公开(公告)号：CN111341751B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN201911088966.4

申请日：2019-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正镐 ,  金钟润 ,  裵珉准

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装包括：重分配基底，具有彼此相对的第一表面与第二表面，且包括绝缘构件、多个重分配层及重分配通孔，所述多个重分配层在所述绝缘构件中位于不同的水平层级上，所述重分配通孔具有在第一方向上从所述第二表面朝所述第一表面变窄的形状；多个球下金属(UBM)层，各自包括球下金属焊盘及球下金属通孔，所述球下金属焊盘位于所述重分配基底的所述第一表面上，所述球下金属通孔具有在与所述第一方向相反的第二方向上变窄的形状；以及至少一个半导体芯片，位于所述重分配基底的所述第二表面上，且具有多个接触焊盘，所述多个接触焊盘电连接到所述多个重分配层中与所述第二表面相邻的重分配层。

公开(公告)号：CN115528009A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210707893.8

申请日：2022-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵珉准 ,  李锡贤 ,  金应叫

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 公开了半导体封装及其制造方法。一种半导体封装，包括：重分布基板上的半导体芯片。所述重分布基板包括基础介电层和所述基础介电层中的上耦合焊盘。所述上耦合焊盘的顶表面与所述基础介电层的顶表面共面。所述半导体芯片包括：重分布介电层和所述重分布介电层中的重分布芯片焊盘。所述重分布芯片焊盘的顶表面与所述重分布介电层的顶表面共面。所述重分布介电层的顶表面被接合到所述基础介电层的顶表面。所述重分布芯片焊盘被接合到所述上耦合焊盘。所述重分布芯片焊盘和所述上耦合焊盘包括相同的金属材料。所述重分布介电层和所述基础介电层包括光敏聚合物层。

公开(公告)号：CN111341751A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201911088966.4

申请日：2019-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正镐 ,  金钟润 ,  裵珉准

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装包括：重分配基底，具有彼此相对的第一表面与第二表面，且包括绝缘构件、多个重分配层及重分配通孔，所述多个重分配层在所述绝缘构件中位于不同的水平层级上，所述重分配通孔具有在第一方向上从所述第二表面朝所述第一表面变窄的形状；多个球下金属(UBM)层，各自包括球下金属焊盘及球下金属通孔，所述球下金属焊盘位于所述重分配基底的所述第一表面上，所述球下金属通孔具有在与所述第一方向相反的第二方向上变窄的形状；以及至少一个半导体芯片，位于所述重分配基底的所述第二表面上，且具有多个接触焊盘，所述多个接触焊盘电连接到所述多个重分配层中与所述第二表面相邻的重分配层。

公开(公告)号：CN110896062B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201910845973.8

申请日：2019-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟润 ,  李锡贤 ,  裵珉准

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 提供了一种再分布基板、一种制造再分布基板的方法以及一种半导体封装件。所述方法包括：形成第一导电图案；在所述第一导电图案上形成第一光敏层，所述第一光敏层具有暴露所述第一导电图案的第一部分的第一通孔；在所述第一通孔中形成第一通路；去除所述第一光敏层；形成包封所述第一导电图案和所述第一通路的第一电介质层，所述第一电介质层暴露所述第一通路的顶表面；以及在所述第一通路的所述顶表面上形成第二导电图案。

公开(公告)号：CN115117009A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202111441749.6

申请日：2021-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟润 ,  裵珉准 ,  李贤锡 ,  全光宰

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体封装件包括：再分布基板；半导体芯片，位于所述再分布基板的顶表面上；以及焊料端子，位于所述再分布基板的底表面上。所述再分布基板包括：凸块下图案，与所述焊料端子接触；电介质层，位于所述凸块下图案的侧壁上；凸块下种子图案，位于所述电介质层和所述凸块下图案的所述侧壁之间；以及再分布图案，位于所述凸块下图案上。所述凸块下图案具有中心区域和边缘区域。所述凸块下图案的所述边缘区域处的第一顶表面所处的高度高于所述凸块下图案的在所述中心区域处的第二顶表面的高度。所述凸块下图案的所述底表面和所述侧壁之间的角度在110°至140°的范围内。

公开(公告)号：CN110896062A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910845973.8

申请日：2019-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟润 ,  李锡贤 ,  裵珉准

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 提供了一种再分布基板、一种制造再分布基板的方法以及一种半导体封装件。所述方法包括：形成第一导电图案；在所述第一导电图案上形成第一光敏层，所述第一光敏层具有暴露所述第一导电图案的第一部分的第一通孔；在所述第一通孔中形成第一通路；去除所述第一光敏层；形成包封所述第一导电图案和所述第一通路的第一电介质层，所述第一电介质层暴露所述第一通路的顶表面；以及在所述第一通路的所述顶表面上形成第二导电图案。