公开(公告)号：CN1992276A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610171225.9

申请日：2006-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张讚三 ,  前田茂伸 ,  吴昌奉 ,  申宪宗

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供了一种不对称半导体装置及其制造方法，使用数目减少的工艺步骤在公共衬底上形成高电压和低电压晶体管，该方法包括：在由延伸到衬底中第一深度的隔离结构所分开的衬底上形成至少第一高电压晶体管阱和第一低电压晶体管阱，使用第一掩模和第一注入工艺同时在低电压晶体管阱的沟道区和高电压晶体管阱的漏区中注入第一导电类型的掺杂材料。