公开(公告)号：CN109493896B

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN201810929992.4

申请日：2018-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白尚叶 ,  悉达多·古普塔 ,  李仁学 ,  崔在承 ,  金兑衡 ,  文大英 ,  徐东旭

IPC: G11C8/08 ,  G11C8/14 ,  G11C11/418

Abstract: 本发明提供了包括辅助电路的电压控制电路和包括所述电压控制电路的存储器装置。所述存储器装置包括：易失性存储器单元阵列，其连接到多个字线并且包括存储器单元，所述存储器单元包括至少一个晶体管；以及辅助电路，其连接到所述多个字线中的至少一个并调整所述多个字线中的每个的驱动电压电平，其中，所述辅助电路包括二极管NMOS晶体管，所述NMOS晶体管具有彼此连接的栅极和漏极。

公开(公告)号：CN109493896A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201810929992.4

申请日：2018-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白尚叶 ,  悉达多·古普塔 ,  李仁学 ,  崔在承 ,  金兑衡 ,  文大英 ,  徐东旭

IPC: G11C8/08 ,  G11C8/14 ,  G11C11/418

Abstract: 本发明提供了包括辅助电路的电压控制电路和包括所述电压控制电路的存储器装置。所述存储器装置包括：易失性存储器单元阵列，其连接到多个字线并且包括存储器单元，所述存储器单元包括至少一个晶体管；以及辅助电路，其连接到所述多个字线中的至少一个并调整所述多个字线中的每个的驱动电压电平，其中，所述辅助电路包括二极管NMOS晶体管，所述NMOS晶体管具有彼此连接的栅极和漏极。