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公开(公告)号：CN119697987A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202410770766.1
申请日：2024-06-14
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括半导体图案、位于所述半导体图案上的电介质层和位于所述电介质层上的导电图案。所述半导体图案和所述电介质层中的每一者包括杂质。所述电介质层包括杂质的浓度分布，所述杂质的浓度分布包括第一变化区段和第二变化区段，所述第一变化区段包括贯穿所述电介质层朝向所述半导体图案减小的杂质的第一浓度，所述第二变化区段包括贯穿所述电介质层朝向所述半导体图案减小的杂质的第二浓度。
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公开(公告)号：CN118540936A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202311334162.4
申请日：2023-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法，并且根据实施例的半导体装置包括：衬底，其包括由元件隔离层限定的有源区；与有源区交叉的字线；位线，其在与字线不同的方向上与有源区交叉；直接接触件，其连接在有源区和位线之间；连接到有源区的埋置接触件；以及位线间隔件，其设置在位线和埋置接触件之间并且包括碳。位线间隔件包括与位线相邻并具有第一碳含量的第一区和与埋置接触件相邻并具有高于第一碳含量的第二碳含量的第二区。
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公开(公告)号：CN118382291A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410031749.6
申请日：2024-01-09
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体存储器件。半导体存储器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的位线，设置在位线上的第一沟道图案，设置在位线上并在第一方向上与第一沟道图案间隔开的第二沟道图案，设置在第一沟道图案与第二沟道图案之间并沿第二方向延伸的第一字线，设置在第一沟道图案与第二沟道图案之间、沿第二方向延伸并在第一方向上与第一字线间隔开的第二字线，及分别设置在第一沟道图案和第二沟道图案上并且分别连接到第一沟道图案和第二沟道图案的第一电容器和第二电容器，第一沟道图案和第二沟道图案均包括包含铟(In)、镓(Ga)和锡(Sn)的第一金属氧化物图案，并且在第一金属氧化物图案的空间组成分布中，锡峰的位置不同于镓峰的位置。
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公开(公告)号：CN116960156A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310078180.4
申请日：2023-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：位线；沟道图案，包括位线上的水平沟道部分和从水平沟道部分竖直突出的竖直沟道部分；字线，在水平沟道部分上，并且在竖直沟道部分的侧壁上；以及栅极绝缘图案，在字线与沟道图案之间。沟道图案包括氧化物半导体，并且包括顺序堆叠的第一沟道层、第二沟道层和第三沟道层。第一沟道层至第三沟道层包括第一金属，并且第二沟道层还包括与第一金属不同的第二金属。第一沟道层的至少一部分接触位线。
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公开(公告)号：CN107068537B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201610978132.0
申请日：2016-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L29/423 , C23C16/44
Abstract: 本文中提供材料层、包括材料层的半导体器件、以及形成材料层和半导体器件的方法。形成SiOCN材料层的方法可包括：将硅源供应至基底上，将碳源供应至所述基底上，将氧源供应至所述基底上，将氮源供应至所述基底上，和将氢供应至所述基底上。当根据本发明构思的方法形成材料层时，可形成具有高的对湿蚀刻的耐受性和/或良好的电特性的材料层，并且所述材料层可甚至当在低温下实施所述方法时形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107068536B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201610948185.8
申请日：2016-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 形成SiOCN材料层的方法、材料层堆叠体、半导体器件和其制造方法、及沉积装置，所述形成SiOCN材料层的方法包括：提供衬底；将硅前驱体提供到衬底上；将氧反应物提供到衬底上；将第一碳前驱体提供到衬底上；将第二碳前驱体提供到衬底上；以及将氮反应物提供到衬底上，其中第一碳前驱体和第二碳前驱体是不同的材料。
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公开(公告)号：CN107039436A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710017588.5
申请日：2017-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/02636 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823864 , H01L23/26 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66636 , H01L29/7848 , H01L29/7851
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法以及半导体结构。所述半导体器件包括：衬底上的有源鳍；有源鳍上的栅极结构；栅极结构的侧壁上的栅极间隔件结构；以及在有源鳍邻近栅极间隔件结构的至少一部分上的源极/漏极层。所述栅极间隔件结构包括顺序地堆叠的湿法刻蚀停止图案、含氧硅图案和除气阻止图案。
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公开(公告)号：CN103840002A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310591041.8
申请日：2013-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L23/522 , H01L29/423
CPC classification number: H01L28/60 , H01L27/10852 , H01L28/87 , H01L28/91
Abstract: 一种半导体器件，包括：在基板上的多个下电极，该下电极具有大于水平宽度的垂直长度；支撑物，设置在下电极之间；上电极，设置在下电极上；以及电容器介电层，设置在下电极与上电极之间。支撑物包括第一元素、第二元素和氧，第二元素的氧化物具有比第一元素的氧化物高的带隙能量，第二元素在支撑物中的含量为从约10at%至90at%。
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公开(公告)号：CN109216197B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201810593036.3
申请日：2018-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：形成包括交替地堆叠在衬底上的至少一个牺牲层和至少一个半导体层的堆叠结构；在堆叠结构上形成伪栅结构；使用伪栅结构作为掩模来在堆叠结构中蚀刻凹部；蚀刻牺牲层被凹部暴露的部分以形成蚀刻的牺牲层；在蚀刻的牺牲层上形成第一间隔膜；在第一间隔膜上形成第二间隔膜，第二间隔膜包括与第一间隔膜的材料不同的材料；去除第二间隔膜的第一部分，使得第二间隔膜的第二部分保留；以及在第二间隔膜的第二部分上形成第三间隔膜。
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公开(公告)号：CN117673153A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311093686.9
申请日：2023-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种场效应晶体管和包括该场效应晶体管的集成电路器件，所述场效应晶体管包括：栅电极层；氧化物半导体层，包括镓(Ga)以及从铟(In)和锌(Zn)中选择的至少一种金属元素；以及介电层，在栅电极层与氧化物半导体层之间，其中，氧化物半导体层包括子半导体层和主半导体层，子半导体层与介电层接触，主半导体层与介电层间隔开且使子半导体层在主半导体层与介电层之间，子半导体层具有第一Ga含量，并且子半导体层的第一Ga含量大于包括在子半导体层中的其他金属元素的含量，并且随着距子半导体层的与介电层接触的界面的距离增大而减小。
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