公开(公告)号：CN108242510A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711391838.8

申请日：2017-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许哲准 ,  佐藤竜一 ,  朴敬培 ,  金琏熙 ,  卢卓均 ,  元山贵雄 ,  朴世爀

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L51/442 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5237

Abstract: 一种电子器件包括多个像素电极、在多个像素电极上的有源层、在有源层上并覆盖有源层的整个上表面的相对电极、以及在相对电极上的第一封装膜，其中相对电极和第一封装膜具有共同的平面形状。

公开(公告)号：CN108242510B

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN201711391838.8

申请日：2017-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许哲准 ,  佐藤竜一 ,  朴敬培 ,  金琏熙 ,  卢卓均 ,  元山贵雄 ,  朴世爀

IPC: H01L51/52

Abstract: 一种电子器件包括多个像素电极、在多个像素电极上的有源层、在有源层上并覆盖有源层的整个上表面的相对电极、以及在相对电极上的第一封装膜，其中相对电极和第一封装膜具有共同的平面形状。

公开(公告)号：CN102386248A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110196575.1

申请日：2011-07-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  朴用永 ,  金琏熙 ,  梁祐荣 ,  金贤钟

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/068 ,  C03C8/18 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池和一种制造太阳能电池的方法，所述太阳能电池包括：半导体基底；钝化膜，设置在所述半导体基底的一侧上；保护层，设置在所述钝化膜的与所述半导体基底相对的一侧上；电极，设置在所述保护层的与所述钝化膜相对的一侧上，其中，所述电极包括含有玻璃料和导电材料的导电糊的产物，其中，所述保护层包含吉布斯自由能的绝对值比所述玻璃料的每个组分的吉布斯自由能的绝对值小的材料。

公开(公告)号：CN106328708A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610102164.4

申请日：2016-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁基延 ,  李昌承 ,  金南定 ,  金琏熙

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/34

CPC classification number: G01N27/4141 ,  C30B25/04 ,  C30B29/46 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及包括二维材料结构的装置及形成该二维材料结构的方法。其中一种晶体管包括：基板；包括基本上垂直地排列在基板上的至少一层的二维材料结构，使得所述至少一层的边缘在基板上并且所述至少一层基本上垂直于基板延伸；源电极和漏电极，连接到二维材料结构的相反端；栅绝缘层，在源电极和漏电极之间的二维材料结构上；和在栅绝缘层上的栅电极。所述至少一层的每个包括具有二维晶体结构的半导体。

公开(公告)号：CN115903092A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211108166.6

申请日：2022-09-13

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 李政烨 ,  廉根永 ,  金熙株 ,  洪宗佑 ,  金琏熙 ,  裵纪德 ,  裵海洙

IPC: G02B1/00 ,  G02B5/18

Abstract: 提供一种超光学器件以及制造超表面的方法。超光学器件包括基板和纳米结构，其中该纳米结构包括在直径和周期中的至少一个方面不同的第一部分和第二部分，其中第二部分的蚀刻深度与第一部分的蚀刻深度的比率为约0.9至约1.1，并且该纳米结构包括硫、氟和碳氟化合物中的至少一种。

公开(公告)号：CN106328708B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201610102164.4

申请日：2016-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁基延 ,  李昌承 ,  金南定 ,  金琏熙

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及包括二维材料结构的装置及形成该二维材料结构的方法。其中一种晶体管包括：基板；包括基本上垂直地排列在基板上的至少一层的二维材料结构，使得所述至少一层的边缘在基板上并且所述至少一层基本上垂直于基板延伸；源电极和漏电极，连接到二维材料结构的相反端；栅绝缘层，在源电极和漏电极之间的二维材料结构上；和在栅绝缘层上的栅电极。所述至少一层的每个包括具有二维晶体结构的半导体。