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公开(公告)号：CN113497062A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110194102.1
申请日：2021-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括位于基底上的金属线，并且包括：最上面的金属线；半导体导线，位于最上面的金属线上；垂直结构，穿透半导体导线和金属线并且包括沟道膜，沟道膜包括上沟道膜、第一下沟道膜以及在半导体导线的底部与最上面的金属线的底部之间将上沟道膜和第一下沟道膜连接的上连接沟道膜；以及第一切割线，通过金属线和半导体导线，并且包括穿过半导体导线的第一上切割线和通过多条金属线的第一下切割线，第一上切割线的宽度比第一下切割线的侧壁的延伸线的宽度大。
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