-
公开(公告)号：CN103731718A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310467367.X
申请日：2013-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N21/431 , H04N21/435 , H04N5/14
CPC classification number: H04N21/4122 , H04H60/31 , H04H60/377 , H04H60/48 , H04H60/59 , H04N5/147 , H04N5/50 , H04N21/4383 , H04N21/44008 , H04N21/44222
Abstract: 提供用于检测其频道改变事件的显示装置和方法。所述用于检测频道改变事件的方法包含通过分析在显示装置上显示的图像帧检测多个频道改变特征的至少之一，并且使用如被检测的至少一个频道改变特征确定频道改变事件。
-
公开(公告)号：CN101714550A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910253069.4
申请日：2009-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/82 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L27/108
Abstract: 本发明提供了凹形沟道阵列晶体管、半导体器件及其制造方法。凹形沟道阵列晶体管可以包括衬底、栅极氧化层、栅极电极和源极/漏极区。衬底可以具有有源区和隔离区。凹槽可以形成在有源区中。栅极氧化层可以形成在凹槽和衬底上。栅极氧化层可以包括第一部分和在凹槽的侧表面上的第二部分，该第一部分在凹槽的侧端与有源区的侧壁之间的相交处上。第一部分的厚度可以大于第二部分的厚度的约70％。栅极电极可以形成在栅极氧化层上。源极/漏极区可以形成在衬底中。因此，凹形沟道阵列晶体管可以具有减小的泄漏电流和增大的导通电流。
-
公开(公告)号：CN1293452A
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN00134717.9
申请日：2000-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76235
Abstract: 提供了一种通过使沟道顶部边缘圆形化并增加沟道顶部边缘的氧化物量来防止驼峰现象和晶体管的反相窄宽度效应的沟道隔离结构,具有该结构的半导体器件以及沟道隔离方法。在该沟道隔离方法中,在半导体衬底的非作用区域内形成一个沟道。沟道内壁上形成厚度在10—150埃之间的内壁氧化物薄膜。在内壁氧化物薄膜的表面形成一个衬层。用介质薄膜填充沟道。蚀刻部分衬层,使得该氮化硅衬层的顶端可以从半导体衬底的表面凹进。
-
公开(公告)号：CN101426128B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200710165489.8
申请日：2007-10-30
Applicant: 三星电子株式会社 , 北京三星通信技术研究有限公司
IPC: H04N7/18 , G06T7/00 , G08B13/196
Abstract: 本发明提供了一种用于监视系统中的偷盗和遗失包裹检测系统及其检测方法，其中，所述偷盗和遗失包裹检测系统包括：图像捕获装置，用于监视关注的场景并为系统捕获新图像；场景模块，使用场景模型记录场景的历史；场景对比和模型更新模块，按照像素级别将新图像和场景模型进行比较，根据对比结果来更新场景模型，并利用被记载在像素模型中的时间信息来判断每个像素的状态，从而获得关注像素以构造标记图像，其中，每个像素的状态为背景、前景或关注；关注区域提取模块，利用时空信息提取指示发生了偷盗或遗失包裹事件的关注区域并输出该关注区域；显示单元，显示指示发生了偷盗事件或遗失包裹事件的关注区域。
-
公开(公告)号：CN101426128A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710165489.8
申请日：2007-10-30
Applicant: 三星电子株式会社 , 北京三星通信技术研究有限公司
IPC: H04N7/18 , G06T7/00 , G08B13/196
Abstract: 本发明提供了一种用于监视系统中的偷盗和遗失包裹检测系统及其检测方法，其中，所述偷盗和遗失包裹检测系统包括：图像捕获装置，用于监视关注的场景并为系统捕获新图像；场景模块，使用场景模型记录场景的历史；场景对比和模型更新模块，按照像素级别将新图像和场景模型进行比较，根据对比结果来更新场景模型，并利用被记载在像素模型中的时间信息来判断每个像素的状态，从而获得关注像素以构造标记图像，其中，每个像素的状态为背景、前景或关注；关注区域提取模块，利用时空信息提取指示发生了偷盗或遗失包裹事件的关注区域并输出该关注区域；显示单元，显示指示发生了偷盗事件或遗失包裹事件的关注区域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100456804C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200610136334.7
申请日：2006-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06T5/008 , G06K9/00248 , G06T2207/30041 , G06T2207/30201
Abstract: 一种面部图像补偿装置、介质和方法。所述面部图像补偿装置可包括：检测单元，在面部图像中检测眼部；提取单元，提取检测的眼部的特征信息；和补偿单元，根据提取的特征信息补偿检测的眼部。
-
公开(公告)号：CN1949822A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610136334.7
申请日：2006-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06T5/008 , G06K9/00248 , G06T2207/30041 , G06T2207/30201
Abstract: 一种面部图像补偿装置、介质和方法。所述面部图像补偿装置可包括：检测单元，在面部图像中检测眼部；提取单元，提取检测的眼部的特征信息；和补偿单元，根据提取的特征信息补偿检测的眼部。
-
公开(公告)号：CN1194400C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN00134717.9
申请日：2000-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76235
Abstract: 提供了一种通过使沟槽顶部边缘圆形化并增加沟槽顶部边缘的氧化物量来防止驼峰现象和晶体管的反相窄宽度效应的沟槽隔离结构，具有该结构的半导体器件以及沟槽隔离方法。在该沟槽隔离方法中，在半导体衬底的非有源区域内形成一个沟槽。沟槽内壁上形成厚度在10-150埃之间的内壁氧化物膜。在内壁氧化物膜的表面形成一个衬层。用介质膜填充沟槽。蚀刻部分衬层，使得该氮化硅衬层的顶端可以从半导体衬底的表面凹进。在沟槽的顶部边缘和半导体基底的表面上形成栅极氧化物膜，位于沟槽顶部边缘的栅极氧化物膜比位于半导体基底表面上的栅极氧化物膜厚，且与介质膜间隔开。
-
公开(公告)号：CN102957964B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201210227865.2
申请日：2012-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴泰绪
IPC: H04N21/435 , H04N21/431 , H04N21/254 , H04N21/266
CPC classification number: H04N21/4622 , H04H20/93 , H04N21/44008 , H04N21/8133
Abstract: 提供了一种广播信号接收器、提供广播信号相关信息的方法和服务器。提供了一种能够实时显示与广播信号对应的相关信息的广播信号接收器。
-
公开(公告)号：CN101714550B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN200910253069.4
申请日：2009-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/82 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L27/108
Abstract: 本发明提供了凹形沟道阵列晶体管、半导体器件及其制造方法。凹形沟道阵列晶体管可以包括衬底、栅极氧化层、栅极电极和源极/漏极区。衬底可以具有有源区和隔离区。凹槽可以形成在有源区中。栅极氧化层可以形成在凹槽和衬底上。栅极氧化层可以包括第一部分和在凹槽的侧表面上的第二部分，该第一部分在凹槽的侧端与有源区的侧壁之间的相交处上。第一部分的厚度可以大于第二部分的厚度的约70％。栅极电极可以形成在栅极氧化层上。源极/漏极区可以形成在衬底中。因此，凹形沟道阵列晶体管可以具有减小的泄漏电流和增大的导通电流。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.031 seconds)
