公开(公告)号：CN113471191A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110208949.0

申请日：2021-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞炫圭 ,  柳志秀 ,  朴在浩

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528

Abstract: 提供一种半导体装置。所述半导体装置包括在第一方向上彼此相邻的第一单元区域和填充区域。所述半导体装置包括：有源图案，在所述第一单元区域内部在所述第一方向上延伸；栅电极，在所述有源图案上在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；栅极接触，电连接到所述栅电极的上表面；源极/漏极接触，电连接到所述有源图案的源极/漏极区，所述源极/漏极接触与所述栅电极的一侧相邻；连接线路，在所述第一单元区域和所述填充区域上方在所述第一方向上延伸，并且电连接到所述栅极接触或所述源极/漏极接触中的一者；和填充线路，位于所述填充区域内部。还提供一种相关的布图设计方法以及制造方法。

公开(公告)号：CN110010049A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811508864.9

申请日：2018-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌柱 ,  朴在浩 ,  崔伦兢

IPC: G09G3/20

Abstract: 实施例涉及一种栅极驱动集成电路及其操作方法，其以被分为显示时段和触摸时段的时分方法操作。栅极驱动集成电路包括充电电路、栅极控制电路和放电电路。充电电路对存储器元件充电。放电电路使存储器元件放电。在显示时段期间，栅极控制电路基于充电的存储器元件向栅极线输出栅极导通电压。在触摸时段期间，栅极控制电路电将存储器元件从栅极控制电路断开。

公开(公告)号：CN104239596B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201410286292.X

申请日：2014-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋泰中 ,  朴在浩 ,  郑光钰

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5072 ,  G03F1/70 ,  G03F7/0035 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5077

Abstract: 本发明公开了一种双重图案化布局设计方法，该方法包括步骤：在原理电路上定义关键路径，所述关键路径包括第一路径和第二路径；以及定义双重图案化布局，所述双重图案化布局被划分成具有第一颜色的第一掩模布局和具有第二颜色的第二掩模布局，所述双重图案化布局与所述原理电路相对应。定义所述双重图案化布局的步骤包括在所述原理电路上锚定所述关键路径。

公开(公告)号：CN104241287B

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201410270479.0

申请日：2014-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋泰中 ,  朴在浩 ,  白康铉

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8239

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置。该半导体装置包括在基底上彼此相邻的第一存储单元区域和第二存储单元区域。至少一个有源基体和一个浅沟槽隔离件可以顺序地层叠在第一存储单元区域和第二存储单元区域之间的边界处。第一有源鳍和第二有源鳍形成在浅沟槽隔离件的相应的侧面上，第一有源鳍和第二有源鳍从有源基体突出。至少一个深沟槽隔离件形成在有源基体的一个侧面上。

公开(公告)号：CN104239596A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410286292.X

申请日：2014-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋泰中 ,  朴在浩 ,  郑光钰

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5072 ,  G03F1/70 ,  G03F7/0035 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5077

Abstract: 本发明公开了一种双重图案化布局设计方法，该方法包括步骤：在原理电路上定义关键路径，所述关键路径包括第一路径和第二路径；以及定义双重图案化布局，所述双重图案化布局被划分成具有第一颜色的第一掩模布局和具有第二颜色的第二掩模布局，所述双重图案化布局与所述原理电路相对应。定义所述双重图案化布局的步骤包括在所述原理电路上锚定所述关键路径。

公开(公告)号：CN103681865A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310445019.2

申请日：2013-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋泰中 ,  金奎泓 ,  朴在浩 ,  郑钟勋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/11 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/1104 ,  G11C11/412 ,  G11C11/419 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及一种鳍式场效应晶体管及其相关器件。该鳍式场效应晶体管可以包括鳍式场效应晶体管的源极区和漏极区。鳍式场效应晶体管的栅极可以横跨源极区与漏极区之间的鳍式场效应晶体管的鳍。第一硅化物层和第二硅化物层可以分别在源极区和漏极区上。第一硅化物层和第二硅化物层可以分别包括面对横跨鳍的栅极的第一表面和第二表面，其中，第一表面和第二表面的尺寸是不同的。

公开(公告)号：CN111490044B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN201911239542.3

申请日：2019-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在鹏 ,  朴在浩 ,  白尚训 ,  柳志秀 ,  李昇映 ,  郑钟勋

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 一种半导体器件包括第一组有源鳍和第一扩散防止图案。第一组有源鳍在第二方向上彼此间隔开，并且第一组有源鳍中的每一个在包括第一区域和第二区域在内的衬底的第一区域上沿与第二方向不同的第一方向延伸。第一扩散防止图案沿第二方向在衬底的第一区域上延伸穿过第一组有源鳍。第一组有源鳍包括第一有源鳍和第二有源鳍。第一扩散防止图案延伸穿过第一有源鳍在第一方向上的中央部分以划分第一有源鳍，并且延伸穿过并接触第二有源鳍在第一方向上的端部。

公开(公告)号：CN110010049B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN201811508864.9

申请日：2018-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌柱 ,  朴在浩 ,  崔伦兢

IPC: G09G3/20

Abstract: 实施例涉及一种栅极驱动集成电路及其操作方法，其以被分为显示时段和触摸时段的时分方法操作。栅极驱动集成电路包括充电电路、栅极控制电路和放电电路。充电电路对存储器元件充电。放电电路使存储器元件放电。在显示时段期间，栅极控制电路基于充电的存储器元件向栅极线输出栅极导通电压。在触摸时段期间，栅极控制电路电将存储器元件从栅极控制电路断开。

公开(公告)号：CN112466871A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202010940222.7

申请日：2020-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白尚训 ,  姜明吉 ,  朴在浩 ,  李昇映

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/118

Abstract: 一种集成电路包括第一有源区和第二有源区、在第一有源区和第二有源区上的第一标准单元和第二标准单元以及在第一标准单元和第二标准单元之间并包括第一绝缘隔离物和第二绝缘隔离物的填充单元。填充单元具有一个节距的尺寸。第一绝缘隔离物和第二绝缘隔离物彼此间隔开所述一个节距的尺寸。填充单元的第一绝缘隔离物设置在第一标准单元和填充单元之间的第一边界处。填充单元的第二绝缘隔离物设置在第二标准单元和填充单元之间的第二边界处。第一绝缘隔离物和第二绝缘隔离物将第一有源区的至少一部分分隔开，并将第二有源区的至少一部分分隔开。

公开(公告)号：CN102139714A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110021731.0

申请日：2011-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权雄 ,  朴重炅 ,  李柱锡 ,  卢昌贤 ,  李珉炯 ,  朴在浩 ,  金柱亨 ,  郭镐成

IPC: B62D57/032 ,  G05B19/418

CPC classification number: B62D57/032

Abstract: 在此公开一种仿人机器人及其步行控制方法，所述仿人机器人基于对关节扭矩的伺服控制来实现稳定的步行。所述仿人机器人利用传感器的测量值来计算关节位置轨迹补偿值和关节扭矩补偿值、利用计算出来的补偿值对关节位置轨迹和关节扭矩进行补偿并根据补偿后的关节扭矩来驱动安装到每个关节的电机。