公开(公告)号：CN115312527A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210308790.4

申请日：2022-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢英智 ,  朴正桓 ,  郑光泳 ,  柳孝俊 ,  韩智勋

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L25/18

Abstract: 提供了三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统。该器件包括：衬底；多个堆叠结构，各自包括交替地且重复地堆叠在衬底上的多个层间介电层和多个栅电极；多个竖直沟道结构，贯穿多个堆叠结构；以及分离结构，沿第一方向在多个堆叠结构之间延伸。分离结构包括：多个第一部分，各自具有沿第三方向延伸的柱形形状；以及多个第二部分，在多个层间介电层之间从多个第一部分的侧壁延伸，并在第一方向上将多个第一部分中的第一部分彼此连接。分离结构在与第一方向相交的第二方向上与竖直沟道结构间隔开。第三方向大体垂直于由第一方向和第二方向形成的平面。

公开(公告)号：CN113497057A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110281374.5

申请日：2021-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金森宏治 ,  姜书求 ,  柳孝俊 ,  赵相渊 ,  韩智勋

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供一种非易失性存储装置。所述非易失性存储装置包括：导电板；阻挡导电膜，所述阻挡导电膜沿着所述导电板的表面延伸；模制结构，所述模制结构包括顺序地堆叠在所述阻挡导电膜上的多个栅电极；沟道孔，所述沟道孔穿透所述模制结构以暴露所述阻挡导电膜；杂质图案，所述杂质图案与所述阻挡导电膜接触，并且形成在所述沟道孔中；和半导体图案，所述半导体图案形成在所述沟道孔中，自所述杂质图案起沿着所述沟道孔的侧表面延伸，并且与所述多个栅电极相交。

公开(公告)号：CN113410249A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110181187.X

申请日：2021-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金森宏治 ,  韩智勋 ,  姜书求 ,  柳孝俊

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种半导体存储器装置包括：下堆叠结构，包括沿第一方向堆叠在基底上的下金属线；上堆叠结构，包括顺序地堆叠在下堆叠结构上的第一上金属线和第二上金属线；竖直结构，穿透上堆叠结构和下堆叠结构并且包括沟道膜；连接垫，设置在竖直结构上，与沟道膜接触并掺杂有N型杂质；第一切割线，切割下金属线、第一上金属线和第二上金属线；第二切割线，在不同于第一方向的第二方向上与第一切割线间隔开，并且切割下金属线、第一上金属线和第二上金属线；以及子切割线，在第一切割线与第二切割线之间切割第一上金属线和第二上金属线。沟道膜包括未掺杂沟道区和掺杂沟道区，并且掺杂沟道区接触连接垫并且在第二方向上与第二上金属线的一部分叠置。

公开(公告)号：CN112802856A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN202011266603.8

申请日：2020-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳孝俊 ,  孙荣晥 ,  姜书求 ,  文齐琡 ,  全政勋 ,  金森宏治 ,  韩智勋

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11573

Abstract: 一种半导体器件包括：堆叠在衬底上的栅极层、延伸穿过栅极层的沟道层、设置在沟道层上的串选择栅极层、以及延伸穿过串选择栅极层以接触沟道层的串选择沟道层。串选择沟道层包括在串选择栅极层下方且包含第一突出区域的第一部分、延伸穿过串选择栅极层的第二部分、以及在串选择栅极层上方且包含第二突出区域的第三部分。

公开(公告)号：CN114068575A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110771959.5

申请日：2021-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳孝俊 ,  姜书求 ,  金希锡 ,  安锺善 ,  金森宏治 ,  韩智勳

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524

Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：下堆叠结构，在基底上具有下金属线；上堆叠结构，在下堆叠结构上具有上金属线；垂直结构，穿透上堆叠结构和下堆叠结构并且包括沟道层；第一切割线，穿过上堆叠结构和下堆叠结构；上支撑件，位于第一切割线上的凹进中；第二切割线，穿过上堆叠结构和下堆叠结构并且与第一切割线间隔开；子切割线，穿过上堆叠结构，同时在竖直方向上与垂直结构至少部分地叠置，子切割线位于第一切割线与第二切割线之间，上支撑件的顶表面与子切割线的顶表面共面；以及第一层间绝缘层，围绕上支撑件和子切割线中的每个的侧壁。

公开(公告)号：CN113497062A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110194102.1

申请日：2021-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳孝俊 ,  孙荣晥 ,  姜书求 ,  全政勳 ,  金森宏治 ,  韩智勳

IPC: H01L27/11582

Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括位于基底上的金属线，并且包括：最上面的金属线；半导体导线，位于最上面的金属线上；垂直结构，穿透半导体导线和金属线并且包括沟道膜，沟道膜包括上沟道膜、第一下沟道膜以及在半导体导线的底部与最上面的金属线的底部之间将上沟道膜和第一下沟道膜连接的上连接沟道膜；以及第一切割线，通过金属线和半导体导线，并且包括穿过半导体导线的第一上切割线和通过多条金属线的第一下切割线，第一上切割线的宽度比第一下切割线的侧壁的延伸线的宽度大。

公开(公告)号：CN113488480A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202011478012.7

申请日：2020-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳孝俊 ,  金宽容 ,  姜书求 ,  沈善一 ,  赵源锡 ,  韩智勋

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573

Abstract: 一种半导体装置包括：存储器堆叠件，其设置在衬底上，并且包括下栅电极；上栅极堆叠件，其包括串选择线；竖直地延伸的存储器栅极接触件，其设置在下栅电极上；以及竖直地延伸的选择线钉柱，其设置在串选择线上。串选择线包括与下栅电极的材料不同的材料，并且选择线钉柱包括与存储器栅极接触件的材料不同的材料。

公开(公告)号：CN112216677A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010098442.X

申请日：2020-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳孝俊 ,  姜淇允 ,  姜书求 ,  姜信焕 ,  文齐琡 ,  朴昞坤 ,  沈在龙 ,  林珍洙 ,  千志成 ,  韩智勋

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有单元区、外围区和边界区；堆叠结构，位于单元区上并包括交替地堆叠的绝缘层和互连层；模制层，位于外围区和边界区上；选择线隔离图案，延伸到堆叠结构中；单元沟道结构，穿过堆叠结构；第一虚设图案，延伸到外围区上的模制层中，其中，第一虚设图案的上表面、选择线隔离图案的上表面和单元沟道结构的上表面是共面的，并且第一虚设图案中的至少一个从第一虚设图案的上表面、选择线隔离图案的上表面和单元沟道结构的上表面朝向基底平行于选择线隔离图案或单元沟道结构延伸。