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公开(公告)号：CN110880535A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910823044.7
申请日：2019-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417
Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源鳍，其从衬底突出；第一栅极图案，其覆盖第一有源鳍的侧表面和顶表面；以及第一源极/漏极图案，其位于第一栅极图案的相对侧，第一源极/漏极图案中的每一个包括彼此间隔开的第一下侧和第二下侧、从第一下侧延伸的第一上侧、从第二下侧延伸的第二上侧。第一下侧可以相对于衬底的顶表面以第一角度倾斜，第二上侧可以相对于衬底的顶表面以第二角度倾斜，并且第一角度可以大于第二角度。
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公开(公告)号：CN101714550B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN200910253069.4
申请日：2009-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/82 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L27/108
Abstract: 本发明提供了凹形沟道阵列晶体管、半导体器件及其制造方法。凹形沟道阵列晶体管可以包括衬底、栅极氧化层、栅极电极和源极/漏极区。衬底可以具有有源区和隔离区。凹槽可以形成在有源区中。栅极氧化层可以形成在凹槽和衬底上。栅极氧化层可以包括第一部分和在凹槽的侧表面上的第二部分，该第一部分在凹槽的侧端与有源区的侧壁之间的相交处上。第一部分的厚度可以大于第二部分的厚度的约70％。栅极电极可以形成在栅极氧化层上。源极/漏极区可以形成在衬底中。因此，凹形沟道阵列晶体管可以具有减小的泄漏电流和增大的导通电流。
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公开(公告)号：CN112018179B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202010096134.3
申请日：2020-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：沟道图案，所述沟道图案包括堆叠在衬底上的第一半导体图案和第二半导体图案；栅电极，所述栅电极覆盖沟道图案的顶表面和侧表面并沿第一方向延伸，并且包括位于第一半导体图案与第二半导体图案之间的第一栅极段；栅极间隔物，所述栅极间隔物覆盖栅电极的侧表面，并且包括暴露沟道图案的开口；以及第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案位于栅极间隔物的侧部，并且通过开口与沟道图案接触，所述第一源极/漏极图案包括：在第一栅极段的高度处并且在开口的中心处的侧壁中心厚度；以及在第一栅极段的高度处并且在开口的边缘处的侧壁边缘厚度，侧壁边缘厚度为侧壁中心厚度的约0.7至1倍。
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公开(公告)号：CN108987477B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201810509771.1
申请日：2018-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 可以提供一种垂直隧穿场效应晶体管(VTFET)及其方法，所述VTFET包括：从包括源极/漏极区域的衬底突出的鳍结构；所述鳍结构上的外延生长的源极/漏极结构；包括柱部的帽，所述柱部覆盖所述外延生长的源极/漏极结构的侧表面并且部分覆盖所述鳍结构的上部的侧表面；栅极绝缘体，所述栅极绝缘体覆盖所述帽的所述柱部下方的所述鳍结构的侧表面的剩余部分；所述栅极绝缘体上的功函数金属栅极；以及分离图案，所述分离图案围绕鳍结构的下部使得所述功函数金属栅极垂直地位于所述帽与所述分离图案之间，所述分离图案将所述功函数金属栅极与所述源极/漏极区域电隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112018179A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010096134.3
申请日：2020-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：沟道图案，所述沟道图案包括堆叠在衬底上的第一半导体图案和第二半导体图案；栅电极，所述栅电极覆盖沟道图案的顶表面和侧表面并沿第一方向延伸，并且包括位于第一半导体图案与第二半导体图案之间的第一栅极段；栅极间隔物，所述栅极间隔物覆盖栅电极的侧表面，并且包括暴露沟道图案的开口；以及第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案位于栅极间隔物的侧部，并且通过开口与沟道图案接触，所述第一源极/漏极图案包括：在第一栅极段的高度处并且在开口的中心处的侧壁中心厚度；以及在第一栅极段的高度处并且在开口的边缘处的侧壁边缘厚度，侧壁边缘厚度为侧壁中心厚度的约0.7至1倍。
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公开(公告)号：CN110299358B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201910068503.5
申请日：2019-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该器件包括：从衬底突出的有源图案；多个栅极结构，每个栅极结构包括栅电极并交叉有源图案；以及在所述多个栅极结构之间的源极/漏极区域，其中源极/漏极区域包括与有源图案中的凹陷区域的底表面接触的高浓度掺杂层、与高浓度掺杂层的上表面和凹陷区域的侧壁接触的第一外延层、以及在第一外延层上的第二外延层，并且高浓度掺杂层具有与凹陷区域的底表面接触的第一区域以及与凹陷区域的侧壁接触的第二区域，第一区域比第二区域宽。
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公开(公告)号：CN112086515A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010500249.4
申请日：2020-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：绝缘层，位于基底上；沟道半导体图案，堆叠在绝缘层上并且彼此竖直地间隔开；栅电极，与沟道半导体图案交叉；源/漏区，分别处于栅电极的两侧处并且通过沟道半导体图案彼此连接，源/漏区具有凹入的底表面；以及气隙，位于绝缘层与源/漏区的底表面之间。
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公开(公告)号：CN110299358A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910068503.5
申请日：2019-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该器件包括：从衬底突出的有源图案；多个栅极结构，每个栅极结构包括栅电极并交叉有源图案；以及在所述多个栅极结构之间的源极/漏极区域，其中源极/漏极区域包括与有源图案中的凹陷区域的底表面接触的高浓度掺杂层、与高浓度掺杂层的上表面和凹陷区域的侧壁接触的第一外延层、以及在第一外延层上的第二外延层，并且高浓度掺杂层具有与凹陷区域的底表面接触的第一区域以及与凹陷区域的侧壁接触的第二区域，第一区域比第二区域宽。
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公开(公告)号：CN117878137A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311322829.9
申请日：2023-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：有源区域，包括第一部分和第二部分；隔离区域，位于有源区域的侧表面上；多个有源层，在有源区域的第一部分上沿竖直方向堆叠且彼此间隔开；外延结构，设置在有源区域的第二部分上，连接到所述多个有源层，并且在竖直方向上与隔离区域叠置；栅极结构，延伸以与有源区域交叉并且围绕所述多个有源层中的每个有源层；以及栅极间隔件，位于栅极结构的侧表面上。外延结构包括阻挡层和位于阻挡层上的源极/漏极结构，阻挡层包括多个有源阻挡部分和至少一个第一弯曲部分，所述多个有源阻挡部分分别接触所述多个有源层，所述至少一个第一弯曲部分从所述多个有源阻挡部分中的至少一个弯曲并延伸并且接触栅极间隔件。
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