公开(公告)号：CN119698059A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202410955717.5

申请日：2024-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大湜 ,  金善培 ,  权兑勇 ,  金昶熹 ,  李斗铉 ,  姜在玄 ,  朴珍煐 ,  朴贤镐 ,  刘智旼 ,  李真旭 ,  黄胜贤

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括有源区域；栅极结构，其位于所述衬底上；多个沟道层，其在所述有源区域上彼此间隔开并且被所述栅极结构围绕；源极/漏极区域，其在所述栅极结构的至少一侧位于所述有源区域凹陷的区域中并且连接到所述多个沟道层；以及接触插塞，其使所述源极/漏极区域从所述源极/漏极区域的上表面部分地凹陷、电连接到所述源极/漏极区域、并且包括沿着所述源极/漏极区域的凹陷表面的金属半导体化合物层和位于所述金属半导体化合物层上的接触导电层，其中，所述金属半导体化合物层在所述接触导电层的侧表面上具有第一厚度并且在所述接触插塞的底表面上具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度。

公开(公告)号：CN118866871A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410497767.3

申请日：2024-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珍煐 ,  申宪宗 ,  姜在玄 ,  宋永秀

IPC: H01L23/538 ,  H01L29/08 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底，包括第一有源区域和第二有源区域，该第一有源区域包括间隔开第一间隔的第一有源图案，该第二有源区域包括间隔开第二间隔的第二有源图案；第一源/漏区和第二源/漏区，在第一有源区域和第二有源区域上；第一接触结构和第二接触结构，连接到第一源/漏区和第二源/漏区；第一导电贯通结构和第二导电贯通结构，连接到第一接触结构和第二接触结构；电力输送结构，与第一导电贯通结构和第二导电贯通结构的底表面接触；前侧互连结构；以及后侧互连结构。第一导电贯通结构可以通过第一接触结构连接到第一源/漏区。第二导电贯通结构可以通过前侧互连结构连接到第二源/漏区。第二间隔可以与第一间隔不同。

公开(公告)号：CN118693083A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410191892.1

申请日：2024-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  姜在玄 ,  金善培 ,  林旺燮 ,  黄胜贤

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/538 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：基底，具有主表面和在竖直方向上从主表面突出并在第一水平方向上纵向延伸的鳍型有源区域；栅极线，在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此平行地延伸，并且与鳍型有源区域交叉；源极/漏极区域，在鳍型有源区域上位于栅极线之间；栅极间绝缘层，在栅极线之间且覆盖源极/漏极区域；有源接触件，在源极/漏极区域上并与源极/漏极区域接触；以及掩埋绝缘块，位于在第二水平方向上的相邻源极/漏极区域之间，掩埋绝缘块穿透栅极间绝缘层的至少一部分并具有与有源接触件中的第一有源接触件接触的顶表面。