公开(公告)号：CN1722459B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200510084649.7

申请日：2005-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永薰 ,  李受哲 ,  金起弘 ,  安正 ,  李容济 ,  裵贞勋 ,  黄圣仁 ,  安有真 ,  金范锡

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及一种具有改进的灵敏度的CMOS图像传感器，其包括在半导体衬底上形成的有源像素阵列区的主像素阵列区。钝化层形成于传感器的上方，且它至少部分地从主像素阵列区去除，使得用主像素阵列探测的入射光不通过钝化层。由钝化层的材料导致的光吸收和折射得到消除，获得具有改善的光灵敏度的图像传感器。

公开(公告)号：CN1722459A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510084649.7

申请日：2005-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永薰 ,  李受哲 ,  金起弘 ,  安正 ,  李容济 ,  裵贞勋 ,  黄圣仁 ,  安有真 ,  金范锡

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及一种具有改进的灵敏度的CMOS图像传感器，其包括在半导体衬底上形成的有源像素阵列区的主像素阵列区。钝化层形成于传感器的上方，且它至少部分地从主像素阵列区去除，使得用主像素阵列探测的入射光不通过钝化层。由钝化层的材料导致的光吸收和折射得到消除，获得具有改善的光灵敏度的图像传感器。