公开(公告)号：CN107068536A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610948185.8

申请日：2016-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  李泰宗 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  崔成贤

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28088 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/42364

Abstract: 形成SiOCN材料层的方法、材料层堆叠体、半导体器件和其制造方法、及沉积装置，所述形成SiOCN材料层的方法包括：提供衬底；将硅前驱体提供到衬底上；将氧反应物提供到衬底上；将第一碳前驱体提供到衬底上；将第二碳前驱体提供到衬底上；以及将氮反应物提供到衬底上，其中第一碳前驱体和第二碳前驱体是不同的材料。

公开(公告)号：CN107068537B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201610978132.0

申请日：2016-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  朴起宽 ,  金真范 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  李泰宗

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/423 ,  C23C16/44

Abstract: 本文中提供材料层、包括材料层的半导体器件、以及形成材料层和半导体器件的方法。形成SiOCN材料层的方法可包括：将硅源供应至基底上，将碳源供应至所述基底上，将氧源供应至所述基底上，将氮源供应至所述基底上，和将氢供应至所述基底上。当根据本发明构思的方法形成材料层时，可形成具有高的对湿蚀刻的耐受性和/或良好的电特性的材料层，并且所述材料层可甚至当在低温下实施所述方法时形成。

公开(公告)号：CN107068536B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN201610948185.8

申请日：2016-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  李泰宗 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  崔成贤

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 形成SiOCN材料层的方法、材料层堆叠体、半导体器件和其制造方法、及沉积装置，所述形成SiOCN材料层的方法包括：提供衬底；将硅前驱体提供到衬底上；将氧反应物提供到衬底上；将第一碳前驱体提供到衬底上；将第二碳前驱体提供到衬底上；以及将氮反应物提供到衬底上，其中第一碳前驱体和第二碳前驱体是不同的材料。

公开(公告)号：CN106057867B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201610230485.2

申请日：2016-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正韩 ,  李在焕 ,  金相秀 ,  崔桓昱 ,  李泰宗 ,  河承模

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括在基板上的由隔离层限定的多个有源鳍、在有源鳍和隔离层上的栅结构、以及覆盖栅结构的侧壁的栅间隔物结构。栅结构的侧壁包括分别具有第一坡度、第二坡度和第三坡度的第一区域、第二区域和第三区域。第二坡度从第二区域的底部朝向顶部增大。第二坡度在第二区域的底部具有小于第一坡度的值。第三坡度大于第二坡度。

公开(公告)号：CN109994362B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201811515532.3

申请日：2018-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白承宰 ,  南宫铉 ,  李泰宗 ,  金善政 ,  金周妍 ,  吹上纪明 ,  岩崎征英 ,  反田雄太

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

Abstract: 本公开提供了一种半导体处理室。半导体处理室包括：基座，多个晶片设置在基座上；喷头结构，与基座相对并设置为与基座间隔开；多个板，与基座相对并设置为与基座间隔开；以及阻挡结构，设置在多个板之中的彼此相邻设置的板之间，其中，喷头结构与基座之间的距离小于多个板与基座之间的距离，并且阻挡结构与基座之间的距离小于多个板与基座之间的距离。

公开(公告)号：CN106847812B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201610884035.5

申请日：2016-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  朴起宽 ,  李泰宗 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  崔成贤

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，从基板突出并具有在第一水平面处的上表面；纳米片，平行于鳍型有源区域的上表面延伸并包括沟道区域，纳米片位于与鳍型有源区域的上表面间隔开的第二水平面处；栅极，设置在鳍型有源区域上并围绕纳米片的至少一部分，栅极在交叉鳍型有源区域的方向上延伸；栅极介电层，设置在纳米片和栅极之间；源极和漏极区域，形成在鳍型有源区域上并连接到纳米片的一端；第一绝缘间隔物，在纳米片上，第一绝缘间隔物覆盖栅极的侧壁；以及第二绝缘间隔物，设置在栅极与源极和漏极区域之间且在鳍型有源区域的上表面和纳米片之间的空间中，第二绝缘间隔物具有多层结构。

公开(公告)号：CN107068680B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201710063574.7

申请日：2017-02-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  李泰宗 ,  金泫升 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  朴起宽 ,  朴美善

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及集成电路器件。一种集成电路器件包括：在衬底的有源区上的栅线；在栅线两侧于有源区中的一对源/漏区域；在所述对源/漏区域当中的至少一个源/漏区域上的接触插塞；以及在栅线和接触插塞之间的多层结构绝缘间隔物。多层结构绝缘间隔物可以包括：氧化物层；第一含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于栅线的第一表面；以及第二含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于接触插塞的第二表面，第二表面与氧化物层的第一表面相反。

公开(公告)号：CN106847812A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201610884035.5

申请日：2016-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  朴起宽 ,  李泰宗 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  崔成贤

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/4991 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78696 ,  H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，从基板突出并具有在第一水平面处的上表面；纳米片，平行于鳍型有源区域的上表面延伸并包括沟道区域，纳米片位于与鳍型有源区域的上表面间隔开的第二水平面处；栅极，设置在鳍型有源区域上并围绕纳米片的至少一部分，栅极在交叉鳍型有源区域的方向上延伸；栅极介电层，设置在纳米片和栅极之间；源极和漏极区域，形成在鳍型有源区域上并连接到纳米片的一端；第一绝缘间隔物，在纳米片上，第一绝缘间隔物覆盖栅极的侧壁；以及第二绝缘间隔物，设置在栅极与源极和漏极区域之间且在鳍型有源区域的上表面和纳米片之间的空间中，第二绝缘间隔物具有多层结构。

公开(公告)号：CN109994362A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201811515532.3

申请日：2018-12-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 白承宰 ,  南宫铉 ,  李泰宗 ,  金善政 ,  金周妍 ,  吹上纪明 ,  岩崎征英 ,  反田雄太

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

Abstract: 本公开提供了一种半导体处理室。半导体处理室包括：基座，多个晶片设置在基座上；喷头结构，与基座相对并设置为与基座间隔开；多个板，与基座相对并设置为与基座间隔开；以及阻挡结构，设置在多个板之中的彼此相邻设置的板之间，其中，喷头结构与基座之间的距离小于多个板与基座之间的距离，并且阻挡结构与基座之间的距离小于多个板与基座之间的距离。

公开(公告)号：CN107342324A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710286328.8

申请日：2017-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴美善 ,  朴起宽 ,  李泰宗 ,  卓容奭 ,  朴起演

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件包括：在衬底上的有源鳍、在有源鳍上的栅结构、直接在栅结构的侧壁上的栅间隔物结构、以及在有源鳍的与栅间隔物结构相邻的部分上的源极/漏极层。栅间隔物结构包括顺序堆叠的硅碳氮氧化物(SiOCN)图案和二氧化硅(SiO2)图案。