公开(公告)号：CN117790490A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311135578.3

申请日：2023-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李纳拉 ,  李瑌真 ,  崔智旻 ,  李钟旼

IPC: H01L25/16 ,  H10B80/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 公开了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：顺序地堆叠的多个第一半导体芯片，第一半导体芯片中的每个包括在第一基底的第一表面上的电路层、穿过第一基底的硅贯穿过孔和连接到硅贯穿过孔的凸块焊盘；以及第二半导体芯片，在最上面的第一半导体芯片上，第二半导体芯片包括在第二基底的第一表面上的电路层和在第二基底中的热路径过孔。

公开(公告)号：CN117637681A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311023009.X

申请日：2023-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋旻俊 ,  李钟旻 ,  慎重垣 ,  李纳拉 ,  崔智旻

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H10B12/00 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体装置可包括衬底上的下金属布线、下金属布线上的第一上层间绝缘层、第一上层间绝缘层中的包括第一上穿通件的第一上布线和第一上层间绝缘层上的第一上金属图案。该半导体装置还可包括第一上层间绝缘层上的第二上层间绝缘层、第二上层间绝缘层中的包括最上面的穿通件的最上面的布线、第二上层间绝缘层上的最上面的金属图案、以及第二上层间绝缘层上的用于供应氢的氧化物层。下金属布线可按照多层堆叠。用于供应氢的氧化物层可覆盖最上面的布线。最上面的穿通件的厚度可小于最上面的金属图案的厚度的40％。