公开(公告)号：CN118213344A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202311713402.1

申请日：2023-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰善 ,  洪元赫 ,  李钟振 ,  咸富铉 ,  徐康一

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

Abstract: 为了实现用于背面配电网络的更高接触质量，提供了到半导体器件的背面接触、具有该背面接触的半导体单元及其制造方法，该背面接触具有正斜率和电介质侧壁衬垫。

公开(公告)号：CN116895634A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310369604.2

申请日：2023-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 咸富铉 ,  洪炳鹤 ,  郑明勋 ,  洪元赫 ,  李昇映 ,  徐康一

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/48

Abstract: 提供一种半导体芯片架构及其制造方法，该半导体芯片架构包括：晶片；在晶片的第一侧上的工艺线前端(FEOL)层，该FEOL层包括在晶片的第一侧上的半导体器件、在晶片中的浅沟槽隔离(STI)结构以及在半导体器件和晶片上的层间电介质(ILD)结构；提供在FEOL层上的工艺线中段(MOL)层，该MOL层包括接触和连接到该接触的通路；绝缘层，在晶片的第一侧上并在水平方向上与通路相邻；以及电源轨，从晶片的与第一侧相对的第二侧穿透晶片，其中通路在垂直方向上延伸穿过ILD结构、STI结构和晶片以接触电源轨。

公开(公告)号：CN116666373A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310154810.1

申请日：2023-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪炳鹤 ,  孙吉焕 ,  黄寅灿 ,  任廷爀 ,  徐康一 ,  朴世韩 ,  李昇映 ,  咸富铉 ,  李长根 ,  郑明勋 ,  尹承灿

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/528 ,  H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括晶体管、无源器件、在晶体管和无源器件之间延伸的基板、以及电源轨。无源器件可以与基板间隔开。无源器件和电源轨中的每个可以具有面对基板的第一表面，并且无源器件的第一表面比电源轨的第一表面更靠近基板。