公开(公告)号：CN109300871A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201810794961.2

申请日：2018-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  文光辰 ,  徐柱斌 ,  林东灿 ,  藤崎纯史 ,  李镐珍

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L25/065

Abstract: 一种半导体器件包括：在基板上的导电部件；钝化层，在基板上并且包括暴露导电部件的至少一部分的开口；以及焊盘结构，在开口中并且位于钝化层上，焊盘结构电连接到导电部件。焊盘结构包括：在开口的内侧壁上共形地延伸的下导电层，下导电层包括顺序地堆叠的导电阻挡层、第一籽晶层、蚀刻停止层和第二籽晶层；第一焊盘层，在下导电层上并且至少部分地填充开口；以及第二焊盘层，在第一焊盘层上并且与下导电层的位于钝化层的顶表面上的外围部分接触。

公开(公告)号：CN109962064B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201811267757.1

申请日：2018-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千镇豪 ,  孙成旻 ,  全炯俊 ,  文光辰 ,  安振镐 ,  李镐珍 ,  藤崎纯史

IPC: H01L25/18 ,  H10B80/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：延伸穿过衬底的通孔电极结构；通孔电极结构上的再分布层；以及导电焊盘，该导电焊盘包括延伸穿过再分布层的贯穿部分以及贯穿部分上的突出部分，所述突出部分从再分布层的上表面突出，其中突出部分的上表面的中间区平坦，并且不比突出部分的上表面的边缘区更靠近衬底。

公开(公告)号：CN112310002A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010644781.3

申请日：2020-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秦正起 ,  朴点龙 ,  安振镐 ,  郑泰和 ,  千镇豪 ,  崔朱逸 ,  藤崎纯史

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535

Abstract: 一种半导体封装包括：包括芯片焊盘的半导体芯片；在半导体芯片上的下再分布结构，该下再分布结构包括下再分布绝缘层和电连接到半导体芯片的芯片焊盘的下再分布图案；在半导体芯片的至少一部分上的模制层；以及在模制层中的导电柱，该导电柱具有底表面和顶表面，该导电柱的底表面与下再分布结构的下再分布图案接触，并且该导电柱的顶表面具有凹入的形状。

公开(公告)号：CN110739290B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN201910633897.4

申请日：2019-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴秀晶 ,  林东灿 ,  文光辰 ,  徐柱斌 ,  崔朱逸 ,  藤崎纯史

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括：衬底；位于所述衬底上的接合焊盘；以及穿过所述衬底并连接到所述接合焊盘的贯穿通路结构。所述贯穿通路结构包括导电插塞、覆盖所述导电插塞的侧壁和下表面的第一导电阻挡层、以及覆盖所述第一导电阻挡层的侧壁的第二导电阻挡层。

公开(公告)号：CN113451257A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110249687.2

申请日：2021-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秦正起 ,  宋乺智 ,  郑泰和 ,  千镇豪 ,  崔朱逸 ,  藤崎纯史

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065

Abstract: 一种半导体封装件，包括：半导体芯片；再分布层结构，所述再分布层结构设置在所述半导体芯片下方；凸块焊盘，所述凸块焊盘设置在所述再分布层结构下方，并且具有上部结构和下部结构，所述上部结构具有第一宽度，所述下部结构具有小于所述第一宽度的第二宽度；金属晶种层，所述金属晶种层沿着所述上部结构的下表面和所述下部结构的侧表面设置；绝缘层，所述绝缘层围绕所述再分布层结构和所述凸块焊盘；和凸块结构，所述凸块结构设置在所述凸块焊盘下方。第一底切设置在所述金属晶种层的与所述上部结构接触的一端处，第二底切设置在所述金属晶种层的与所述下部结构接触的另一端处。

公开(公告)号：CN110610913B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN201910508897.1

申请日：2019-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  文光辰 ,  朴秀晶 ,  徐柱斌 ,  安振镐 ,  林东灿 ,  藤崎纯史

IPC: H01L23/48

Abstract: 公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：导电图案，所述导电图案位于基板上；钝化层，所述钝化层位于所述基板上并包括部分地暴露所述导电图案的开口；以及焊盘结构，所述焊盘结构设置在所述钝化层上以及所述钝化层的所述开口中并连接到所述导电图案。所述焊盘结构包括填充所述钝化层的所述开口且宽度大于所述开口的宽度的第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层。所述第一金属层在所述第一金属层的外壁处具有第一厚度，在所述钝化层的顶表面上具有第二厚度以及在所述导电图案的顶表面上具有第三厚度。所述第二厚度大于所述第一厚度，并且所述第三厚度大于所述第二厚度。

公开(公告)号：CN109300871B

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN201810794961.2

申请日：2018-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  文光辰 ,  徐柱斌 ,  林东灿 ,  藤崎纯史 ,  李镐珍

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L25/065

Abstract: 一种半导体器件包括：在基板上的导电部件；钝化层，在基板上并且包括暴露导电部件的至少一部分的开口；以及焊盘结构，在开口中并且位于钝化层上，焊盘结构电连接到导电部件。焊盘结构包括：在开口的内侧壁上共形地延伸的下导电层，下导电层包括顺序地堆叠的导电阻挡层、第一籽晶层、蚀刻停止层和第二籽晶层；第一焊盘层，在下导电层上并且至少部分地填充开口；以及第二焊盘层，在第一焊盘层上并且与下导电层的位于钝化层的顶表面上的外围部分接触。

公开(公告)号：CN115831910A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211131604.0

申请日：2022-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜圭浩 ,  朴钟淏 ,  裴晟训 ,  秦正起 ,  崔朱逸 ,  藤崎纯史

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体设备包括：第一重分布基板、位于第一重分布基板的顶表面上的半导体芯片、位于第一重分布基板的顶表面上并与半导体芯片横向隔开的导电结构、以及位于第一重分布基板上并覆盖半导体芯片的侧壁和导电结构的侧壁的模塑层。导电结构包括具有第一侧壁的第一导电结构和位于第一导电结构的顶表面上并具有第二侧壁的第二导电结构。第一导电结构具有第一侧壁的下部的底切。第二导电结构具有第二侧壁的下部的突起。

公开(公告)号：CN112530883A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010748784.1

申请日：2020-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千镇豪 ,  安振镐 ,  郑泰和 ,  秦正起 ,  崔朱逸 ,  藤崎纯史

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 提供了半导体封装，其包括再分布基板和安装在再分布基板上的半导体芯片。再分布基板可以包括下保护层、设置在下保护层上的第一导电图案、围绕第一导电图案并设置在下保护层上的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上的第二绝缘层。第一绝缘层可以包括第一上表面，第一上表面包括平行于下保护层的上表面延伸的第一平坦部分、以及面对下保护层并与第一导电图案接触的第一凹陷。第一凹陷可以直接连接到第一导电图案。

公开(公告)号：CN112133689A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN202010218402.4

申请日：2020-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  姜芸炳 ,  安振镐 ,  李种昊 ,  秦正起 ,  藤崎纯史

IPC: H01L23/498

Abstract: 提供了半导体装置。半导体装置包括绝缘层和在绝缘层中的导电元件。半导体装置包括与导电元件的表面和绝缘层的表面接触的第一阻挡图案。半导体装置包括在第一阻挡图案上的第二阻挡图案。此外，半导体装置包括在第二阻挡图案上的金属图案。还提供了相关的半导体封装件。