-
公开(公告)号：CN102236185A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110105780.2
申请日：2011-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13
CPC classification number: G02F1/13452 , G02F1/133308 , G02F1/1341 , G02F1/1345 , G02F1/13454 , G02F2001/133317
Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器，该液晶显示器具有用于容纳印刷电路板的集成安装部。该液晶显示器包括液晶面板，该液晶面板具有在其上显示图像的第一表面和与该第一表面相对的第二表面；印刷电路板，该印刷电路板连接至该液晶面板并且具有前表面和后表面；以及中间接收容器，该中间接收容器包括框架和定位在该框架的侧壁上的印刷电路板安装部。该印刷电路板安装在印刷电路板安装部上，使得印刷电路板的前平面和液晶面板的第一平面面向同一侧。
-
公开(公告)号：CN1920651A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610066016.8
申请日：2006-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪源基
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/13452
Abstract: 本发明公开了一种阵列基底，所述阵列基底包括基底、输入压焊块部分、第一输出压焊块部分、第二输出压焊块部分、像素阵列和信号传输部分。输入压焊块部分和第一输出压焊块部分设置在基底的芯片安装区域。第二输出压焊块部分也设置在芯片安装区域，但设置在与第一输出压焊块部分不同的层中。像素阵列设置在阵列基底的阵列区域。信号传输部分设置在阵列基底的信号传输区域。因此，第一输出压焊块部分和第二输出压焊块部分分别设置在不同的层，从而提高了阵列基底的空间利用率。
-
公开(公告)号：CN114637461A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111527908.4
申请日：2021-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储设备和包括其的存储系统。存储设备包括：非易失性存储器，其具有有效页和空闲页；温度传感器，其被配置为感测非易失性存储器的温度；以及存储控制器，其被配置为实现：巡读模块，其被配置为读取有效页中所存储的有效数据且根据设定的时间段识别读取的有效数据中的错误的数量；以及保留模块，其被配置为基于温度或错误的数量，读取有效页中所存储的有效数据，且将有效数据写入空闲页，同时控制与写入空闲页的有效数据的值相对应的阈值电压分布宽度。
-
公开(公告)号：CN116774919A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310084379.8
申请日：2023-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了存储装置、包括存储装置的系统以及操作存储装置的方法。所述存储装置包括：第一存储子系统，所述第一存储子系统包括第一非易失性存储器件(NVM)、第一存储控制器和第一资源，所述第一存储控制器被配置为控制所述第一NVM的操作；以及第二存储子系统，所述第二存储子系统包括第二NVM、第二存储控制器和第二资源，所述第二存储控制器被配置为控制所述第二NVM的操作，其中所述第一资源是所述第二存储子系统能够使用的共享资源，且所述第二资源是所述第一存储子系统能够使用的共享资源。
-
公开(公告)号：CN113782062A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110586762.4
申请日：2021-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器装置和电子装置。存储器装置可以包括：存储器模块，包括模块板和定位在模块板的一侧上的存储器连接器；第一外壳和第二外壳，第一外壳放置在存储器模块上方，第二外壳放置在存储器模块下方，其中，第一外壳包括覆盖模块板的上面和存储器连接器的上面的第一主盖；至少一个夹紧孔，在与存储器连接器叠置的位置处穿透第一主盖；器件间紧固柱，从第一主盖的下面向下突出；以及固定孔，在平面上定位在器件间紧固柱的内部，并且穿透器件间紧固柱和第一主盖。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN1991546B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200610163369.X
申请日：2006-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/134336 , G02F2001/133388 , G09G3/3614 , G09G3/3648 , G09G2310/0232 , G09G2320/0247
Abstract: 本发明公开了一种阵列基底，该阵列基底包括：第一像素部分，包括多个第一有效像素和多个第一哑像素，其中，第一有效像素位于显示区中，第一哑像素位于外围区中，外围区形成在显示区的周围；第二像素部分，包括多个第二有效像素和多个第二哑像素，第二像素部分与第一像素部分相邻，其中，第二有效像素位于显示区中，第二哑像素位于外围区中。
-
公开(公告)号：CN100590502C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610066016.8
申请日：2006-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪源基
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/13452
Abstract: 本发明公开了一种阵列基底，所述阵列基底包括基底、输入压焊块部分、第一输出压焊块部分、第二输出压焊块部分、像素阵列和信号传输部分。输入压焊块部分和第一输出压焊块部分设置在基底的芯片安装区域。第二输出压焊块部分也设置在芯片安装区域，但设置在与第一输出压焊块部分不同的层中。像素阵列设置在阵列基底的阵列区域。信号传输部分设置在阵列基底的信号传输区域。因此，第一输出压焊块部分和第二输出压焊块部分分别设置在不同的层，从而提高了阵列基底的空间利用率。
-
公开(公告)号：CN118660458A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202311848106.2
申请日：2023-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法和一种电子系统。该半导体装置包括单元区，其中单元区包括：单元阵列区；邻近于单元阵列区的连接区；包括多个栅电极的栅极堆叠结构，其中栅极堆叠结构包括上结构和下结构；穿过单元阵列区中的栅极堆叠结构的多个沟道结构；以及穿过连接区中的栅极堆叠结构的多个栅极接触部分，其中，单元阵列区中的底部栅电极在上结构的底部中并且邻近于多个沟道结构中的沟道结构，并且其中，连接区中的底部绝缘部分在上结构的底部中并且邻近于多个栅极接触部分中的栅极接触部分。
-
公开(公告)号：CN117850670A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311249785.1
申请日：2023-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪源基
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了一种用于自动驾驶的数据存储系统及其操作方法和系统的操作方法。数据存储系统包括：非易失性存储器装置；专用存储器，其被配置为作为系统存储器由外部主机管理；备用电源，其被配置为提供备用电力；以及存储控制器，其被配置为在外部主机的控制下，将用户数据存储在非易失性存储器装置中并将传感器数据以环形缓冲的方式存储在专用存储器中，其中，存储控制器还被配置为基于满足触发条件，使用备用电力将存储在专用存储器中的传感器数据的至少一部分刷新到非易失性存储器装置。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.031 seconds)
