公开(公告)号：CN108242510B

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN201711391838.8

申请日：2017-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许哲准 ,  佐藤竜一 ,  朴敬培 ,  金琏熙 ,  卢卓均 ,  元山贵雄 ,  朴世爀

IPC: H01L51/52

Abstract: 一种电子器件包括多个像素电极、在多个像素电极上的有源层、在有源层上并覆盖有源层的整个上表面的相对电极、以及在相对电极上的第一封装膜，其中相对电极和第一封装膜具有共同的平面形状。

公开(公告)号：CN108242510A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711391838.8

申请日：2017-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许哲准 ,  佐藤竜一 ,  朴敬培 ,  金琏熙 ,  卢卓均 ,  元山贵雄 ,  朴世爀

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L51/442 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5237

Abstract: 一种电子器件包括多个像素电极、在多个像素电极上的有源层、在有源层上并覆盖有源层的整个上表面的相对电极、以及在相对电极上的第一封装膜，其中相对电极和第一封装膜具有共同的平面形状。