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公开(公告)号：CN115831910A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211131604.0
申请日：2022-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体设备包括：第一重分布基板、位于第一重分布基板的顶表面上的半导体芯片、位于第一重分布基板的顶表面上并与半导体芯片横向隔开的导电结构、以及位于第一重分布基板上并覆盖半导体芯片的侧壁和导电结构的侧壁的模塑层。导电结构包括具有第一侧壁的第一导电结构和位于第一导电结构的顶表面上并具有第二侧壁的第二导电结构。第一导电结构具有第一侧壁的下部的底切。第二导电结构具有第二侧壁的下部的突起。
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