包括垂直沟道晶体管的存储装置和包括该存储装置的电子装置

    公开(公告)号:CN118250996A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202311786037.7

    申请日:2023-12-22

    Abstract: 本发明构思提供了包括垂直沟道晶体管的存储装置和包括该存储装置的电子装置,该存储装置包括:在衬底上的读取字线、沿垂直于衬底的上表面的平面延伸的第一沟道、平行地面对第一沟道的第二沟道、在第一沟道和第二沟道之间与第一沟道相邻的第一栅极绝缘层、在第一沟道和第二沟道之间与第二沟道相邻的第二栅极绝缘层、在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层之间与第一栅极绝缘层相邻的栅电极、在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层之间与第二栅极绝缘层相邻的写入字线、电连接到第一沟道的读取位线、以及电连接到第二沟道的写入位线。

    半导体器件和制造其的方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118335771A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202311554518.5

    申请日:2023-11-21

    Abstract: 公开了一种半导体器件、制造其的方法和各自包括该半导体器件的电子元件和电子装置。该半导体器件可以包括衬底、在衬底上的沟道层、分别在沟道层的两个相反端上并彼此间隔开的第一电极和第二电极、在沟道层上并与第一电极和第二电极间隔开的栅电极、提供在沟道层和栅电极之间的栅极绝缘材料、以及硫族化合物层,硫族化合物层在栅极绝缘材料和沟道层之间、第一电极和沟道层之间以及第二电极和沟道层之间中的至少之一。

    半导体器件
    5.
    发明公开
    半导体器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN119208376A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202410833609.0

    申请日:2024-06-26

    Abstract: 一种半导体器件包括:氧化物半导体层;第一电极和第二电极,彼此间隔开地布置并分别与氧化物半导体层相邻;金属氧化物层,布置在第一电极和第二电极中的至少一个和氧化物半导体层之间;以及金属氮化物层,布置在金属氧化物层和氧化物半导体层之间。

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