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公开(公告)号：CN108807521A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810380938.9
申请日：2018-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。第一垂直结构和第二垂直结构形成在基板上。第二垂直结构紧邻第一垂直结构定位。绝缘层形成在第一和第二垂直结构之间的基板上。栅极金属和栅极电介质层形成在第一和第二垂直结构上。栅极金属、栅极电介质层和绝缘层的一部分被去除。一部分的基板被去除。栅极金属形成在第一和第二垂直结构上之后，该部分的基板被去除。
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公开(公告)号：CN104347717A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410372950.7
申请日：2014-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7853 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/3085 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/0673 , H01L29/42364 , H01L29/4238 , H01L29/49 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L29/78 , H01L29/785 , H01L2229/00
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。
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公开(公告)号：CN100526409C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200410101122.6
申请日：2004-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09G1/02 , C09G1/16 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的示例性实施例提供一种新的浆料成分，该新的浆料成分适合用于包括对多晶硅层化学机械抛光(CMP)的工艺。该浆料成分包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，该表面活性剂选择地在多晶硅的暴露表面上形成钝化层，以便于抑制相对于氧化硅和氮化硅的多晶硅除去速率并提高抛光衬底的平坦度。示例性的表面活性剂包括环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)嵌段共聚物的烷基或芳基醇，并以高达大约5wt%的量存在于浆料成分中，虽然更小的浓度有效。其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂、pH调节剂、分散剂、螯合剂、以及适合用于调节氮化硅和氧化硅的相对除去速率的胺或亚胺表面活性剂。
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公开(公告)号：CN101345209A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810131102.1
申请日：2004-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/321 , H01L21/304 , C09G1/02 , C09G1/16
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的示例性实施例提供一种新的浆料成分，该新的浆料成分适合用于包括对多晶硅层化学机械抛光(CMP)的工艺。该浆料成分包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，该表面活性剂选择地在多晶硅的暴露表面上形成钝化层，以便于抑制相对于氧化硅和氮化硅的多晶硅除去速率并提高抛光衬底的平坦度。示例性的表面活性剂包括环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)嵌段共聚物的烷基或芳基醇，并以高达大约5wt％的量存在于浆料成分中，虽然更小的浓度有效。其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂、pH调节剂、分散剂、螯合剂、以及适合用于调节氮化硅和氧化硅的相对除去速率的胺或亚胺表面活性剂。
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公开(公告)号：CN108807521B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201810380938.9
申请日：2018-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。第一垂直结构和第二垂直结构形成在基板上。第二垂直结构紧邻第一垂直结构定位。绝缘层形成在第一和第二垂直结构之间的基板上。栅极金属和栅极电介质层形成在第一和第二垂直结构上。栅极金属、栅极电介质层和绝缘层的一部分被去除。一部分的基板被去除。栅极金属形成在第一和第二垂直结构上之后，该部分的基板被去除。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1722437A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510059121.4
申请日：2005-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/28194 , H01L21/3141 , H01L21/31608 , H01L21/31645 , H01L21/823842 , H01L29/517 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了集成电路器件。所述集成电路器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有第一掺杂区和第二掺杂区，该第二掺杂区具有不同于该第一掺杂区的掺杂类型。半导体衬底上的栅电极结构延伸于第一和第二掺杂区之间，该栅电极结构具有第一掺杂区中的第一高介电常数材料的栅极绝缘层以及第二掺杂区中的不同于第一高介电常数材料的第二高介电常数材料的栅极绝缘层。栅电极在栅极绝缘层上。
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公开(公告)号：CN104347717B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201410372950.7
申请日：2014-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。
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公开(公告)号：CN101345209B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810131102.1
申请日：2004-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/321 , H01L21/304 , C09G1/02 , C09G1/16
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的示例性实施例提供一种新的浆料成分，该新的浆料成分适合用于包括对多晶硅层化学机械抛光(CMP)的工艺。该浆料成分包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，该表面活性剂选择地在多晶硅的暴露表面上形成钝化层，以便于抑制相对于氧化硅和氮化硅的多晶硅除去速率并提高抛光衬底的平坦度。示例性的表面活性剂包括环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)嵌段共聚物的烷基或芳基醇，并以高达大约5wt％的量存在于浆料成分中，虽然更小的浓度有效。其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂、pH调节剂、分散剂、螯合剂、以及适合用于调节氮化硅和氧化硅的相对除去速率的胺或亚胺表面活性剂。
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公开(公告)号：CN100468736C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510059121.4
申请日：2005-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/28194 , H01L21/3141 , H01L21/31608 , H01L21/31645 , H01L21/823842 , H01L29/517 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种包括双栅极堆叠结构的集成电路器件及其形成方法。所述集成电路器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有第一掺杂区和第二掺杂区，该第二掺杂区具有不同于该第一掺杂区的掺杂类型。半导体衬底上的栅电极结构延伸于第一和第二掺杂区之间，该栅电极结构具有第一掺杂区中的第一高介电常数材料的栅极绝缘层以及第二掺杂区中的不同于第一高介电常数材料的第二高介电常数材料的栅极绝缘层。栅电极在栅极绝缘层上。
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公开(公告)号：CN1637102A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410101122.6
申请日：2004-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09G1/02 , C09G1/16 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的示例性实施例提供一种新的浆料成分，该新的浆料成分适合用于包括对多晶硅层化学机械抛光(CMP)的工艺。该浆料成分包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，该表面活性剂选择地在多晶硅的暴露表面上形成钝化层，以便于抑制相对于氧化硅和氮化硅的多晶硅除去速率并提高抛光衬底的平坦度。示例性的表面活性剂包括环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)嵌段共聚物的烷基或芳基醇，并以高达大约5wt％的量存在于浆料成分中，虽然更小的浓度有效。其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂、pH调节剂、分散剂、螯合剂、以及适合用于调节氮化硅和氧化硅的相对除去速率的胺或亚胺表面活性剂。
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