/2341 , Y02C10/04 , Y02P20/129 , Y02P20/152
Abstract: 本发明的一氧化碳的制造方法的特征在于，将具有氧离子传导性、且具有可逆的氧缺陷的金属氧化物与含二氧化碳的气体在加热下接触，通过化学计量反应将二氧化碳还原，生成一氧化碳，其中，作为所述金属氧化物，使用包含锆的氧化铈。在包含锆的氧化铈中，锆的摩尔数相对于铈及锆的摩尔数的合计量的比例为0.001～0.5。
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