公开(公告)号：CN118866871A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410497767.3

申请日：2024-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珍煐 ,  申宪宗 ,  姜在玄 ,  宋永秀

IPC: H01L23/538 ,  H01L29/08 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底，包括第一有源区域和第二有源区域，该第一有源区域包括间隔开第一间隔的第一有源图案，该第二有源区域包括间隔开第二间隔的第二有源图案；第一源/漏区和第二源/漏区，在第一有源区域和第二有源区域上；第一接触结构和第二接触结构，连接到第一源/漏区和第二源/漏区；第一导电贯通结构和第二导电贯通结构，连接到第一接触结构和第二接触结构；电力输送结构，与第一导电贯通结构和第二导电贯通结构的底表面接触；前侧互连结构；以及后侧互连结构。第一导电贯通结构可以通过第一接触结构连接到第一源/漏区。第二导电贯通结构可以通过前侧互连结构连接到第二源/漏区。第二间隔可以与第一间隔不同。

公开(公告)号：CN118825027A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410452446.1

申请日：2024-04-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋永秀 ,  金秀贤 ,  崔如莉 ,  朴志薰

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置包括：有源区，其在衬底上并且包括在第一方向上延伸的有源图案。装置隔离层围绕有源图案。栅极结构在第二方向上延伸。源极/漏极区在有源图案上。层间绝缘层覆盖源极/漏极区。接触结构连接到源极/漏极区。掩埋导电结构在第一方向上延伸，电连接到接触结构，并且穿过层间绝缘层以在第三方向上延伸。电力输送结构从衬底的下表面朝向衬底的上表面延伸，并且电连接到掩埋导电结构。掩埋导电结构包括：在第一方向上延伸的主体部分、以及在第二方向上从主体部分的至少一个侧表面的区域延伸的延伸部分。