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公开(公告)号：CN118093254A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311569652.2
申请日：2023-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了纠错装置和纠错方法。所述纠错装置包括：接收器，被配置为接收通过包括一个或多个线路的通道从外部装置发送的多个纠错码(ECC)码字；ECC解码器，被配置为通过针对所述多个ECC码字执行纠错生成多个回读ECC码字，并且基于所述多个回读ECC码字生成第一循环冗余校验(CRC)码字；CRC校验器，被配置为确定第一CRC码字中是否存在错误；以及回读ECC解码器，被配置为当确定第一CRC码字中存在错误时，通过基于从ECC解码器接收到的纠错结果信息估计剩余错误位置并且基于剩余错误位置针对所述多个回读ECC码字执行剩余纠错，来生成第二CRC码字。
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公开(公告)号：CN108073357B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201710986336.3
申请日：2017-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种以RAID方式存储数据的存储装置。存储装置包括多个非易失性存储器和控制器。所述多个非易失性存储器被配置为分配地存储条带集的第一条带和第二条带。所述控制器包括所述控制器内的第一存储器和第二存储器。所述控制器被配置为：从主机接收第一条带和第二条带，将第一条带和第二条带分配地存储在所述多个非易失性存储器中，并基于第一条带和第二条带执行奇偶校验运算。所述控制器被配置为：基于第一条带，产生中间奇偶校验；将中间奇偶校验存储在第一存储器中。如果奇偶校验运算被停止，则所述控制器被配置为将存储在第一存储器中的中间奇偶校验移动到第二存储器。
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公开(公告)号：CN108073357A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201710986336.3
申请日：2017-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0658 , G06F3/061 , G06F3/0619 , G06F3/0688 , G06F11/10 , G06F11/108 , G06F2212/262 , G06F3/0689 , G06F3/0611 , G06F3/064 , G06F11/1076
Abstract: 一种以RAID方式存储数据的存储装置。存储装置包括多个非易失性存储器和控制器。所述多个非易失性存储器被配置为分配地存储条带集的第一条带和第二条带。所述控制器包括所述控制器内的第一存储器和第二存储器。所述控制器被配置为：从主机接收第一条带和第二条带，将第一条带和第二条带分配地存储在所述多个非易失性存储器中，并基于第一条带和第二条带执行奇偶校验运算。所述控制器被配置为：基于第一条带，产生中间奇偶校验；将中间奇偶校验存储在第一存储器中。如果奇偶校验运算被停止，则所述控制器被配置为将存储在第一存储器中的中间奇偶校验移动到第二存储器。
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公开(公告)号：CN1256629C
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN02108303.7
申请日：2002-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C11D1/526 , C11D11/0047 , G03F7/425
Abstract: 一种抗蚀剂除去组合物，具有除去抗蚀剂、聚合物、有机金属聚合物和蚀刻副产品如金属氧化物的优异性能，该抗蚀剂除去组合物不侵蚀暴露于组合物中的下层并且在清洗后不留下残余物，该抗蚀剂除去组合物含烷氧基N-羟烷基链烷酰胺和溶胀剂。
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公开(公告)号：CN1407409A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02108303.7
申请日：2002-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/26
CPC classification number: C11D1/526 , C11D11/0047 , G03F7/425
Abstract: 一种抗蚀剂除去组合物，具有除去抗蚀剂、聚合物、有机金属聚合物和蚀刻副产品如金属氧化物的优异性能，该抗蚀剂除去组合物不侵蚀暴露于组合物中的下层并且在清洗后不留下残余物。该抗蚀剂除去组合物含烷氧基N－羟烷基链烷酰胺和溶胀剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1243823A
公开(公告)日：2000-02-09
申请号：CN98123846.7
申请日：1998-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07C231/00
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 一种酰胺化合物、一种抗蚀剂脱除剂、一种抗蚀剂脱除组合物及其制备方法。该化合物为N链烷醇烷氧基烷酰胺,它通过链烷醇胺与烷基烷氧基链烷酸酯反应来制备。所述的抗蚀剂脱除剂含有N链烷醇烷氧基烷酰胺。所述的抗蚀剂脱除组合物含有链烷醇胺与烷基烷氧基链烷酸酯的混合物或浸蚀抑制剂与N链烷醇烷氧基烷酰胺的混合物。该组合物还可含有极性材料。该抗蚀剂脱除剂和组合物对从基材上脱除抗蚀剂和聚合物有极好的能力,而又不浸蚀抗蚀剂下面的层。
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公开(公告)号：CN1243971A
公开(公告)日：2000-02-09
申请号：CN99111965.7
申请日：1999-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 本发明公开了一种抗蚀剂脱除剂和一种脱除抗蚀剂的组合物,其具有优异的抗蚀剂和聚合物脱除性能,其不会对底层产生侵蚀,本发明还公开了所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物的制备方法和采用所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物脱除抗蚀剂的方法。所述抗蚀剂脱除剂包含烷氧基N－羟基烷基链酰胺。所述抗蚀剂脱除组合物,包含烷氧基N－羟基烷基链烷酰胺和至少一种偶极矩为3或大于3的极性材料和一种侵蚀抑制剂以及一种链烷醇胺。在其上具有抗蚀剂的基质与所述的抗蚀剂脱除剂或抗蚀剂脱除组合物可脱除抗蚀剂。
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公开(公告)号：CN119382723A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202410287787.8
申请日：2024-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种电子设备及操作其的方法。所述电子设备可以包括：接收电路，所述接收电路被配置为基于通过链路接收的模拟信号的电压电平生成多个接收数据位，并且基于模拟信号的电压电平生成指示多个接收数据位发生错误的概率的多个位可靠性值；对准电路，所述对准电路被配置为将多个接收数据位分组为多个纠错码(ECC)符号，并且基于多个位可靠性值来生成指示多个ECC符号的错误发生概率的多个符号可靠性值；以及解码电路，所述解码电路被配置为基于多个符号可靠性值来纠正多个ECC符号的错误。
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公开(公告)号：CN1249530C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN99111965.7
申请日：1999-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 本发明公开了一种抗蚀剂脱除剂和一种脱除抗蚀剂的组合物，其具有优异的抗蚀剂和聚合物脱除性能，其不会对底层产生侵蚀，本发明还公开了所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物的制备方法和采用所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物脱除抗蚀剂的方法。所述抗蚀剂脱除剂包含烷氧基N-羟基烷基链酰胺。所述抗蚀剂脱除组合物，包含烷氧基N-羟基烷基链烷酰胺和至少一种偶极矩为3或大于3的极性材料和一种侵蚀抑制剂以及一种链烷醇胺。在其上具有抗蚀剂的基质与所述的抗蚀剂脱除剂或抗蚀剂脱除组合物可脱除抗蚀剂。
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公开(公告)号：CN1244029A
公开(公告)日：2000-02-09
申请号：CN98123847.5
申请日：1998-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 一种抗蚀剂脱除方法和使用这种方法的抗蚀剂脱除设备。抗蚀剂脱除方法包括提供一种基材以及在该基材上形成抗蚀剂。然后将基材与含有N链烷醇烷氧基烷酰胺的抗蚀剂脱除剂接触,以便从基材上脱除抗蚀剂。另一方面,将基材与含有N链烷醇烷氧基烷酰胺和浸蚀抑制剂或者链烷醇胺和烷基烷氧基链烷酸酯的抗蚀剂脱除组合物接触。因为可用简单的方法在短时间内脱除抗蚀剂,以及因为可减小抗蚀剂脱除设备的尺寸,所以可提高半导体元件制造设备的生产率。
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