公开(公告)号：CN116504843A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310100911.0

申请日：2023-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚昱 ,  卞卿溵 ,  申建旭 ,  郑文一 ,  金恩太 ,  杨智恩 ,  李光熙

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H10K59/121

Abstract: 一种晶体管包括氧化物半导体层、在氧化物半导体层上彼此间隔开设置的源电极和漏电极、与氧化物半导体层间隔开的栅电极、设置在氧化物半导体层和栅电极之间的栅极绝缘层以及设置在栅电极和栅极绝缘层之间并掺杂有金属的石墨烯层。

公开(公告)号：CN118250996A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311786037.7

申请日：2023-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚昱 ,  李光熙 ,  杨智恩 ,  郑文一 ,  金恩太 ,  车映官

IPC: H10B12/00 ,  H01L27/088 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明构思提供了包括垂直沟道晶体管的存储装置和包括该存储装置的电子装置，该存储装置包括：在衬底上的读取字线、沿垂直于衬底的上表面的平面延伸的第一沟道、平行地面对第一沟道的第二沟道、在第一沟道和第二沟道之间与第一沟道相邻的第一栅极绝缘层、在第一沟道和第二沟道之间与第二沟道相邻的第二栅极绝缘层、在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层之间与第一栅极绝缘层相邻的栅电极、在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层之间与第二栅极绝缘层相邻的写入字线、电连接到第一沟道的读取位线、以及电连接到第二沟道的写入位线。

公开(公告)号：CN117855273A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311289923.9

申请日：2023-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨智恩 ,  金尚昱 ,  金恩太 ,  李光熙 ,  郑文一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括提供在基板上的下电极、提供在下电极上并包含第一铟的缓冲层、提供在缓冲层上并包含第二铟的氧化物半导体层、与氧化物半导体层隔开提供的栅电极、以及提供在氧化物半导体层上的上电极，其中第一铟的含量大于第二铟的含量。