公开(公告)号：CN112786581A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202010840467.2

申请日：2020-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庭镇 ,  金珉修 ,  金雅凛

IPC: H01L27/02 ,  G06F30/392

Abstract: 本公开涉及一种混合标准单元，该混合标准单元包括半导体衬底、第一电力轨、第二电力轨、高速晶体管区域和低功率晶体管区域。第一电力轨和第二电力轨形成在半导体衬底上方，在第一方向上延伸，并且在垂直于第一方向的第二方向上顺序地布置。高速晶体管区域和低功率晶体管区域在第一方向上彼此相邻，并且布置在第一电力轨和第二电力轨之间的行区域中。形成在高速晶体管区域中的高速晶体管的操作速度高于形成在低功率晶体管区域中的低功率晶体管的操作速度，并且低功率晶体管的功耗低于高速晶体管的功耗。

公开(公告)号：CN115459743A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202210642371.4

申请日：2022-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李荣浯 ,  金珉修 ,  李庭镇 ,  崔源显

IPC: H03K3/011 ,  H03K3/012 ,  H03K3/037

Abstract: 一种基于脉冲的触发器电路包括：脉冲生成器，其生成脉冲信号和反相脉冲信号；扫描保持缓冲器，其将扫描输入信号保持延迟时间；以及锁存器电路，其包括响应于扫描使能信号、脉冲信号和反相脉冲信号接收数据信号和扫描输入信号之一的中间节点。脉冲生成器电路包括：直接路径，其将时钟信号作为直接路径输入提供至NAND电路；延迟路径，其包括被配置为延迟时钟信号并且将延迟的时钟信号作为延迟路径输入提供至NAND电路的数个级，其中，NAND电路对直接路径输入和延迟路径输入执行NAND操作，以生成反相脉冲信号；以及反馈路径，其将脉冲信号提供至延迟路径的数个级中的第一级。