公开(公告)号：CN1722459A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510084649.7

申请日：2005-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永薰 ,  李受哲 ,  金起弘 ,  安正 ,  李容济 ,  裵贞勋 ,  黄圣仁 ,  安有真 ,  金范锡

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及一种具有改进的灵敏度的CMOS图像传感器，其包括在半导体衬底上形成的有源像素阵列区的主像素阵列区。钝化层形成于传感器的上方，且它至少部分地从主像素阵列区去除，使得用主像素阵列探测的入射光不通过钝化层。由钝化层的材料导致的光吸收和折射得到消除，获得具有改善的光灵敏度的图像传感器。

公开(公告)号：CN1722459B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200510084649.7

申请日：2005-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永薰 ,  李受哲 ,  金起弘 ,  安正 ,  李容济 ,  裵贞勋 ,  黄圣仁 ,  安有真 ,  金范锡

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及一种具有改进的灵敏度的CMOS图像传感器，其包括在半导体衬底上形成的有源像素阵列区的主像素阵列区。钝化层形成于传感器的上方，且它至少部分地从主像素阵列区去除，使得用主像素阵列探测的入射光不通过钝化层。由钝化层的材料导致的光吸收和折射得到消除，获得具有改善的光灵敏度的图像传感器。

公开(公告)号：CN1881600A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200510126893.5

申请日：2005-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正卓 ,  浅羽哲朗 ,  金利泰 ,  金廷妍 ,  黄圣仁

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明公开了一种具有埋入沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管的CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器具有光转换装置和源输出晶体管。光转换装置响应于入射光的能量产生电流信号和改变浮置节点的电压。源输出晶体管具有掺杂有第一导电类型材料的源极区域、掺杂有第一导电类型材料的漏极区域、掺杂有与第一导电类型材料互补的第二导电类型材料的栅极区域以及具有第一导电类型材料的埋入沟道。所述埋入沟道形成在所述源极区和漏极区之间且在所述栅极区之下。此外，所述源输出晶体管放大所述浮置节点的电压以产生第一信号。