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公开(公告)号：CN109494157B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201811062733.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 一种制造半导体器件的方法和一种半导体器件，该方法包括：在衬底上形成有源图案，使得有源图案包括交替地且重复地堆叠在衬底上的牺牲图案和半导体图案；以及通过执行氧化工艺，在每个牺牲图案的两侧形成第一间隔物图案，其中第一间隔物图案对应于每个牺牲图案的氧化部分，其中牺牲图案包括包含杂质的第一半导体材料，其中半导体图案包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，以及其中杂质包括与第一半导体材料和第二半导体材料的半导体元素不同的元素。
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公开(公告)号：CN110945584A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048401.0
申请日：2018-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G10L25/87 , G06F1/3231 , G06F3/041 , G10L15/18 , G10L15/22 , H04R1/02 , G10L15/04 , G10L15/28 , H04R1/08 , G06F1/16 , G06F3/0488 , G06F3/16
Abstract: 电子设备包括：扬声器；麦克风；通信电路；可操作地连接到扬声器、麦克风和通信电路的处理器；以及可操作地连接到处理器的存储器。存储器存储有指令，该指令在被执行时使处理器：接收激活智能系统的用户输入；至少部分地基于电子设备的状态来确定通过麦克风接收用户话语的持续时间的至少一部分；在接收到用户输入之后通过麦克风接收第一用户话语；通过通信电路将与第一用户话语相关联的第一数据发送到外部服务器；以及通过通信电路从外部服务器接收第一响应。第一响应是至少部分地基于第一数据而生成的。
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公开(公告)号：CN103579500B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201310349372.0
申请日：2013-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/08 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/145
Abstract: 本发明提供了电阻开关材料元件以及采用该电阻开关材料元件的器件。电阻开关材料元件包括设置在第一电极与第二电极之间的电阻开关材料层以及设置在电阻开关材料层与第一和第二电极中的任一个之间的自整流层。
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公开(公告)号：CN102298970B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201110043409.8
申请日：2011-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/32
Abstract: 本发明公开了一种可变电阻器件及半导体装置以及该半导体装置的操作方法。包括可变电阻器件的半导体装置的操作方法包括：通过施加重置脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第一电阻状态切换到第二电阻状态，写入第一数据到半导体装置；以及通过施加设定脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第二电阻状态切换到第一电阻状态，写入第二数据到半导体装置。重置脉冲电压高于设定脉冲电压，第二电阻状态的电阻大于第一电阻状态的电阻。
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公开(公告)号：CN105138657A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510548769.1
申请日：2008-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04M1/72522 , G06F16/164 , H04M1/72555 , H04M2250/52 , H04N1/00307 , H04N1/2104 , H04N2201/0087 , H04N2201/3229 , H04N2201/328
Abstract: 提供一种在移动终端中存储数据的方法和设备，这种方法和设备是在移动终端中将图像存储在与文件名相应的存储文件夹中的方法和设备。该方法包括：通过分析将被存储的数据的文件名来检测关键字；将该数据存储在与所述关键字相应的存储文件夹中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102832337A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210113464.4
申请日：2012-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1658 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供多位存储元件、包括多位存储元件的存储装置及其制造方法。所述存储元件可包括存储层和为存储层提供多位存储特性的辅助层。存储层可具有包括第一材料层和第二材料层的多层结构，并可因第一材料层和第二材料层之间的离子物种的移动而具有电阻变化特性。第一材料层可为供氧层，而第二材料层可为氧交换层。辅助层可包含氧化物。例如，辅助层可包含氧化硅层。可用金属至少部分地掺杂辅助层和/或存储层。例如，所述金属可以是钨。
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公开(公告)号：CN102568582A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110390449.X
申请日：2011-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0064 , G11C2013/0073
Abstract: 一种操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法，该方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以使得将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为不同于第一电阻值的第二电阻值；感测流过施加了第一电压的可变电阻器件的第一电流；确定第一电流是否属于第一电流范围；以及如果第一电流不属于第一电流范围，则向可变电阻器件施加等于第一电压的附加第一电压。
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公开(公告)号：CN102298970A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110043409.8
申请日：2011-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/32
Abstract: 本发明公开了一种可变电阻器件及半导体装置以及该半导体装置的操作方法。包括可变电阻器件的半导体装置的操作方法包括：通过施加重置脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第一电阻状态切换到第二电阻状态，写入第一数据到半导体装置；以及通过施加设定脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第二电阻状态切换到第一电阻状态，写入第二数据到半导体装置。重置脉冲电压高于设定脉冲电压，第二电阻状态的电阻大于第一电阻状态的电阻。
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公开(公告)号：CN109494157A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811062733.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66818 , H01L21/28132 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L29/78696 , H01L29/7854 , H01L29/0653 , H01L29/66795
Abstract: 一种制造半导体器件的方法和一种半导体器件，该方法包括：在衬底上形成有源图案，使得有源图案包括交替地且重复地堆叠在衬底上的牺牲图案和半导体图案；以及通过执行氧化工艺，在每个牺牲图案的两侧形成第一间隔物图案，其中第一间隔物图案对应于每个牺牲图案的氧化部分，其中牺牲图案包括包含杂质的第一半导体材料，其中半导体图案包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，以及其中杂质包括与第一半导体材料和第二半导体材料的半导体元素不同的元素。
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公开(公告)号：CN107546258A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710479728.0
申请日：2017-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/092 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/0669 , H01L29/1033 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 一种半导体器件包括：第一多沟道有源图案，其从衬底突出并具有第一高度；第二多沟道有源图案，其在衬底上、与衬底间隔开、并具有小于第一高度的第二高度；以及栅电极，其在衬底上、交叉第一多沟道有源图案和第二多沟道有源图案。
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