公开(公告)号：CN114068559A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110869424.1

申请日：2021-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仁学 ,  李承勋 ,  白尚叶 ,  朴乘汉 ,  李慧珍

IPC: H01L27/11 ,  H01L27/02 ,  G11C5/06

Abstract: 一种包括存储单元的集成电路包括：第一布线层，其上形成第一位线图案和正电源图案、第一电源线落着焊盘和第一字线落着焊盘；第二布线层，其上形成连接到第一电源线落着焊盘的第一负电源图案和连接到第一字线落着焊盘的第一字线图案；第三布线层，其上形成连接到第一负电源图案的第二负电源图案和连接到第一字线图案的第二字线落着焊盘；以及第四布线层，其上形成连接到第二字线落着焊盘的第二字线图案。

公开(公告)号：CN117500264A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310941325.9

申请日：2023-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承勋 ,  尹锡玄 ,  李教旭 ,  李慧珍

IPC: H10B10/00

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；SRAM单元，其包括衬底上的通过栅极晶体管、下拉晶体管和上拉晶体管。SRAM单元包括在第一方向上延伸的有源鳍，通过栅极晶体管和下拉晶体管在第一方向上在有源鳍上邻近于彼此设置，通过栅极晶体管包括：第一沟道层、第一栅电极、第一源极/漏极区和第一内间隔件，下拉晶体管包括第二沟道层、第二栅电极、第二源极/漏极区和第二内间隔件，并且第一内间隔件之一和第二内间隔件之一设置在相同的高度水平上并且在第一方向上具有不同的厚度。