公开(公告)号：CN114551719A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111419151.7

申请日：2021-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  文泰欢 ,  裵鹤烈 ,  南胜杰 ,  金尚昱 ,  李光熙

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件、包括该半导体器件的半导体装置、以及包括该半导体器件的电子设备。该半导体装置包括多个半导体器件。半导体器件均在两个电极之间包括铁电层、导电金属氧化物层和半导体层。导电金属氧化物层可以在铁电层和半导体层之间。铁电层、导电金属氧化物层和半导体层可以都包括金属氧化物。导电金属氧化物层可以包括从由铟氧化物、锌氧化物、锡氧化物及其任意组合组成的组中选择的一种或更多种材料。

公开(公告)号：CN113097303A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202010939673.9

申请日：2020-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文泰欢 ,  李银河 ,  金正华 ,  李香淑 ,  赵常玹 ,  许镇盛

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11502

Abstract: 提供了包括具有被调整的晶向的电介质层的电子器件、制造该电子器件的方法和包括该电子器件的存储器件。该电子器件包括提供在衬底上的籽晶层和提供在籽晶层上的电介质层。籽晶层包括具有被配向的晶向的晶粒。电介质层包括具有配向在与籽晶层的晶向相同的方向上的晶向的晶粒。

公开(公告)号：CN116341631A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211611441.6

申请日：2022-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文泰欢 ,  许镇盛 ,  南胜杰 ,  裵鹤烈 ,  李泫宰

IPC: G06N3/063 ,  G11C11/22 ,  G06N3/0464

Abstract: 提供了一种神经网络设备，其包括在第一方向上延伸的多条字线、在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多条位线、以及布置在多条字线和多条位线彼此交叉的点处的多个存储器单元。多个存储器单元中的每个存储器单元包括沿着与多个存储器单元中的每个存储器单元相对应的字线并联连接的至少两个铁电存储器。

公开(公告)号：CN117202666A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310661589.9

申请日：2023-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  文泰欢 ,  南胜杰 ,  李泫宰 ,  崔德铉

IPC: H10B53/40 ,  H10B53/20 ,  H10B53/30

Abstract: 本公开提供了存储器件以及包括该存储器件的电子装置。一种存储器件包括：多个栅电极，在第一方向上彼此间隔开；存储层，包括在垂直于第一方向的第二方向上突出和延伸以分别面对所述多个栅电极的多个存储区域；多个第一绝缘层，在所述多个栅电极之间延伸到在所述多个存储区域之间的空间；沟道层，设置在存储层和所述多个栅电极之间，沟道层具有包括围绕所述多个存储区域的多个第一区域和在第一方向上将所述多个第一区域彼此连接的第二区域的形状；以及栅极绝缘层，布置在沟道层和所述多个栅电极之间。

公开(公告)号：CN115939195A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210916857.2

申请日：2022-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  李香淑 ,  赵常玹 ,  南胜杰 ,  文泰欢 ,  裵鹤烈 ,  李银河 ,  李准浩

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种电子器件，该电子器件包括：衬底，包括源极、漏极以及在源极和漏极之间的沟道；栅电极，布置在衬底上方并面向沟道，栅电极在第一方向上与沟道隔开；以及在沟道和栅电极之间的铁电薄膜结构，该铁电薄膜结构包括在第一方向上从沟道起顺序布置的第一铁电层、包括电介质材料的结晶阻挡层、和第二铁电层。第一铁电层的晶粒的尺寸的平均值可以小于或等于第二铁电层的晶粒的尺寸的平均值，并且由于小的晶粒，可以改善性能的离散。

公开(公告)号：CN114447223A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111298883.5

申请日：2021-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  南胜杰 ,  裵鹤烈 ,  文泰欢 ,  赵常玹

IPC: H01L49/02 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1159

Abstract: 提供了一种包括铁电层和两个或更多个电极层的铁电半导体器件和包括其的半导体装置。该半导体器件可以包括第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层具有比铁电层的热膨胀系数小的热膨胀系数。第二电极层的热膨胀系数和铁电层的热膨胀系数之间的差异可以大于第一电极层的热膨胀系数和铁电层的热膨胀系数之间的差异。第二电极层可以具有比第一电极层的厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN113497130A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202011277444.1

申请日：2020-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文泰欢 ,  申建旭 ,  许镇盛

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及电子器件、其制造方法、和存储设备。公开了具有相对较小的漏电流的半导体器件和电容器。所述半导体器件包括半导体层、设置在半导体层上的氧化物层、和设置在氧化物层上的金属层，并且氧化物层中的氢浓度为约0.7原子％或更高。

公开(公告)号：CN116632042A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310180204.7

申请日：2023-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文泰欢 ,  崔悳铉 ,  许镇盛 ,  李泫宰

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  G06N3/06 ,  G06N3/0464

Abstract: 提供了铁电场效应晶体管、神经网络装置和电子装置。铁电场效应晶体管包括：基板；源极，在第一方向上从基板的上表面突出；漏极，在第一方向上从基板的上表面突出；沟道，与基板的上表面间隔开并在源极和漏极之间在不同于第一方向的第二方向上延伸；铁电膜，围绕沟道的外周表面；以及栅电极，围绕铁电膜，其中沟道具有拥有不同的曲率的弯曲的剖面。

公开(公告)号：CN115440805A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210624256.4

申请日：2022-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔悳铉 ,  许镇盛 ,  文泰欢 ,  赵常玹

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种薄膜结构、包括该薄膜结构的半导体器件和包括该半导体器件的半导体装置。薄膜结构包括基板和在基板上的铁电层。铁电层包括具有萤石结构的化合物，其中 晶向在基板的法线方向上取向，并且具有正交相并包含氟。铁电层可以具有铁电性。

公开(公告)号：CN113345795A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202011319958.9

申请日：2020-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李润姓 ,  许镇盛 ,  金尚昱 ,  文泰欢 ,  赵常玹

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 提供一种铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件，该铁电薄膜结构包括半导体基板、在半导体基板上的第一铁电层和在半导体基板上的第二铁电层。第二铁电层与第一铁电层间隔开并具有与第一铁电层不同的介电常数。第一铁电层和第二铁电层可以在其中包含的掺杂剂的量方面彼此不同，并可以在应用于晶体管时表现出不同的阈值电压。