公开(公告)号：CN111381247B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201910540781.6

申请日：2019-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴晶铉 ,  金善日 ,  李斗铉 ,  郑秉吉

IPC: G01S17/931

Abstract: 提供了一种波束扫描设备和包括波束扫描设备的系统。波束扫描设备包括：空间光调制器，被配置为针对多个像素中的对应像素调制光的相位；以及相位掩模，包括被布置在从空间光调制器输出的光的输出方向上的支撑板和针对多个像素中的每个像素不同地布置在支撑板上以控制光的相位的多个纳米结构。

公开(公告)号：CN106918927B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201611165925.7

申请日：2016-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  金善日 ,  申昶均 ,  金桢佑 ,  李昌范

IPC: G02F1/01

Abstract: 本公开提供包括介质天线的光调制器件以及光学装置。一种光调制器件包括介质天线和折射率可变层，该折射率可变层面对介质天线并包括具有根据信号而变化的折射率的材料。由于介质天线的共振特性根据折射率可变层的折射率变化来控制，所以光可以被调制。

公开(公告)号：CN112542764A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010283088.8

申请日：2020-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  朴晶铉 ,  李斗铉 ,  郑秉吉

IPC: H01S5/0232 ,  H01S5/02345 ,  H01S5/02255 ,  H01S5/026 ,  G02F1/29

Abstract: 提供了一种光学调制器，包括：多个单元体；有源层，包括彼此分离的多个折射率变化区域，所述多个折射率变化区域中的每个折射率变化区域具有基于向其施加的电信号而变化的折射率；多个天线图案，设置在所述有源层上方；以及镜层，与所述多个天线图案相对地设置在所述有源层下方。

公开(公告)号：CN104425529A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410396055.9

申请日：2014-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李升协 ,  金善日 ,  金暎 ,  金昌桢

IPC: H01L27/146 ,  G01T1/24

CPC classification number: G01T1/24 ,  G01N23/04 ,  G01T1/2023 ,  H01L27/14676 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/03845 ,  H01L31/085 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/202

Abstract: 辐射探测器可以包括：第一光电导体层，包括多个光敏颗粒；和/或第二光电导体层，在第一光电导体层上，并且包括通过晶体生长光敏材料获得的多个晶体。第一光电导体层的多个光敏颗粒中的至少一些可以填充第二光电导体层的多个晶体之间的间隙。一种制造辐射探测器的方法可以包括：通过向第一基板施加软膏而形成第一光电导体层，所述软膏包括与多个光敏颗粒混合的溶剂；通过在第二基板上晶体生长光敏材料而形成第二光电导体层；在第一光电导体层上按压晶体生长的第二光电导体层，所述第一光电导体层被施加到第一基板；和/或经由干燥工艺去除第一光电导体层中的溶剂。

公开(公告)号：CN101681925B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200880021283.0

申请日：2008-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌桢 ,  金尚昱 ,  金善日

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明提供了一种氧化物半导体和包括该氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Ta原子和Y原子中的至少一种原子。薄膜晶体管(TFT)包括含有这样的氧化物半导体的沟道，所述氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Ta原子和Y原子中的至少一种原子。

公开(公告)号：CN101630692A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910140008.7

申请日：2009-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  朴宰彻 ,  金尚昱

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/267

Abstract: 本发明公开了一种沟道层和一种包括该沟道层的晶体管。所述沟道层可以包括多层结构。形成所述沟道层的层可以具有不同的迁移率和/或载流子密度。所述沟道层可以具有包括可以由不同的氧化物形成的上层和下层的双层结构。所述晶体管的特性可以根据用于形成下层和上层的材料及其厚度而变化。

公开(公告)号：CN101378076A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810131345.5

申请日：2008-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  朴永洙 ,  金善日

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明公开了一种反向非易失性存储装置、堆叠模块及该装置的制造方法。具体地讲，示例实施例提供了一种可通过堆叠来集成的非易失性存储装置、堆叠模块以及该非易失性存储装置的制造方法。在根据示例实施例的非易失性存储装置中，可在基底上形成至少一个底部栅电极。在该至少一个底部栅电极上可形成至少一个电荷存储层，在该至少一个电荷存储层上可形成至少一个半导体沟道层。

公开(公告)号：CN109254422B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201810379043.3

申请日：2018-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴晶铉 ,  庆智秀 ,  金善日 ,  申昶均 ,  郑秉吉 ,  崔秉龙

IPC: G02F1/01 ,  G02B5/00

Abstract: 本公开提供光调制器件及包括光调制器件的光设备。光调制器件可以包括纳米天线、导体、以及位于纳米天线和导体之间的有源层。光调制器件还可以包括位于有源层和导体之间的第一电介质层以及位于有源层和纳米天线之间的第二电介质层。光调制器件还可以包括信号施加单元，该信号施加单元被配置为独立地将电信号施加到纳米天线、有源层和导体中的至少两个。

公开(公告)号：CN116243502A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202210885870.6

申请日：2022-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑秉吉 ,  金善日 ,  朴晶铉 ,  李旻璟

IPC: G02F1/01 ,  G01S17/931 ,  G01S7/481

Abstract: 提供了空间光调制器和包括该空间光调制器的电子装置。空间光调制器可以包括：多个像素，被配置为将入射光转向；以及多个热电层，在该多个热电层中发生与多个像素的热传递。多个像素中的每一个可以包括多个光栅结构。

公开(公告)号：CN113903835A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202110759474.4

申请日：2021-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  金善日 ,  朴晶铉 ,  申昶均 ,  郑秉吉

IPC: H01L33/06

Abstract: 提供了一种光调制元件，包括：第一接触层；第二接触层；有源层，设置在第一接触层与第二接触层之间；第一接触插塞，设置在第一接触层与有源层之间；以及第二接触插塞，设置在第二接触层与有源层之间，其中，第一接触插塞和第二接触插塞中的至少一个的宽度小于有源层的宽度。