公开(公告)号：CN114566513A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202111423302.6

申请日：2021-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁英宇 ,  具俊谟 ,  金真杓 ,  朴葰颖 ,  李应揆 ,  赵廷来

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供一种图像传感器，包括：衬底，在该衬底中包括：像素区，该像素区包括多个单元像素；光学阻挡区，位于像素区的外部；以及对准键区，位于像素区的外部，衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在衬底的第一表面下方的互连结构；在衬底的像素区中的光电转换元件；在衬底的第二表面上的绝缘层；在像素区和对准键区中的绝缘层上的网格层；键图案层，位于设置在对准键区中的绝缘层与设置在对准键区中的网格层之间，键图案层包括突出区以对应于网格层；以及在像素区中的绝缘层和网格层上的滤色器。

公开(公告)号：CN119630089A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411086353.8

申请日：2024-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁英宇 ,  金秀彦 ,  Y·S·金 ,  成灿贤

IPC: H10F39/18

Abstract: 提供了图像传感器和用于制造该图像传感器的方法。图像传感器包括：衬底，其包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一像素组，其位于衬底中，第一像素组包括第一单位像素、第二单位像素、第三单位像素、以及第四单位像素；光电转换区域，其位于第一单位像素至第四单位像素中的每一个中；第一隔离沟槽，其位于衬底中，第一隔离沟槽围绕第一像素组；第二隔离沟槽，其位于衬底中，第二隔离沟槽位于第一单位像素与第四单位像素之间以及第二单位像素与第三单位像素之间，其中，第二隔离沟槽与衬底的第二表面接触；以及第一滤色器，其位于衬底的第二表面上，第一滤色器覆盖第一像素组。

公开(公告)号：CN113013184B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202011186699.7

申请日：2020-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晋永 ,  金毅烈 ,  白铉敏 ,  李廷好 ,  丁英宇 ,  郑熙根

IPC: H10F39/12 ,  H10F39/18

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，具有第一表面和相对的第二表面，并且包括分别具有光电转换区域的单位像素；半导体图案，设置在限定单位像素的第一沟槽中，半导体图案包括设置在第一沟槽的内表面上的第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层；以及第一接触部，设置在第二表面上并连接到半导体图案。第一半导体层距第一沟槽的底表面的高度小于第二半导体层距第一沟槽的底表面的高度。

公开(公告)号：CN114823754A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210043691.8

申请日：2022-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁英宇 ,  金秀彦 ,  金汉锡 ,  郑熙根

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括像素区域；绝缘结构，位于基底上；网格图案结构，位于绝缘结构上；滤色器，位于绝缘结构上；以及微透镜，位于滤色器上。网格图案结构包括第一图案部分和第二图案部分。第一图案部分包括位于绝缘结构上的第一材料图案和位于第一材料图案上的第二材料图案。第一材料图案由第一材料形成，并且第二材料图案和第二图案部分由第二材料形成。第一图案部分包括平行的第一水平直线部分以及平行的第一竖直直线部分，并且第二图案部分中的每个包括平行于第一水平直线部分的第二水平直线部分以及平行于第一竖直直线部分的第二竖直直线部分。

公开(公告)号：CN113013184A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011186699.7

申请日：2020-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晋永 ,  金毅烈 ,  白铉敏 ,  李廷好 ,  丁英宇 ,  郑熙根

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，具有第一表面和相对的第二表面，并且包括分别具有光电转换区域的单位像素；半导体图案，设置在限定单位像素的第一沟槽中，半导体图案包括设置在第一沟槽的内表面上的第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层；以及第一接触部，设置在第二表面上并连接到半导体图案。第一半导体层距第一沟槽的底表面的高度小于第二半导体层距第一沟槽的底表面的高度。