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公开(公告)号：CN114128084A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080050823.9
申请日：2020-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于频率干扰消除的电子装置和方法。所述电子装置包括线圈、无线电力接收电路、充电电路、显示器和处理器。所述处理器可以被配置为：使用从无线充电器无线接收的电力执行无线充电；基于在无线充电期间开启的显示器，经由所述充电电路将所述电子装置的充电电流从初始电流水平改变为第一电流水平；经由所述无线电力接收电路将所述电子装置的充电电压从初始电压水平改变为第一电压水平；经由所述线圈发送用于改变所述无线充电器的充电电压的数据包；在发送所述数据包时，经由所述无线电力接收电路将所述电子装置的充电电压改变为第二电压水平；以及将所述充电电流改变为所述初始电流水平。
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公开(公告)号：CN102867894A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210082249.2
申请日：2012-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/025 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/40
Abstract: 提供了一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括：发光结构，具有p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层和形成在它们之间的活性层；p侧电极和n侧电极，分别电连接至p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层；以及接触层，设置在p型氮化物半导体层和p侧电极之间，并包括具有第一杂质浓度以与p侧电极形成欧姆接触的第一p型氮化物层和具有第二杂质浓度的第二p型氮化物层，第二杂质浓度低于第一杂质浓度。
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公开(公告)号：CN103996753A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410051132.7
申请日：2014-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , C23C16/34
CPC classification number: H01L33/007 , C23C16/4583 , C23C16/54 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/67326 , H01L21/68735 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体发光器件的方法以及化学气相沉积设备，该方法包括步骤：在衬底上顺序地生长第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，以形成发光层。形成发光层的步骤包括第一生长工序、第二生长工序和转移工序。第一生长工序使用具有第一曲率安装表面的第一基座。第二生长工序使用具有第二曲率安装表面的第二基座，所述第二曲率不同于所述第一曲率。转移工序在所述第一生长工序与所述第二生长工序之间将所述衬底从所述第一基座转移至所述第二基座。
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公开(公告)号：CN114128084B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202080050823.9
申请日：2020-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于频率干扰消除的电子装置和方法。所述电子装置包括线圈、无线电力接收电路、充电电路、显示器和处理器。所述处理器可以被配置为：使用从无线充电器无线接收的电力执行无线充电；基于在无线充电期间开启的显示器，经由所述充电电路将所述电子装置的充电电流从初始电流水平改变为第一电流水平；经由所述无线电力接收电路将所述电子装置的充电电压从初始电压水平改变为第一电压水平；经由所述线圈发送用于改变所述无线充电器的充电电压的数据包；在发送所述数据包时，经由所述无线电力接收电路将所述电子装置的充电电压改变为第二电压水平；以及将所述充电电流改变为所述初始电流水平。
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