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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117276295A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310732985.6
申请日：2023-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，其具有相对的第一表面和第二表面，并且包括在第一方向上布置的第一单位像素至第三单位像素，以及在衬底中以及在第一单位像素至第三单位像素中的分离的邻近的单位像素之间并且将邻近的单位像素彼此分离的第一像素分离部分和第二像素分离部分。第一像素分离部分包括第一导电图案和覆盖第一导电图案的侧壁的第一分离绝缘图案。第二像素分离部分包括第二导电图案和覆盖第二导电图案的侧壁的第二分离绝缘图案。第一导电图案在第一方向上具有第一宽度，第二导电图案在第一方向上具有小于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN114649352A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111366247.1
申请日：2021-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。该图像传感器包括传感器芯片以及传感器芯片上的逻辑芯片。传感器芯片包括第一基底、上接合层和第一布线层，逻辑芯片包括第二基底、下接合层和第二布线层。上接合层与下接合层彼此接触，其中，上接合层包括上介电层、上导电垫、上屏蔽结构及上布线线，并且下接合层包括下介电层、下导电垫、下屏蔽结构以及下布线线。上布线线、上导电垫和上屏蔽结构连接成一个主体，下布线线、下导电垫和下屏蔽结构连接成一个主体，上导电垫和下导电垫彼此叠置并接触，并且上布线线和下布线线彼此叠置并接触。
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公开(公告)号：CN109962045B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201811195151.1
申请日：2018-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L27/144
Abstract: 一种半导体器件包括在下基板上的下绝缘层、在下绝缘层内部的下焊盘结构、在下绝缘层上的上绝缘层、在上绝缘层内部的上焊盘结构、以及在上绝缘层上的上基板。通路插塞穿过上基板、上绝缘层和下绝缘层中的每个的至少一部分，并且与上焊盘结构和下焊盘结构接触。上焊盘结构包括多个上焊盘导电层和在上焊盘导电层之间的上连接层。上连接层包括导电图案，该导电图案具有与上焊盘导电层中的至少一个的形状不同的形状。通路插塞与上焊盘导电层和上连接层直接接触。
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公开(公告)号：CN114566513A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202111423302.6
申请日：2021-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种图像传感器，包括：衬底，在该衬底中包括：像素区，该像素区包括多个单元像素；光学阻挡区，位于像素区的外部；以及对准键区，位于像素区的外部，衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在衬底的第一表面下方的互连结构；在衬底的像素区中的光电转换元件；在衬底的第二表面上的绝缘层；在像素区和对准键区中的绝缘层上的网格层；键图案层，位于设置在对准键区中的绝缘层与设置在对准键区中的网格层之间，键图案层包括突出区以对应于网格层；以及在像素区中的绝缘层和网格层上的滤色器。
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公开(公告)号：CN109962045A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811195151.1
申请日：2018-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L27/144
Abstract: 一种半导体器件包括在下基板上的下绝缘层、在下绝缘层内部的下焊盘结构、在下绝缘层上的上绝缘层、在上绝缘层内部的上焊盘结构、以及在上绝缘层上的上基板。通路插塞穿过上基板、上绝缘层和下绝缘层中的每个的至少一部分，并且与上焊盘结构和下焊盘结构接触。上焊盘结构包括多个上焊盘导电层和在上焊盘导电层之间的上连接层。上连接层包括导电图案，该导电图案具有与上焊盘导电层中的至少一个的形状不同的形状。通路插塞与上焊盘导电层和上连接层直接接触。
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