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公开(公告)号：CN118783929A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410392052.1
申请日：2024-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K5/14 , H03K5/135 , H03K5/1534 , H03L7/10
Abstract: 提供了时钟发生设备和使用时钟发生设备的时钟发生方法。一种时钟发生设备包括：延迟线，从具有第一周期的参考时钟信号生成调制时钟信号；脉冲发生器，被配置为接收调制时钟信号并响应于包括在调制时钟信号中的脉冲的边沿而生成脉冲信号；以及时钟发生器，基于参考时钟信号和脉冲信号来生成具有与第一周期区分开的第二周期的时钟信号。延迟线基于参考时钟信号来生成第一脉冲，并且然后在从第一周期调制将第二周期乘以根据一定概率从多个数值中选择的第一数值的结果的时间之后生成第二脉冲。
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公开(公告)号：CN115996052A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211274632.8
申请日：2022-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种子采样锁相环，包括斜率生成和采样电路、第一和第二跨导电路、恒定跨导偏置电路、环路滤波器和压控振荡器。斜率生成和采样电路基于参考时钟信号和输出时钟信号生成采样电压。第一和第二跨导电路基于采样电压、参考电压和控制电流生成第一和第二输出控制电压。恒定跨导偏置电路包括开关电容电阻器。恒定跨导偏置电路被配置成生成控制电流。环路滤波器连接到第一和第二跨导电路的输出端。压控振荡器基于第一和第二输出控制电压生成输出时钟信号。
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公开(公告)号：CN103050505A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210387179.1
申请日：2012-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/307 , H01L51/424 , H04N5/3698 , H04N5/37452 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供了一种有机像素，包括：包括像素电路的半导体基板；互连层，具有形成在半导体基板上的第一接触和第一电极；和形成在互连层上的有机光电二极管。例如，有机光电二极管包括：形成在第一电极上的绝缘层；第二电极；和形成在第一接触、绝缘层和第二电极之间的光电转换区。光电转换区包括给电子有机材料和受电子有机材料。有机光电二极管还可以包括电连接到第一接触的第二接触。第二接触与绝缘层之间的水平距离可以小于或等于数微米，例如10微米。
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公开(公告)号：CN1841683A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610068130.4
申请日：2006-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/28273 , H01L21/28282
Abstract: 本发明公开了一种具有改善的擦除特性的存储器件的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上顺序形成隧穿氧化物层、电荷存储层和阻挡氧化物层；在气体气氛下退火包括所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层的半导体衬底，使得所述阻挡氧化物层具有负的固定的氧化物电荷；在具有所述负的固定的氧化物电荷的阻挡氧化物层上形成栅电极，且蚀刻所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层来形成栅极结构；以及用掺杂剂掺杂所述半导体衬底，从而在所述栅极结构的两侧在半导体衬底中分别形成第一掺杂区和第二掺杂区。
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公开(公告)号：CN1945845A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610131728.3
申请日：2006-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , G02F1/133788 , G02F1/136227
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制备方法，该阵列面板包含基板、置于基板上的第一信号线、与第一信号线交叉的第二信号线、连接到第一信号线的源电极、与源电极分离的漏电极、连接到源电极和漏电极的有机半导体部件、连接到漏电极的像素电极、以及置于像素电极上并具有光致排列的钝化层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110719103B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910202049.8
申请日：2019-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种锁相环电路包括：压控振荡器，被配置为基于控制电压输出具有预定频率的时钟信号；相位频率检测器，被配置为将时钟信号与参考信号进行比较以输出第一控制信号和第二控制信号；电荷泵，被配置为基于第一控制信号和第二控制信号输出控制电压；电压源，包括通过传输开关连接到电荷泵的输出端子的输出端子；以及泄漏去除器电路，连接到传输开关并且被配置为在该传输开关断开时去除流过该传输开关的泄漏电流。
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公开(公告)号：CN110719103A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910202049.8
申请日：2019-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种锁相环电路包括：压控振荡器，被配置为基于控制电压输出具有预定频率的时钟信号；相位频率检测器，被配置为将时钟信号与参考信号进行比较以输出第一控制信号和第二控制信号；电荷泵，被配置为基于第一控制信号和第二控制信号输出控制电压；电压源，包括通过传输开关连接到电荷泵的输出端子的输出端子；以及泄漏去除器电路，连接到传输开关并且被配置为在该传输开关断开时去除流过该传输开关的泄漏电流。
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公开(公告)号：CN100552899C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610068130.4
申请日：2006-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/28273 , H01L21/28282
Abstract: 本发明公开了一种具有改善的擦除特性的存储器件的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上顺序形成隧穿氧化物层、电荷存储层和阻挡氧化物层；在气体气氛下退火包括所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层的半导体衬底，使得所述阻挡氧化物层具有负的固定的氧化物电荷；在具有所述负的固定的氧化物电荷的阻挡氧化物层上形成栅电极，且蚀刻所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层来形成栅极结构；以及用掺杂剂掺杂所述半导体衬底，从而在所述栅极结构的两侧在半导体衬底中分别形成第一掺杂区和第二掺杂区。
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公开(公告)号：CN115333533A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210501555.9
申请日：2022-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种锁相环包括：相位检测器，其输出对应于参考频率信号和分频信号的相位差的第一信号；电荷泵，其放大第一信号以输出第二信号；环路滤波器，其对第二信号进行滤波以输出第三信号；电压电流转换器，其接收第三信号，并且输出第四信号；数模转换器，其基于第四信号和数字补偿信号输出第五信号；振荡器，其输出具有对应于第五信号的频率的输出频率信号；分频器，其对输出频率信号的频率进行分频，以输出分频信号和补偿频率信号；以及自动频率校准器，其基于补偿频率信号的频率与参考频率信号的频率之间的差补偿电压电流转换器。
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公开(公告)号：CN104009158B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201410062108.3
申请日：2014-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了光电子器件以及包括该光电子器件的图像传感器。该光电子器件包括：第一电极，包括第一金属；有源层，设置在第一电极和第二电极之间；以及扩散阻挡层，设置在第一电极和有源层之间，扩散阻挡层包括第二金属，其中第二金属具有比第一金属的热扩散率低的热扩散率，并且其中第一电极和扩散阻挡层配置为透射光。
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