公开(公告)号：CN117202666A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310661589.9

申请日：2023-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  文泰欢 ,  南胜杰 ,  李泫宰 ,  崔德铉

IPC: H10B53/40 ,  H10B53/20 ,  H10B53/30

Abstract: 本公开提供了存储器件以及包括该存储器件的电子装置。一种存储器件包括：多个栅电极，在第一方向上彼此间隔开；存储层，包括在垂直于第一方向的第二方向上突出和延伸以分别面对所述多个栅电极的多个存储区域；多个第一绝缘层，在所述多个栅电极之间延伸到在所述多个存储区域之间的空间；沟道层，设置在存储层和所述多个栅电极之间，沟道层具有包括围绕所述多个存储区域的多个第一区域和在第一方向上将所述多个第一区域彼此连接的第二区域的形状；以及栅极绝缘层，布置在沟道层和所述多个栅电极之间。

公开(公告)号：CN119835966A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411422411.X

申请日：2024-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南胜杰 ,  柳时正 ,  李珉贤 ,  李泫宰 ,  崔硕训

IPC: H10D30/60 ,  H10D62/10 ,  H10B51/30

Abstract: 提供了一种半导体器件及包括该半导体器件的存储设备和电子设备。该半导体器件可以包括栅极电极、在栅极电极上的铁电层、在铁电层上的沟道层以及在铁电层中彼此间隔开的多个纳米结构。所述多个纳米结构可以与栅极电极或者沟道层相邻，或者所述多个纳米结构中的一部分可以与栅极电极相邻且所述多个纳米结构中的其余部分可以与沟道层相邻。

公开(公告)号：CN117355142A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310792448.0

申请日：2023-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  文泰欢 ,  南胜杰 ,  李泫宰

IPC: H10B51/30 ,  H10B51/20

Abstract: 一种三维(3D)铁电存储器件可以包括堆叠在衬底上的多个栅电极、与所述多个栅电极接触的多个铁电层、与所述多个铁电层接触的多个中间电极、与所述多个中间电极接触的栅极绝缘层、以及与栅极绝缘层接触的沟道层。中间电极的宽度可以大于铁电层与中间电极接触的宽度。

公开(公告)号：CN118401010A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410108648.4

申请日：2024-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔德铉 ,  许镇盛 ,  李泫宰 ,  南胜杰 ,  朴允相 ,  柳时正

IPC: H10B51/30 ,  H10B53/30 ,  G11C11/22

Abstract: 提供存储器器件、存储器器件的操作方法和存储器设备。存储器器件包括半导体基底、设置在半导体基底上的栅电极、以及在垂直于半导体基底的第一方向上层叠在半导体基底和栅电极之间并且包括至少一个第一铁电层和至少一个第二铁电层的多个铁电层。第一铁电层具有其中掺杂浓度在第一方向上增加的掺杂浓度梯度，并且第二铁电层具有其中掺杂浓度在第一方向上减少的掺杂浓度梯度。存储器器件配置为根据操作电压实施多位。

公开(公告)号：CN116632042A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310180204.7

申请日：2023-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文泰欢 ,  崔悳铉 ,  许镇盛 ,  李泫宰

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  G06N3/06 ,  G06N3/0464

Abstract: 提供了铁电场效应晶体管、神经网络装置和电子装置。铁电场效应晶体管包括：基板；源极，在第一方向上从基板的上表面突出；漏极，在第一方向上从基板的上表面突出；沟道，与基板的上表面间隔开并在源极和漏极之间在不同于第一方向的第二方向上延伸；铁电膜，围绕沟道的外周表面；以及栅电极，围绕铁电膜，其中沟道具有拥有不同的曲率的弯曲的剖面。

公开(公告)号：CN118057934A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311486990.X

申请日：2023-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南胜杰 ,  许镇盛 ,  李泫宰 ,  崔德铉

IPC: H10B51/20

Abstract: 提供了一种三维(3D)铁电存储器件。3D铁电存储器件包括衬底、堆叠在衬底上的多个绝缘层、在所述多个绝缘层之间的多个栅电极、与所述多个栅电极接触的多个栅极绝缘层、与所述多个栅极绝缘层接触的多个中间电极、与所述多个中间电极和所述多个绝缘层接触的铁电层、以及与铁电层接触的沟道层。

公开(公告)号：CN116341631A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211611441.6

申请日：2022-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文泰欢 ,  许镇盛 ,  南胜杰 ,  裵鹤烈 ,  李泫宰

IPC: G06N3/063 ,  G11C11/22 ,  G06N3/0464

Abstract: 提供了一种神经网络设备，其包括在第一方向上延伸的多条字线、在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多条位线、以及布置在多条字线和多条位线彼此交叉的点处的多个存储器单元。多个存储器单元中的每个存储器单元包括沿着与多个存储器单元中的每个存储器单元相对应的字线并联连接的至少两个铁电存储器。

公开(公告)号：CN115832029A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211134088.7

申请日：2022-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南胜杰 ,  李泫宰 ,  崔悳铉 ,  许镇盛

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一源极/漏极区；第二源极/漏极区；在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间的沟道；在沟道上的界面绝缘层；在界面绝缘层上的铁电层；以及在铁电层上的栅电极，其中，当界面绝缘层的介电常数的数值为K并且铁电层的剩余极化的数值为Pr时，界面绝缘层的材料和铁电层的材料被选择为使得K/Pr为1或更大。

公开(公告)号：CN119855191A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411421293.0

申请日：2024-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳时正 ,  南胜杰 ,  金东勋 ,  李泫宰 ,  崔德铉 ,  崔硕训

IPC: H10D30/60 ,  H10D62/10 ,  H10D62/60 ,  H10D64/68 ,  H10B51/30 ,  G06N3/065

Abstract: 本发明涉及铁电场效应晶体管、存储器器件和神经网络器件。铁电场效应晶体管包括：沟道、设置为面向所述沟道的栅电极、设置在所述沟道和所述栅电极之间的铁电层、设置在所述沟道和所述铁电层之间的界面层、以及设置在所述铁电层和所述栅电极之间的扩散阻挡层，其中所述扩散阻挡层包括SiON，所述扩散阻挡层具有从所述扩散阻挡层的面向所述栅电极的第一表面朝向所述扩散阻挡层的面向所述铁电层的第二表面逐渐降低的氧浓度梯度，并且扩散阻挡层可具有从所述第一表面朝向所述第二表面逐渐增加的氮浓度梯度。

公开(公告)号：CN119835967A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411424658.5

申请日：2024-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泫宰 ,  南胜杰 ,  金东勋 ,  柳时正 ,  崔德铉

IPC: H10D30/60 ,  H10D64/68 ,  H10B51/30

Abstract: 提供了一种半导体器件和包括该半导体器件的电子装置，包括包含半导体材料的沟道层、布置在沟道层上并且包括铁电材料的铁电层、布置在铁电层上的栅电极、布置在铁电层和栅电极之间并且包括第一顺电材料的第一插入层、以及布置在沟道层和铁电层之间并且包括第二顺电材料的第二插入层，第二顺电材料具有高于第一顺电材料的介电常数的介电常数。