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公开(公告)号：CN106549042B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201610674649.0
申请日：2016-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了具有第一栅极电极和第二栅极电极的半导体器件。该半导体器件包括：基板；有源区域，在基板上在第一方向上延伸；第一栅极电极，跨过有源区域并在第一方向上延伸；以及第二栅极电极，在第一栅极电极上在第二方向上延伸，其中第一栅极电极在第一方向上具有第一宽度，并且其中第二栅极电极在第一方向上具有第二宽度，第二宽度小于第一宽度。
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公开(公告)号：CN104282756B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201410146086.9
申请日：2014-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底上的栅极；沿着栅极的侧壁和底表面的栅极绝缘层；以及栅极的两个侧壁上的L形隔离物结构。一种结构将栅极与源极/漏极区之间的距离延伸至栅极的任一侧。
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公开(公告)号：CN106549042A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610674649.0
申请日：2016-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了具有第一栅极电极和第二栅极电极的半导体器件。该半导体器件包括：基板；有源区域，在基板上在第一方向上延伸；第一栅极电极，跨过有源区域并在第一方向上延伸；以及第二栅极电极，在第一栅极电极上在第二方向上延伸，其中第一栅极电极在第一方向上具有第一宽度，并且其中第二栅极电极在第一方向上具有第二宽度，第二宽度小于第一宽度。
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公开(公告)号：CN1716606A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510078351.5
申请日：2005-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/94 , H01L29/93 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0808 , H01L27/0811 , H01L29/93 , H01L29/94
Abstract: 本发明公开了一种具有MOS变容二极管的半导体器件及其制造方法。MOS变容二极管包括金属栅极电极、置于金属栅极电极和半导体衬底之间的有源半导体板、和置于金属栅极电极和有源半导体板之间的电容器介电层。另外，下部绝缘层将MOS变容二极管与半导体衬底绝缘。根据本发明，金属栅极电极用于减少多晶硅耗尽，从而增大变容二极管的调谐范围，并制造可靠的金属电阻器而无需额外的光掩模。
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公开(公告)号：CN109994386B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201811561918.8
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成从衬底突出并在一个方向上延伸的有源图案；在有源图案上形成牺牲栅极结构，该牺牲栅极结构在与有源图案交叉的方向上延伸；在牺牲栅极结构的侧表面上形成第一间隔物，该第一间隔物包括在比有源图案的顶表面低的水平面处的第一部分和在第一部分上的第二部分；以及减小第一间隔物的第二部分的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1175163A
公开(公告)日：1998-03-04
申请号：CN97116392.8
申请日：1997-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/64
CPC classification number: G06F1/1601 , G06F2200/1611 , H01R13/44 , H01R13/60
Abstract: 具有能够插入内部和释放的输入/输出接线盒的显示装置包含话筒插口和耳机插口这样的声音输入和输出接线端,通过利用包括固定在机壳中并具有滑架腔的外壳,沿滑架腔直线运动的声音输入/输出接线盒,施加使声音输入/输出接线盒移出机壳的弹力的扭力弹簧,固定于外壳的按压卡爪,和在声音输入/输出接线盒中形成的并能够钩住按压卡爪或从中释放的卡钩的单元,可以使声音输入和输出接线端通常嵌在机壳中,但如果需要可以从机壳中释放出来。
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公开(公告)号：CN110071174B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201811207725.2
申请日：2018-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明构思涉及一种半导体器件及制造其的方法，该半导体器件包括：成对的配线图案，其被构造为在第一方向上延伸并形成在衬底上以在第二方向上彼此间隔开，该成对的配线图案在第二方向上最靠近彼此地设置；栅电极，其被构造为在衬底上沿第二方向延伸，栅电极被构造为围绕配线图案；以及第一隔离层，其被构造为沿第一方向在衬底与栅电极之间延伸，并且被形成为在第二方向上彼此间隔开，第一隔离层在垂直于第一方向和第二个方向的第三方向上重叠该成对的配线图案。
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公开(公告)号：CN109585527A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811060645.9
申请日：2018-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路器件包括：基底掩埋绝缘膜，其覆盖衬底上的鳍型有源区的下侧壁；隔离图案，其具有比基底掩埋绝缘膜的顶表面高的顶表面；以及栅极线，其覆盖鳍型有源区的沟道部分。栅极线具有上栅极和下栅极，上栅极覆盖沟道部分的上部，下栅极从上栅极朝向衬底突出并填充沟道部分的下侧壁与隔离图案的上侧壁之间的空间。
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公开(公告)号：CN1571164A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410055021.X
申请日：2004-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78 , H01L23/4824 , H01L27/0203 , H01L27/088 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/1033 , H01L29/41758 , H01L29/4238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种具有网型栅极电极的MOS晶体管，其包括在衬底表面上设置的网型栅极电极。该网型栅极电极包括多个彼此平行延伸的第一延长布线，以及多个彼此平行延伸的第二延长布线。第一延长布线与第二延长布线交叉以限定衬底表面上的栅极交叉区阵列，并进一步限定衬底的源极/漏极区阵列。为减少栅极电容，可在网型栅极电极下的衬底中设置至少一个氧化区。例如，氧化区阵列可分别设置在栅极交叉区阵列下。
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公开(公告)号：CN109994386A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811561918.8
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成从衬底突出并在一个方向上延伸的有源图案；在有源图案上形成牺牲栅极结构，该牺牲栅极结构在与有源图案交叉的方向上延伸；在牺牲栅极结构的侧表面上形成第一间隔物，该第一间隔物包括在比有源图案的顶表面低的水平面处的第一部分和在第一部分上的第二部分；以及减小第一间隔物的第二部分的厚度。
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