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公开(公告)号：CN103050505A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210387179.1
申请日：2012-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/307 , H01L51/424 , H04N5/3698 , H04N5/37452 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供了一种有机像素，包括：包括像素电路的半导体基板；互连层，具有形成在半导体基板上的第一接触和第一电极；和形成在互连层上的有机光电二极管。例如，有机光电二极管包括：形成在第一电极上的绝缘层；第二电极；和形成在第一接触、绝缘层和第二电极之间的光电转换区。光电转换区包括给电子有机材料和受电子有机材料。有机光电二极管还可以包括电连接到第一接触的第二接触。第二接触与绝缘层之间的水平距离可以小于或等于数微米，例如10微米。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102595063A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110399317.3
申请日：2011-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3745
Abstract: 公开了一种具有负电容电路的读出放大器、图像传感器、图像处理设备和操作读出放大器的方法。读出放大器经由数据线对接收差分输入信号，并且使用差分单端放大器对与负电容电路加载的差分输入信号相对应的差分输出信号之间的电压差进行感测和放大，以产生相应的数据输出信号。
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公开(公告)号：CN110072069B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201910052224.X
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/70 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：第一光电二极管；第一电路，所述第一电路包括连接到所述第一光电二极管的溢出晶体管和第一转移晶体管、连接到所述第一转移晶体管的开关元件以及设置在所述第一转移晶体管与所述开关元件之间的电容器，其中所述电容器是物理电容器；第二光电二极管；以及第二电路，所述第二电路包括连接到所述第二光电二极管的第二转移晶体管、连接到所述第一电路的输出的复位晶体管以及连接到所述第二转移晶体管和所述第一电路的输出的驱动晶体管。
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公开(公告)号：CN110072069A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910052224.X
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器，包括：第一光电二极管；第一电路，所述第一电路包括连接到所述第一光电二极管的溢出晶体管和第一转移晶体管、连接到所述第一转移晶体管的开关元件以及设置在所述第一转移晶体管与所述开关元件之间的电容器，其中所述电容器是物理电容器；第二光电二极管；以及第二电路，所述第二电路包括连接到所述第二光电二极管的第二转移晶体管、连接到所述第一电路的输出的复位晶体管以及连接到所述第二转移晶体管和所述第一电路的输出的驱动晶体管。
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公开(公告)号：CN102595063B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110399317.3
申请日：2011-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 公开了一种具有负电容电路的读出放大器、图像传感器、图像处理设备和操作读出放大器的方法。读出放大器经由数据线对接收差分输入信号，并且使用差分单端放大器对与负电容电路加载的差分输入信号相对应的差分输出信号之间的电压差进行感测和放大，以产生相应的数据输出信号。
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