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公开(公告)号:CN103996753A
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201410051132.7
申请日:2014-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , C23C16/34
CPC classification number: H01L33/007 , C23C16/4583 , C23C16/54 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/67326 , H01L21/68735 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体发光器件的方法以及化学气相沉积设备,该方法包括步骤:在衬底上顺序地生长第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层,以形成发光层。形成发光层的步骤包括第一生长工序、第二生长工序和转移工序。第一生长工序使用具有第一曲率安装表面的第一基座。第二生长工序使用具有第二曲率安装表面的第二基座,所述第二曲率不同于所述第一曲率。转移工序在所述第一生长工序与所述第二生长工序之间将所述衬底从所述第一基座转移至所述第二基座。
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公开(公告)号:CN103872200A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201310675942.5
申请日:2013-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/0062 , H01L33/32
Abstract: 本公开提供了形成半导体层的方法、半导体发光器件及其制造方法。形成半导体层的方法包括:在衬底上形成多个纳米柱;在衬底上形成下部半导体层,以暴露至少部分的纳米柱;去除纳米柱,以在下部半导体层中形成空隙;以及在下部半导体层和空隙的上部上形成上部半导体层。
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公开(公告)号:CN107068821A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201610878813.X
申请日:2016-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/025 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L33/02 , H01L33/16 , H01L33/18 , H01L33/52
Abstract: 本文公开了一种材料层堆叠件、一种发光元件、一种发光封装件和一种制造发光元件的方法。所述材料层堆叠件包括:具有第一晶格常数的衬底;以及在衬底上生长的半导体层,所述半导体层具有与第一晶格常数不同的第二晶格常数。通过利用该材料层堆叠件,可获得具有低漏电流、低操作电压和优异的发光效率的发光元件。
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公开(公告)号:CN102237484B
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201110103594.5
申请日:2011-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/62 , H01L25/075 , H01L33/00
CPC classification number: H01L25/075 , H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/12044 , H01L2924/3025 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了用于发光器件封装的引线框架、发光器件封装和使用该发光器件封装的照明装置。引线框架包括:多个安装部分,多个发光器件芯片安装到其上;多个连接部分,用于电路连接多个发光器件芯片;端子部分,从多个连接部分延伸。通过在引线框架上直接安装多个发光器件芯片并在引线框架上封装被安装的发光器件芯片来形成发光器件封装。引线框架包括用于电路连接多个发光器件芯片的多个连接部分和暴露其电路的一部分的端子部分。
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公开(公告)号:CN103887383A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201310713410.6
申请日:2013-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/20 , H01L2933/0091 , H01L33/22 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本公开提供了半导体发光器件及其制造方法。制造半导体发光器件的方法包括:在衬底上形成多个凹部;将二氧化硅粒子注入多个凹部;以及在衬底上形成半导体层,半导体层包括在半导体层的位于多个凹部的上方的部分中形成的空隙。
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公开(公告)号:CN1518134A
公开(公告)日:2004-08-04
申请号:CN03158948.0
申请日:2003-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02458 , B82Y20/00 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02447 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种制造高效半导体器件的方法。该方法包括:(a)在衬底上顺序叠置第一半导体层、掩模层和金属层;(b)使金属层阳极氧化以将金属层转变成包括多个纳米孔的金属氧化物层;(c)利用金属氧化物层作为蚀刻掩模蚀刻掩模层,直到纳米孔延伸到第一半导体层的表面;(d)去除金属氧化物层;以及(e)在掩模层和第一半导体层上沉积第二半导体层。本发明减小了缺陷密度,并促进了均匀的缺陷分布。
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公开(公告)号:CN116564989A
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202310060133.7
申请日:2023-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供半导体发光装置和制造该半导体发光装置的方法。半导体发光装置包括:第一导电类型半导体层,其在其上部中具有彼此间隔开的多个杆;多个有源层,其分别形成在多个杆的上表面上;多个第二导电类型半导体层,其分别形成在多个有源层的上表面上;绝缘间隔件,其共形地形成在多个杆之间,围绕多个有源层中的每一个的所有侧壁,并且覆盖多个第二导电类型半导体层中的每一个的侧壁的一部分;第一电极层,其与第一导电类型半导体层的下部接触;以及第二电极层,其填充绝缘间隔件的内部空间并且与多个第二导电类型半导体层接触。
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公开(公告)号:CN103872200B
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201310675942.5
申请日:2013-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/22
Abstract: 本公开提供了形成半导体层的方法、半导体发光器件及其制造方法。形成半导体层的方法包括:在衬底上形成多个纳米柱;在衬底上形成下部半导体层,以暴露至少部分的纳米柱;去除纳米柱,以在下部半导体层中形成空隙;以及在下部半导体层和空隙的上部上形成上部半导体层。
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公开(公告)号:CN101018345A
公开(公告)日:2007-08-15
申请号:CN200610159337.2
申请日:2006-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N9/31
CPC classification number: H04N9/3129
Abstract: 本发明提供一种激光显示装置,包括:光源,发射至少一束激光束;光调制单元,根据图像信号调制从光源发射的激光束;扫描单元,沿主扫描方向和子扫描方向扫描在光调制单元中调制的激光束;以及成像单元,图像在其中被形成,且其具有磷光层,通过扫描单元扫描的激光束在该磷光层中产生激发光。
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公开(公告)号:CN102237485B
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201110117456.2
申请日:2011-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/486 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/12044 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供用于芯片封装的引线框架、芯片封装、封装模块以及包括该芯片封装模块的照明装置。该芯片封装包括第一耦接部分和第二耦接部分,第一耦接部分和第二耦接部分在用于将芯片安装在其上的引线框架的边缘上彼此耦接,因此封装模块通过将第一耦接部分和第二耦接部分彼此耦接而容易地实施。
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