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公开(公告)号：CN105261702B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201510122544.X
申请日：2015-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 实例实施方式涉及有机光电器件和包括其的图像传感器，所述有机光电器件包括第一电极、在所述第一电极上并且包括第一p型光吸收材料和第一n型光吸收材料的光吸收层、在所述光吸收层上并且包括具有比所述光吸收层的半宽度(FWHM)小的FWHM的第二p型光吸收材料或第二n型光吸收材料的光吸收辅助层、在所述光吸收辅助层上的电荷辅助层、和在所述电荷辅助层上的第二电极。
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公开(公告)号：CN105847784B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201610028856.9
申请日：2016-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/225 , H04N5/33 , H04N9/04 , H04N13/239 , H04N13/25 , H04N13/254 , H04N13/257 , H04N13/271 , G01S17/02 , G01S17/08 , G01S17/89 , G01S7/48
CPC classification number: H04N13/239 , G01S7/4816 , G01S17/023 , G01S17/08 , G01S17/89 , H01L27/307 , H04N5/2256 , H04N5/2258 , H04N5/33 , H04N5/332 , H04N9/045 , H04N13/25 , H04N13/254 , H04N13/257 , H04N13/271 , H04N13/296
Abstract: 种用于三维图像获取装置的光学成像系统包括:物镜,聚焦光;第图像传感器,感测由物镜聚焦的光中可见光波段的光;以及第二图像传感器,感测透射通过第图像传感器的光中红外线波段的光。三维图像获取装置包括用于三维图像获取装置的光学成像系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105261702A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510122544.X
申请日：2015-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/307 , H01L25/167 , H01L27/30 , H01L27/302 , H01L33/06 , H01L51/0046 , H01L51/0068 , H01L51/008 , H01L51/0094 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , H01L51/44 , H01L51/442 , H01L51/447 , Y02E10/549
Abstract: 实例实施方式涉及有机光电器件和包括其的图像传感器，所述有机光电器件包括第一电极、在所述第一电极上并且包括第一p型光吸收材料和第一n型光吸收材料的光吸收层、在所述光吸收层上并且包括具有比所述光吸收层的半宽度(FWHM)小的FWHM的第二p型光吸收材料或第二n型光吸收材料的光吸收辅助层、在所述光吸收辅助层上的电荷辅助层、和在所述电荷辅助层上的第二电极。
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公开(公告)号：CN108242510A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711391838.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/1462 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L51/442 , H01L51/448 , H01L51/5203 , H01L51/5237
Abstract: 一种电子器件包括多个像素电极、在多个像素电极上的有源层、在有源层上并覆盖有源层的整个上表面的相对电极、以及在相对电极上的第一封装膜，其中相对电极和第一封装膜具有共同的平面形状。
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公开(公告)号：CN107403867A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710037428.7
申请日：2017-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
CPC classification number: H01L51/447 , H01L27/307 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0062 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/4253 , H01L51/4273 , H01L51/442 , H01L51/448 , H01L51/5056 , Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L27/14643 , H01L51/0032 , H01L51/44
Abstract: 本发明涉及有机光电器件、图像传感器和电子装置。有机光电器件可包括在第一电极和第二电极之间的光电转换层以及在所述光电转换层上的缓冲层。光电转换层可在第一电极和第二电极之间，且缓冲层可在第一电极和光电转换层之间。光电转换层可至少包括配置成提供p-n结的第一光吸收材料和第二光吸收材料。缓冲层可包括第一光吸收材料和与光的可见波长谱相关的非吸收材料。非吸收材料可具有约5.4eV-约5.8eV的HOMO能级。非吸收材料可具有大于或等于约2.8eV的能带隙。
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公开(公告)号：CN107403867B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201710037428.7
申请日：2017-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及有机光电器件、图像传感器和电子装置。有机光电器件可包括在第一电极和第二电极之间的光电转换层以及在所述光电转换层上的缓冲层。光电转换层可在第一电极和第二电极之间，且缓冲层可在第一电极和光电转换层之间。光电转换层可至少包括配置成提供p‑n结的第一光吸收材料和第二光吸收材料。缓冲层可包括第一光吸收材料和与光的可见波长谱相关的非吸收材料。非吸收材料可具有约5.4eV‑约5.8eV的HOMO能级。非吸收材料可具有大于或等于约2.8eV的能带隙。
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公开(公告)号：CN105847784A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610028856.9
申请日：2016-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N13/02
CPC classification number: H04N13/239 , G01S7/4816 , G01S17/023 , G01S17/08 , G01S17/89 , H01L27/307 , H04N5/2256 , H04N5/2258 , H04N5/33 , H04N5/332 , H04N9/045 , H04N13/25 , H04N13/254 , H04N13/257 , H04N13/271 , H04N13/296 , H04N13/204
Abstract: 一种用于三维图像获取装置的光学成像系统包括：物镜，聚焦光；第一图像传感器，感测由物镜聚焦的光中可见光波段的光；以及第二图像传感器，感测透射通过第一图像传感器的光中红外线波段的光。三维图像获取装置包括用于三维图像获取装置的光学成像系统。
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