-
公开(公告)号：CN111323863B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201910579002.3
申请日：2019-06-28
Abstract: 提供一种相移器件以及包括该相移器件的色差光学器件，该相移器件包括：多个金属层和多个第一电介质层，所述多个金属层中的金属层和所述多个第一电介质层中的第一电介质层在第一方向上交替地堆叠；以及第二电介质层，在第二方向上设置在堆叠结构的侧表面上，其中第一电介质层包括具有第一介电常数的第一材料，第二电介质层包括具有第二介电常数的第二材料，并且其中第二介电常数大于第一介电常数。
-
公开(公告)号：CN111323863A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910579002.3
申请日：2019-06-28
Abstract: 提供一种相移器件以及包括该相移器件的色差光学器件，该相移器件包括：多个金属层和多个第一电介质层，所述多个金属层中的金属层和所述多个第一电介质层中的第一电介质层在第一方向上交替地堆叠；以及第二电介质层，在第二方向上设置在堆叠结构的侧表面上，其中第一电介质层包括具有第一介电常数的第一材料，第二电介质层包括具有第二介电常数的第二材料，并且其中第二介电常数大于第一介电常数。
-
公开(公告)号：CN119654057A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411296122.X
申请日：2024-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开基于硫属化物的存储材料以及包括其的存储器件和电子装置。所述基于硫属化物的存储材料可包括具有由XaY’bSec表示的组成的三元半导体化合物，其中所述基于硫属化物的存储材料可具有双向阈值开关(OTS)特性，并且所述基于硫属化物的存储材料的阈值电压可根据施加的电压的极性和强度而改变。在XaY’bSec中，X≠Y，a+b+c＝1，a>0.12，b>0.18，c≥0.4，并且X和Y’独立地可为In、Sb、Ga、Sn、Al、Ge、Si、和P的不同者。所述存储器件可包括所述基于硫属化物的存储材料。所述电子装置可包括所述存储器件。
-
公开(公告)号：CN116891221A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310376723.0
申请日：2023-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及硫属化物材料、开关器件、和存储器件。根据一种实施方式的硫属化物材料包括：锗(Ge)；砷(As)；硫(S)；硒(Se)，以及选自铟(In)、镓(Ga)和铝(Al)的至少一种III族金属，其中Ge的含量可大于约10原子％且小于或等于约30原子％，As的含量可大于约30原子％且小于或等于约50原子％，Se的含量大于约20原子％且小于或等于约60原子％，S的含量大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％，且所述III族金属的含量可大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％。
-
公开(公告)号：CN108731806B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201810188793.2
申请日：2018-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及光学滤波器、光谱仪和光学设备。光学滤波器可包括第一反射器和第二反射器。第一反射器可包括具有第一亚波长尺寸并且布置成在第一方向上以第一间隔再现的多个第一光栅。第二反射器可与所述第一反射器隔开，包括具有第二亚波长尺寸并且布置成在平行于所述第一方向的方向上以第二间隔再现的多个第二光栅。所述第一反射器和所述第二反射器包括彼此不同的材料或不同的几何结构。因此，容易调整光学滤波器的透射波长特性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108731806A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810188793.2
申请日：2018-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01J3/021 , F21V7/22 , G01J3/0224 , G01J3/1804 , G01J3/26 , G01J2003/1861 , G02B5/1809 , G02B5/1866 , G02B5/20 , G02B5/203 , G02B27/4272 , G01J3/2803 , G01J3/0229 , G01J3/0243 , G01J3/0259
Abstract: 本发明涉及光学滤波器、光谱仪和光学设备。光学滤波器可包括第一反射器和第二反射器。第一反射器可包括具有第一亚波长尺寸并且布置成在第一方向上以第一间隔再现的多个第一光栅。第二反射器可与所述第一反射器隔开，包括具有第二亚波长尺寸并且布置成在平行于所述第一方向的方向上以第二间隔再现的多个第二光栅。所述第一反射器和所述第二反射器包括彼此不同的材料或不同的几何结构。因此，容易调整光学滤波器的透射波长特性。
-
公开(公告)号：CN117641940A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310417831.8
申请日：2023-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储器件和包括该存储器件的存储装置。该存储器件可以包括第一电极、与第一电极间隔开的第二电极、在第一电极和第二电极之间的中间层、以及与中间层接触的界面层。中间层和界面层均可以具有双向阈值开关(OTS)特性。界面层的材料的阈值电压偏移可以大于中间层的阈值电压偏移(ΔVth)。
-
公开(公告)号：CN115811931A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210773794.X
申请日：2022-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供基于硫属化物的材料、以及包括其的开关元件和存储器件。所述基于硫属化物的材料包括：硫属化物材料和掺杂剂。所述硫属化物材料包括Ge、Sb和Se。所述掺杂剂包括选自In、Al、Sr和Si的至少一种金属或准金属元素、所述金属或准金属元素的氧化物、或者所述金属或准金属元素的氮化物。
-
公开(公告)号：CN115707327A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210367881.5
申请日：2022-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种开关器件、制造其的方法以及包括其的存储器件。开关器件包括第一电极和第二电极以及提供在第一电极和第二电极之间并包括硫族化物的开关材料层。开关材料层包括芯部分和覆盖芯部分的侧表面的壳部分。壳部分包括具有比芯部分的电阻大的电阻的材料，例如在芯部分和壳部分中的至少一个中。
-
公开(公告)号：CN106328708A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610102164.4
申请日：2016-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01N27/4141 , C30B25/04 , C30B29/46 , C30B29/60 , H01L21/02568 , H01L21/0259 , H01L21/02614 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/3065 , H01L29/0665 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/778 , H01L29/7851 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L29/785
Abstract: 本发明涉及包括二维材料结构的装置及形成该二维材料结构的方法。其中一种晶体管包括：基板；包括基本上垂直地排列在基板上的至少一层的二维材料结构，使得所述至少一层的边缘在基板上并且所述至少一层基本上垂直于基板延伸；源电极和漏电极，连接到二维材料结构的相反端；栅绝缘层，在源电极和漏电极之间的二维材料结构上；和在栅绝缘层上的栅电极。所述至少一层的每个包括具有二维晶体结构的半导体。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.025 seconds)
