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公开(公告)号：CN114447220A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111268571.X
申请日：2021-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置。提供硫属元素化合物层、包括其的开关器件、半导体器件、和/或半导体装置，所述硫属元素化合物层呈现出双向阈值开关特性。所述开关器件和/或所述半导体器件可包括两个或更多个具有不同能带隙的硫属元素化合物层。替代地，所述开关器件和/或半导体器件可包括在其厚度方向上具有如下的元素的浓度梯度的硫属元素化合物层：硼(B)、铝(Al)、钪(Sc)、锰(Mn)、锶(Sr)、和/或铟(In)。所述开关器件和/或半导体器件可在具有低的关断电流值(泄漏电流值)的同时呈现出稳定的开关特性。
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公开(公告)号：CN103681806A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310412779.3
申请日：2013-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/51 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/11556 , H01L29/42332 , H01L29/7889 , H01L29/7926 , H01L29/1033
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置和一种制造该半导体装置的方法。所述半导体装置具有竖直沟道并包括：第一隧道绝缘层，邻近于阻挡绝缘层；第三隧道绝缘层，邻近于沟道柱；第二隧道绝缘层，位于第一隧道绝缘层和第三隧道绝缘层之间。第三隧道绝缘层的能带间隙小于第一隧道绝缘层的能带间隙并大于第二隧道绝缘层的能带间隙。
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公开(公告)号：CN113921705A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110400679.3
申请日：2021-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种可变电阻存储装置包括：第一导电线，所述第一导电线在第一方向上延伸；第二导电线，所述第二导电线在第二方向上延伸并且在所述可变电阻存储装置的俯视图中与所述第一导电线交叉；以及单元结构，所述单元结构在所述俯视图中分别设置在所述第一导电线与所述第二导电线的交叉点处。每个所述单元结构包括开关图案、可变电阻图案以及设置在所述开关图案和所述第一导电线之间的第一电极，所述第一电极包含碳。每条所述第一导电线包括位于其上部的上图案，所述上图案包含金属氮化物。所述上图案与所述第一电极的底表面接触。
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公开(公告)号：CN103681806B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201310412779.3
申请日：2013-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11556 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/11556 , H01L29/42332 , H01L29/7889 , H01L29/7926
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置和一种制造该半导体装置的方法。所述半导体装置具有竖直沟道并包括：第一隧道绝缘层，邻近于阻挡绝缘层；第三隧道绝缘层，邻近于沟道柱；第二隧道绝缘层，位于第一隧道绝缘层和第三隧道绝缘层之间。第三隧道绝缘层的能带间隙小于第一隧道绝缘层的能带间隙并大于第二隧道绝缘层的能带间隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117596887A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311033290.5
申请日：2023-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/35 , H10B43/27 , H10B43/40 , H10B43/50 , H10B41/35 , H10B41/27 , H10B41/41 , H10B41/50 , H10B80/00
Abstract: 本公开涉及非易失性存储器件及其制造方法和存储器系统。非易失性存储器件包括：在第一方向上交替地堆叠彼此的顶部上的多个栅电极和多个绝缘图案；沿沟槽的侧壁形成的信息存储膜，其中，所述沟槽在所述第一方向上延伸穿过所述多个栅电极和所述绝缘图案；以及半导体图案，所述半导体图案形成在所述信息存储膜上，其中，所述半导体图案由多晶硅制成，所述多晶硅由第一单晶硅和第二单晶硅组成，其中，金属硅化物存在于所述第一单晶硅与所述第二单晶硅之间的晶界中，其中，所述金属硅化物除了存在于所述第一单晶硅与所述第二单晶硅之间的所述晶界中之外，不存在于所述第一单晶硅和所述第二单晶硅中。
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公开(公告)号：CN112397645A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010284475.3
申请日：2020-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00 , H01L43/08 , H01L27/11514 , H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L27/11597
Abstract: 本公开提供了制造交叉点型半导体存储器件的方法。一种制造交叉点型半导体存储器件的方法包括：形成字线和单元堆叠，间隙在单元堆叠之间；在该间隙中形成下间隙填充绝缘体；在下间隙填充绝缘体上形成上间隙填充绝缘体；固化下间隙填充绝缘体和上间隙填充绝缘体以形成间隙填充绝缘体；以及在单元堆叠和间隙填充绝缘体上形成位线。下间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第一源气体执行，上间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第二源气体执行，在第一源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以大于15：1，在第二源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以小于15：1。
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公开(公告)号：CN102201416B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110086496.5
申请日：2011-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/528 , H01L21/8247 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/42348 , H01L21/32137 , H01L27/0688 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/511 , H01L29/517 , H01L29/792 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种三维半导体装置及其制造方法。该三维半导体装置包括具有设置在基底上的顺序堆叠的电极的电极结构、穿透电极结构的半导体图案、包括设置在半导体图案和电极结构之间的第一图案和第二图案的存储元件，第一图案垂直延伸以横过电极，第二图案水平延伸以横过半导体图案。
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公开(公告)号：CN110858619B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910534229.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件可以包括：存储单元，包括设置在衬底上的第一电极、设置在第一电极上的可变电阻图案和设置在可变电阻图案上的第二电极；选择图案，设置在存储单元上；以及覆盖结构，覆盖选择图案的侧壁。覆盖结构可以包括顺序堆叠在选择图案的至少一个侧壁上的第一覆盖图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案可以是硅图案，第二覆盖图案可以包括氮化物。
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公开(公告)号：CN110858623B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201910782346.4
申请日：2019-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B63/00
Abstract: 一种可变电阻存储器件可以包括：沿第一方向延伸的多条第一导线；沿第二方向延伸的多条第二导线；多个存储单元，相对于自上而下的视图，每个存储单元在第一导线中的相应一条与第二导线中的相应一条之间的各交叉点处，每个存储单元包括夹在顶部电极和底部电极之间的可变电阻结构和开关元件；和第一电介质层，填充存储单元的开关元件之间的空间。第一电介质层的顶表面设置在存储单元的顶部电极的底表面和顶表面之间。
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