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公开(公告)号：CN108206033A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711074876.0
申请日：2017-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/06
CPC classification number: H01L23/5225 , G11C7/06 , G11C7/1057 , G11C11/4087 , G11C11/4091 , G11C11/4097 , H01L23/50 , H01L23/5226 , H01L23/5286 , H01L23/552 , H01L24/06 , H01L24/20 , H01L2224/02331 , H01L2224/02373 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/04105 , H01L2224/06155 , H01L2224/06159 , H01L2224/12105 , H01L2924/18162 , H01L2924/3025 , G11C5/063
Abstract: 一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：形成在存储器单元阵列区域的第一列导电层中并在列方向上延伸的列选择信号线，形成在存储器单元阵列区域中与第一列导电层不同的第二列导电层中并且在列方向上延伸的全局输入输出数据线，以及形成在存储器单元阵列区域中第一列导电层和第二列导电层之间的屏蔽导电层中的电源线。通过在不同列导电层中形成列选择信号线和全局输入输出数据线并在列导电层之间的屏蔽导电层中形成电源线，可以减少信号线和电源线中的噪声，并且可以增强存储器件的性能。
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公开(公告)号：CN115512739A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210376020.3
申请日：2022-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种子字线驱动器及包括其的半导体存储器件。所述子字线驱动器可以包括字线上拉晶体管、字线下拉晶体管和被配置为使字线维持在指定电压电平的保持晶体管。所述子字线驱动器可以包括：外围有源区域，所述外围有源区域位于衬底上；第一外围栅电极，所述第一外围栅电极对应于所述字线下拉晶体管的栅极节点并且位于所述外围有源区域上；第二外围栅电极，所述第二外围栅电极对应于所述保持晶体管的栅极节点并且位于所述外围有源区域上；以及第一下接触，所述第一下接触耦接到所述外围有源区域的第一区域。来自所述第一区域的第一(VBB)电压可以被供应给所述保持晶体管的源极节点。
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公开(公告)号：CN119025021A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410529809.7
申请日：2024-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06 , H01L27/02 , H01L23/552 , H10B80/00
Abstract: 提供了半导体存储器装置和半导体封装件。半导体存储器装置包括：存储器单元阵列；第一I/O焊盘至第四I/O焊盘，其位于存储器单元阵列下方，并被配置为与外部装置连接；以及第一I/O驱动模块至第四I/O驱动模块，其位于存储器单元阵列与第一I/O焊盘至第四I/O焊盘之间，并被配置为分别驱动第一I/O焊盘至第四I/O焊盘。在平面图中，第一I/O驱动模块和第二I/O驱动模块关于在第一方向上延伸的第一线对称地设置，第三I/O驱动模块和第四I/O驱动模块关于第一线对称地设置，第一I/O驱动模块和第三I/O驱动模块关于在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二线对称地设置，并且第二I/O驱动模块和第四I/O驱动模块关于第二线对称地设置。
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公开(公告)号：CN114171079A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111044466.8
申请日：2021-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/4094 , H01L27/108
Abstract: 一种集成电路装置，包括被配置为读出位线的电压变化的读出放大器，其中，读出放大器包括：读出放大器单元，其连接到位线和互补位线，被配置为响应于控制信号读出位线的电压变化，被配置为基于读出的电压变化调整读出位线和互补读出位线的电压，并且包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管；以及第一偏移消除单元，其响应于偏移消除信号将位线连接到互补读出位线，并且包括布置在第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管之间的第一偏移消除晶体管，其中，第一偏移消除晶体管与第一NMOS晶体管共享公共杂质区。
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公开(公告)号：CN119626292A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410829881.1
申请日：2024-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4097 , G11C11/4091 , G11C11/408 , G11C7/06
Abstract: 位线感测放大器包括放大电路、隔离电路、偏移消除电路和均衡器。放大电路连接到位线和互补位线，基于第一控制信号和第二控制信号感测位线和互补位线之间的电压差，并基于电压差调节感测位线和互补感测位线的电压。均衡器连接到感测位线，并且基于均衡信号将位线和互补位线均衡到预充电电压。均衡器包括均衡晶体管，该均衡晶体管具有源极、被配置为接收均衡信号的栅极、以及漏极。均衡晶体管的源极通过直接触点连接到布线结构，并且布线结构被配置为接收预充电电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115497535A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210603717.X
申请日：2022-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/408 , G11C11/4094
Abstract: 一种存储器件，包括：存储单元阵列、行地址译码器以及字线驱动电路，所述行地址译码器被配置为：生成多个主字线驱动信号和多个子字线驱动信号，基于奇信号被激活，通过以第一顺序输出所述多个子字线驱动信号来生成用于驱动目标字线的多个编码子字线驱动信号，其中，所述奇信号表示驱动奇数字线的主字线驱动信号被激活，以及基于偶信号被激活，通过以第二顺序输出所述多个子字线驱动信号来生成所述多个编码子字线驱动信号，其中，所述偶信号表示驱动偶数字线的主字线驱动信号被激活；所述字线驱动电路被配置为：以第一电压电平或第二电压电平来驱动所述目标字线。
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公开(公告)号：CN114446336A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111122286.7
申请日：2021-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/06 , G11C7/18 , H01L27/105
Abstract: 提供了读出放大器和包括该读出放大器的半导体存储器件。所述读出放大器，包括：包括在第一方向上彼此间隔开的第一晶体管和第二晶体管的位线读出放大器；被配置为将第一晶体管电连接到第二晶体管并且在第一方向上延伸第二导线；以及被配置为至少部分地与第二导线交叠并且设置在第一晶体管与第二晶体管之间的局部读出放大器。局部读出放大器包括：有源区；至少部分地在第一方向上延伸并且设置在有源区上的多个栅极图案；设置在多个栅极图案之间并且包括在第一方向上延伸的长边和在与第一方向相交的第二方向上延伸的短边的第一接触；以及在俯视图中与第一接触交叠的同时电连接到第一接触并且包括在第一方向上延伸的第一导电区的第一导线。
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公开(公告)号：CN119069460A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410690593.2
申请日：2024-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , G01N27/00 , G11C11/34 , H01L21/66
Abstract: 公开了一种存储器装置和一种检测存储器装置中的裂纹的方法。该存储器装置包括：存储器单元阵列；第一焊盘，其被配置为从外部装置接收命令；第二焊盘，其被配置为与外部装置交换数据；第三焊盘；测试逻辑，其被配置为基于通过第一焊盘接收的测试命令来产生测试脉冲信号；以及裂纹检测结构，其形成在第三焊盘下方，并被配置为包括从测试逻辑串联连接到第二焊盘的线。基于当测试脉冲信号通过裂纹检测结构时改变的延迟脉冲信号的延迟来检测在第三焊盘中出现的裂纹。
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公开(公告)号：CN108206033B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201711074876.0
申请日：2017-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/06
Abstract: 一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：形成在存储器单元阵列区域的第一列导电层中并在列方向上延伸的列选择信号线，形成在存储器单元阵列区域中与第一列导电层不同的第二列导电层中并且在列方向上延伸的全局输入输出数据线，以及形成在存储器单元阵列区域中第一列导电层和第二列导电层之间的屏蔽导电层中的电源线。通过在不同列导电层中形成列选择信号线和全局输入输出数据线并在列导电层之间的屏蔽导电层中形成电源线，可以减少信号线和电源线中的噪声，并且可以增强存储器件的性能。
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公开(公告)号：CN115206374A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210367298.4
申请日：2022-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4091 , G11C11/4094
Abstract: 一种位线读出放大器，包括：放大器，连接在第一读出位线和第二读出位线之间，并响应于第一控制信号和第二控制信号来检测并放大第一位线和第二位线之间的电压差；和均衡器，连接在通过其提供第一控制信号的第一电源线和通过其提供第二控制信号的第二电源线之间，并响应于均衡控制信号来用预充电电压对第一位线和第二位线进行预充电，其中，均衡器包括源端连接到第一电源线的均衡使能晶体管，并响应于均衡控制信号来执行均衡。
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