公开(公告)号：CN119255598A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202410876211.5

申请日：2024-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹盛允 ,  崔智旻 ,  慎重垣 ,  李瑌真

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件，包括：位线，包括金属并且在衬底上沿第一方向延伸；在位线上的沟道结构，包括沿第二方向延伸的第一沟道图案、以及沿第一方向与第一沟道图案间隔开并且沿第二方向延伸的第二沟道图案；衬垫膜，在位线沟道结构之间，并且包括所述金属；第一字线，在第一沟道图案和第二沟道图案之间，第一字线沿第二方向延伸；第二字线，在第一沟道图案和第二沟道图案之间并且沿第二方向延伸，第二字线在第一方向上与第一字线间隔开；以及第一电容器和第二电容器，分别在第一沟道图案和第二沟道图案上，并且连接到第一沟道图案和第二沟道图案。

公开(公告)号：CN117790490A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311135578.3

申请日：2023-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李纳拉 ,  李瑌真 ,  崔智旻 ,  李钟旼

IPC: H01L25/16 ,  H10B80/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 公开了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：顺序地堆叠的多个第一半导体芯片，第一半导体芯片中的每个包括在第一基底的第一表面上的电路层、穿过第一基底的硅贯穿过孔和连接到硅贯穿过孔的凸块焊盘；以及第二半导体芯片，在最上面的第一半导体芯片上，第二半导体芯片包括在第二基底的第一表面上的电路层和在第二基底中的热路径过孔。

公开(公告)号：CN116895623A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310286579.1

申请日：2023-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑一根 ,  金成珍 ,  金想起 ,  慎重垣 ,  禹盛允 ,  全相炫 ,  崔智旻

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体器件包括：基板，具有第一表面和第二表面；第一测试焊盘，在基板的第一表面上；第一凸块焊盘，在基板的第一表面上并在第一方向上与第一测试焊盘间隔开；第二凸块焊盘，在基板的第一表面上并与第一凸块焊盘间隔开；第二测试焊盘，在基板的第一表面上并在第一方向上与第二凸块焊盘间隔开；第一布线层，在第一方向上延伸并将第一测试焊盘电连接到第一凸块焊盘；第二布线层，在第一方向上延伸，与第一布线层间隔开，并将第二测试焊盘电连接到第二凸块焊盘；以及第一凸块，连接到第一凸块焊盘和第二凸块焊盘中的每个。

公开(公告)号：CN115810591A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202210501876.9

申请日：2022-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔智旻 ,  李全一 ,  李钟旼 ,  李周益

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 提供了半导体芯片的散热垫、包括散热垫的半导体芯片和制造半导体芯片的方法，所述散热垫包括：散热芯，位于半导体基底的下表面处的沟槽中，散热芯被构造为接收从竖直延伸穿过半导体基底的贯穿硅过孔(TSV)产生的热；散热头，连接到散热芯并且从半导体基底的下表面突出，散热头被构造为使散热芯中的热散发；第一绝缘层，位于沟槽的内表面与散热芯之间；以及第二绝缘层，位于第一绝缘层与散热芯之间。

公开(公告)号：CN118943118A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410559671.5

申请日：2024-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹盛允 ,  崔智旻 ,  慎重垣 ,  李瑌真 ,  李钟旼

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L25/18 ,  H01L25/16 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装包括：基底芯片，包括在第一水平方向和与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸的顶表面；半导体芯片堆叠，包括在垂直方向上顺序堆叠在基底芯片上并在垂直方向上在相应侧对齐的第一半导体芯片和第二半导体芯片；穿透基底芯片并在第一水平方向上彼此间隔开的第一贯通路；穿透第一半导体芯片并在第一水平方向上彼此间隔开的第二贯通路；穿透第二半导体芯片并在第一水平方向上彼此间隔开的第三贯通路；接触第一贯通路的第一连接焊盘；接触第二贯通路的第二连接焊盘；以及接触第三贯通路的第三连接焊盘。

公开(公告)号：CN118738021A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410326432.5

申请日：2024-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎重垣 ,  李瑌真 ,  李钟旼 ,  崔智旻

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L25/16

Abstract: 提供一种半导体装置和一种半导体封装件。该半导体装置包括：半导体衬底上的绝缘结构；绝缘结构中的下导电图案；绝缘结构上的上导电图案；绝缘结构中的导电过孔件，导电过孔件将上导电图案中的至少一个连接到下导电图案中的至少一个；覆盖绝缘结构和上导电图案的保护层；覆盖保护层的蚀刻停止层；在蚀刻停止层的位于上导电图案之间的部分上的第一钝化层；以及第一钝化层上的上钝化层。

公开(公告)号：CN108231774B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201711274103.7

申请日：2017-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔智旻 ,  李东烈 ,  李镐旭 ,  金志永 ,  赵昶贤

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了具有沟槽型器件隔离膜的半导体器件。一种半导体器件包括具有半导体层的基板。沟槽形成在半导体层内。填充绝缘膜设置在沟槽内。插入衬层设置在填充绝缘膜内。插入衬层与半导体层间隔开并沿着沟槽的底表面延伸。

公开(公告)号：CN115831921A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210712745.5

申请日：2022-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔慜贞 ,  李钟旼 ,  崔智旻

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48

Abstract: 本公开提供了一种半导体装置。根据公开的所述半导体装置包括：基底；晶体管，连接到基底；以及布线结构，包括电连接到晶体管的接触布线。布线结构还包括：第一布线绝缘层；第一材料层，物理地接触第一布线绝缘层；第二材料层，物理地接触第一材料层；以及第二布线绝缘层，物理地接触第二材料层。第一材料层包括SiN，并且第二材料层包括SiCN。第一布线绝缘层的介电常数大于第二布线绝缘层的介电常数。

公开(公告)号：CN115206931A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210242090.X

申请日：2022-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张志熏 ,  李瑌真 ,  崔慜贞 ,  崔智旻

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/544

Abstract: 一种半导体装置中的检测焊盘结构可以包括衬底上的下布线、下布线上的上布线、以及上布线上的第一焊盘图案。上布线可以连接到下布线，并且包括堆叠在多个层中的金属图案和金属图案上的过孔接触件。第一焊盘图案可以连接到上布线。一种半导体装置可以包括实际上布线，该实际上布线包括堆叠在多个层中的实际金属图案和实际过孔接触件。上布线中的每一层的金属图案中的至少一个可以具有实际上布线中的每一层的金属图案的最小线宽和最小间隔。上布线中的每一层的金属图案和过孔接触件可以规则地并且重复地布置。

公开(公告)号：CN118553719A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202311788299.7

申请日：2023-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴奎星 ,  慎重垣 ,  李钟旼 ,  崔智旻

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/762

Abstract: 提供了半导体装置和用于制造半导体装置的方法。半导体装置包括：层间绝缘层；第一保护绝缘层，其位于层间绝缘层上；第二保护绝缘层，其位于第一保护绝缘层上；以及绝缘结构，其设置在第一保护绝缘层和第二保护绝缘层中的至少一个中，其中，绝缘结构包括：第一绝缘结构，其包括具有第一物理特性的第一材料；和第二绝缘结构，其包括具有第二物理特性的第二材料，并且第一材料和第二材料包括相同的材料，并且第一物理特性和第二物理特性是不同的物理特性。