公开(公告)号：CN103887383A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310713410.6

申请日：2013-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩尚宪 ,  洪锺波 ,  金承贤 ,  申仑熺 ,  李庭旭

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/20 ,  H01L2933/0091 ,  H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本公开提供了半导体发光器件及其制造方法。制造半导体发光器件的方法包括：在衬底上形成多个凹部；将二氧化硅粒子注入多个凹部；以及在衬底上形成半导体层，半导体层包括在半导体层的位于多个凹部的上方的部分中形成的空隙。