公开(公告)号：CN102867894A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210082249.2

申请日：2012-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈炫旭 ,  李东柱 ,  申东益 ,  金荣善 ,  浅井诚 ,  孙俞利

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L29/452 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 提供了一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括：发光结构，具有p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层和形成在它们之间的活性层；p侧电极和n侧电极，分别电连接至p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层；以及接触层，设置在p型氮化物半导体层和p侧电极之间，并包括具有第一杂质浓度以与p侧电极形成欧姆接触的第一p型氮化物层和具有第二杂质浓度的第二p型氮化物层，第二杂质浓度低于第一杂质浓度。