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公开(公告)号：CN103325800A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310024316.X
申请日：2013-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L31/02019 , H01L31/02327
Abstract: 本发明涉及图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：具有前侧和后侧的衬底；在衬底前侧上包含电路的绝缘结构；分别延伸穿过衬底至电路的接触孔；以及布置在衬底后侧上、分别沿着延伸穿过接触孔的导电路径电连接到电路并且位于电路的正上方的多个焊盘。通过导电层形成在衬底的后侧上并且被图案化以形成在电路正上方的焊盘的工艺来制造图像传感器。
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公开(公告)号：CN109065555B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201810629853.X
申请日：2013-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/02 , H01L31/0232
Abstract: 本发明涉及图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：具有前侧和后侧的衬底；在衬底前侧上包含电路的绝缘结构；分别延伸穿过衬底至电路的接触孔；以及布置在衬底后侧上、分别沿着延伸穿过接触孔的导电路径电连接到电路并且位于电路的正上方的多个焊盘。通过导电层形成在衬底的后侧上并且被图案化以形成在电路正上方的焊盘的工艺来制造图像传感器。
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公开(公告)号：CN1477715A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03133015.0
申请日：2003-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14645 , H01L27/14685
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括设置在光电二极管上的阻挡图形。该阻挡图形用其金属扩散率小于氧化硅的扩散率的绝缘材料形成。因此，减少了图像传感器的暗缺陷。此外，图像传感器包括色比控制层。色比控制层控制对蓝色、绿色和红色的灵敏度之间的色比。结果，由图像传感器所体现出的图像的色差能够得以改善。
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公开(公告)号：CN1189686A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：CN97118002.4
申请日：1997-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76819
Abstract: 制作半导体器件中多层互连的方法,在包括第一隔离层的衬底上制作厚度为Y1的导电层图形。在产物的整个表面上制作第二隔离层。在第二隔离层上制作厚度为2×Y1/3的与导电层图形相隔至少3×Y1的下导电层图形。在产物的整个表面上制作第三隔离层。在第三隔离层上制作由旋涂玻璃组成的整平层以暴露导电层图形和下导电层图形上的第三隔离层。可防止在台阶部位的SOG上产生微裂纹。
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公开(公告)号：CN1722459A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510084649.7
申请日：2005-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14645 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及一种具有改进的灵敏度的CMOS图像传感器，其包括在半导体衬底上形成的有源像素阵列区的主像素阵列区。钝化层形成于传感器的上方，且它至少部分地从主像素阵列区去除，使得用主像素阵列探测的入射光不通过钝化层。由钝化层的材料导致的光吸收和折射得到消除，获得具有改善的光灵敏度的图像传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1722459B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510084649.7
申请日：2005-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14645 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及一种具有改进的灵敏度的CMOS图像传感器，其包括在半导体衬底上形成的有源像素阵列区的主像素阵列区。钝化层形成于传感器的上方，且它至少部分地从主像素阵列区去除，使得用主像素阵列探测的入射光不通过钝化层。由钝化层的材料导致的光吸收和折射得到消除，获得具有改善的光灵敏度的图像传感器。
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公开(公告)号：CN100414709C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN03133015.0
申请日：2003-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14645 , H01L27/14685
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括设置在光电二极管上的阻挡图形。该阻挡图形用其金属扩散率小于氧化硅的扩散率的绝缘材料形成。因此，减少了图像传感器的暗缺陷。此外，图像传感器包括色比控制层。色比控制层控制对蓝色、绿色和红色的灵敏度之间的色比。结果，由图像传感器所体现出的图像的色差能够得以改善。
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公开(公告)号：CN1725503A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510081001.4
申请日：2005-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴永薰
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 一种图像感测器件包括形成于衬底上的栅极介质层和形成于栅极介质层上的转移栅极。在所述转移栅极上形成掩模层，该掩模层的宽度小于所述转移栅极的宽度，从而所述转移栅极的一部分横向地从所述掩模层下方突出。光电二极管形成于所述衬底中，所述光电二极管与所述掩模层自对准且在所述转移栅极下方横向延伸，即，与转移栅极交迭。由于光电二极管和转移栅极之间交迭，消除了光电二极管和转移栅极之间的偏移，从而消除了图像延迟现象。
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公开(公告)号：CN109065555A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810629853.X
申请日：2013-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/02 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L31/02019 , H01L31/02327
Abstract: 本发明涉及图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：具有前侧和后侧的衬底；在衬底前侧上包含电路的绝缘结构；分别延伸穿过衬底至电路的接触孔；以及布置在衬底后侧上、分别沿着延伸穿过接触孔的导电路径电连接到电路并且位于电路的正上方的多个焊盘。通过导电层形成在衬底的后侧上并且被图案化以形成在电路正上方的焊盘的工艺来制造图像传感器。
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公开(公告)号：CN103325800B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201310024316.X
申请日：2013-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L31/02019 , H01L31/02327
Abstract: 本发明涉及图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：具有前侧和后侧的衬底；在衬底前侧上包含电路的绝缘结构；分别延伸穿过衬底至电路的接触孔；以及布置在衬底后侧上、分别沿着延伸穿过接触孔的导电路径电连接到电路并且位于电路的正上方的多个焊盘。通过导电层形成在衬底的后侧上并且被图案化以形成在电路正上方的焊盘的工艺来制造图像传感器。
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