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公开(公告)号：CN117833305A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311625190.1
申请日：2023-11-29
Applicant: 三峡大学
IPC: H02J3/32 , G06Q10/0631 , G06Q30/0201 , G06Q50/06 , H02J3/38 , H02J3/00
Abstract: 本发明公开了一种面向电力市场环境下新能源电源与储能最优配比测算方法，本方法首先建立基于新能源电源收益最大化的储能优化配置模型，然后计及储能配置对电网运行经济性的影响建立两阶段市场出清模型，制定储能参与现货市场的日前——实时两阶段优化运行策略和储能配置方案。最后，基于组合赋权法建立考虑新能源电源盈利能力和电网运行经济性的评价模型，实现均衡新能电源和电网利益的储能最优配置。本发明可兼顾新能源电源收益和电网运行成本，计算出目前新能源装机规模下储能参与现货市场时新能源电源与储能容量的最优配比，为新能源配储提供理论指导。
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公开(公告)号：CN115579070A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202111519697.X
申请日：2021-12-13
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明提供了一种从硅橡胶分子单链电荷陷阱特性的改变探讨对沿面放电影响的方法，先利用量子化学软件Gaussian 09建立硅橡胶(MVQ)分子单链近似模型，然后对建立的分子模型进行结构优化，得到模型的最低能量稳定结构，再在垂直于分子单链方向施加外电场，计算MVQ分子单链的基态与激发态数据，最后利用波函数分析软件Multiwfn计算并分析MVQ分子单链的结构特性、偶极矩、轨道能级、静电势、电荷分布以及激发态性质，得到陷阱分布位置以及电荷输运机制。本发明通过分析硅橡胶绝缘介质的电荷运动特性与陷阱的形成，能够有效区别电子、空穴陷阱，由此法可分析常见气‑固界面处的固体聚合物绝缘材料的陷阱分布，具有微观分析结果精确、方法简单、可重复性高的优点。
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公开(公告)号：CN117524350A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311242642.8
申请日：2023-09-25
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Mn‑MoS2材料的气敏传感器对油中溶解气体的分析方法，分为模型搭建、油中溶解性气体吸附、传感行为预测三个部分。在模型搭建部分，首先用分子模拟软件Material Studio软件的Dmol3模块建立晶胞模型以及用于优化和计算晶胞的模型，接着建立CO、CH4、C2H2三种气体的吸附模型、Mn‑MoS2单层晶胞结构进行优化，得到稳定的吸附模型后，再将CO、CH4、C2H2三种气体放在Mn‑MoS2表面，并对这一模型进行优化，得到能量最低的模型后，对每个气体的吸附参数进行分析，验证Mn‑MoS2对其吸附作用。本发明具有损耗小、计算效率高、容错率高等优势，从原子分子层面对Mn掺杂MoS2的吸附能力进行分析，将Mn‑MoS2应用于气敏传感器。
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公开(公告)号：CN109101779B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201810786928.5
申请日：2018-07-16
Applicant: 三峡大学
IPC: G16C10/00
Abstract: 一种用密度泛函理论研究DBDS与DBS对铜绕组腐蚀性能的方法，首先利用分子模拟软件建立Cu(110)表面、Cu(110)与DBDS复合模型以及Cu(110)与DBS复合模型，其次对复合模型进行结构优化，可以得到复合模型的功函变化，然后计算DBDS与DBS在Cu(110)表面上的吸附能，最后计算并分析DBDS分子与DBS分子的前线轨道分布、前线轨道能量差、电负性以及电荷分布。本发明提出一种用密度泛函理论研究DBDS与DBS对铜绕组腐蚀性能的方法。与现在常用的实验方法相比，具有无损耗、节约成本、简单易行、可重复性高等优点。
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公开(公告)号：CN108845214B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201810779985.0
申请日：2018-07-16
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种分析氧化锌避雷器中电阻阀片性能的方法，采用第一性原理，利用计算机构造ZnO电阻阀片两相晶界结构；采用CASTEP软件包对晶胞进行结构优化；对建立的晶界结构进行弛豫计算，对比弛豫前后晶界结构，分析原子位移；对弛豫后的晶界结构进行二次差分电荷密度分析和原子的电子布居分析；进行晶界结构电子势能分析和界面原子分波态密度分析。相对于实验测量方法，本发明对ZnO电阻阀片内部存在的微观结构进行了研究，分析晶界结构内建电场，确定界面原子的电子轨道的电荷量，分析层片内原子成键情况，对提高材料的非线性伏安特性、研制高性能氧化锌避雷器具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109180969A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810738678.8
申请日：2018-07-06
Applicant: 三峡大学
CPC classification number: C08J3/24 , C08J2323/06
Abstract: 外电场下盐交联聚乙烯分子结构的变化规律，首先利用分子模拟软件构建羧酸盐(-COOZn2+OOC-)结构盐桥的交联聚乙烯分子模型，聚乙烯单链使用13个烷烃结构。使用明尼苏达泛函优化初始分子结构，对优化之后的分子结构施加外电场并对其进行结构优化，得到不同外电场下分子结构的稳定结构。分析不同外电场作用下盐交联聚乙烯分子结构和能量变化，外电场对前线轨道的能级和成分的影响，原子之间的键级、断键和红光光谱的变化。本发明外电场下盐交联聚乙烯分子结构的变化规律，与现在常用的实验方法相比，具有无损耗、节约成本、简单易行等优点，揭示微观结构和外电场之间的关系，为今后实验研究与微观研究提供理论基础和数据依据。
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公开(公告)号：CN107045488A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710043528.0
申请日：2017-01-21
Applicant: 三峡大学
IPC: G06F17/11
CPC classification number: G06F17/11
Abstract: 一种基于Bezier曲面四边形参数方程的曲面边界元计算方法，包括以下步骤：以特高压绝缘子串为研究对象，建立几何模型；利用二阶剖分单元对求解模型进行剖分，并利用二阶剖分单元的节点坐标信息来构造双2次Bezier曲面参数方程，由Bezier曲面参数方程和面积比值法构造对应于Bezier曲面顶点节点的形状函数；将曲面参数方程的两个参数按固定步长增加，对所有网格和结点重新编号形成新的单元和节点；最后由曲面单元顶点节点上的函数值和面积比值法定义的形状函数插值出所有新编节点上的函数值。本发明有效解决了复杂场域的边界问题中求解自由度和计算精度间的矛盾，并详细反映出整个边界面上函数值的变化规律，对精确计算高压电力设备表面电场分布具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119128619A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411014081.0
申请日：2024-07-26
Applicant: 三峡大学
IPC: G06F18/241 , G06T17/20 , G06N3/0499
Abstract: 基于能量熵与ELM的光纤复合海缆振动信号分类方法，首先利用有限元仿真软件搭建各工况下的光纤复合海缆工作模型，提取出海缆内部光单元的振动加速度数据；并利用经验模态算法对振动加速度进行多层分解，得到数个IMF分量以及一个残余项；将前m个IMF分量的能量熵占比作为特征量构成特征向量T＝[p1,p2,…,pm]，整合所有工况下的特征向量即为整体样本；最后将样本随机化分成训练集与测试集，将训练集输入到ELM分类器中对其训练，将测试集输入到已经训练好的极限学习机分类器中完成振动信号的识别。本发明结合了信号的能量熵特性以及极限学习机计算准确率高、计算时间段的优点，实现了快速判断光纤复合海缆的实时工作状态，为实际工程对光纤复合海缆的在线监控提供了新的方法。
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公开(公告)号：CN118711700A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410802585.2
申请日：2024-06-20
Applicant: 三峡大学
IPC: G16C20/30 , G16C60/00 , G16C10/00 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06F111/10 , G06F111/08 , G06F113/08 , G06F113/16 , G06F119/04 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 基于分子链位移的电缆缺陷击穿场强预测计算方法，基于双极性载流子模型，定义电介质内载流子迁移运输过程，将分子链能量积累过程与电介质内载流子迁移运输过程结合，得到CTMD模型；基于电缆运行过程中缺陷造成的击穿以及电树枝的形成，建立以针电极为正极、地电极为负极的针板电极模型；选取迁移率与扩散系数描述载流子移动运动状态，对分子链的运动进行量化；基于电缆运行实际工况，对绝缘层设置电场梯度和温度梯度；模拟计算电缆在不同温度、不同电压与介电常数下击穿所需时间。本发明考虑极不均匀场强下的击穿特性，贴合实际运行过程，提高仿真准确性。
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公开(公告)号：CN110321608A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910544827.1
申请日：2019-06-21
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种量化分析外电场下绝缘气体分子化学稳定性的方法，建立绝缘气体分子模型；选择基组和泛函，优化分子结构；对绝缘气体分子分别施加不同强度电场，获得不同电场强度的分子的稳定结构；计算不同电场强度的绝缘气体阴离子、阳离子的单点能量；计算绝缘气体分子的福井函数值，分析绝缘气体分子不同局部的反应活性；计算绝缘气体每个原子的简缩福井函数值，定量比较原子层面的反应活性；综合分析并预测绝缘气体反应位点及其稳定性。本发明的方法损耗低、成本稳定、简单易行、可重复性高且分析结果微观精确；本发明方法中的福井函数考虑反应物自身电子结构特征来预测反应位点，运算成本低，且方便有效。
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