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公开(公告)号：CN113937298B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202111087175.7
申请日：2016-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/66
Abstract: 本发明提供一种电池。该电池包括：第一电极集流器层，具有板形状；多个第一活性材料层，电接触第一电极集流器层并基本上垂直于第一电极集流器层；导体层，电接触第一电极集流器层并插置在多个第一活性材料层中；第二活性材料层，包括平行于多个第一活性材料层且与多个第一活性材料层交替地布置的多个第一部分以及面对并平行于第一电极集流器层并从多个第一部分延伸的第二部分；和电解质层，设置在多个第一活性材料层与第二活性材料层的多个第一部分之间、多个第一活性材料层与第二活性材料层的第二部分之间、以及第二活性材料层的多个第一部分与第一电极集流器层之间。
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公开(公告)号：CN111200115B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201911132352.1
申请日：2019-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/131 , H01M4/136 , H01M4/04 , H01M4/1391 , H01M4/1397 , H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 本公开提供了一种电极结构、制造该电极结构的方法和包括该电极结构的二次电池。该电极结构包括：基础层，包括第一活性材料；以及多个活性材料板，在基础层的第一表面上并且彼此间隔开，所述多个活性材料板包括第二活性材料。基础层的活性材料密度小于所述多个活性材料板中的活性材料板的活性材料密度。
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公开(公告)号：CN111880375A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201911364910.7
申请日：2019-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法。所述系统可以包括：腔室；极紫外光(EUV)源，位于腔室中，并且被构造为产生EUV束；光学系统，位于EUV源上，并且被构造为将EUV束提供到基底；基底台，位于腔室中，并且被构造为容纳基底；标线台，位于腔室中，被构造为保持标线，标线被构造为使EUV束投射到基底上；以及颗粒收集器，位于标线与光学系统之间，并且被构造为允许EUV束的选择性透射并去除颗粒。
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公开(公告)号：CN110034335A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910018638.0
申请日：2019-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M10/058 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/136
Abstract: 一种电化学装置包括正电极集流体、设置在正电极集流体上的多个正电极、设置在所述多个正电极上的电解质层、设置在电解质层上的负电极以及设置在负电极上的负电极集流体，其中电解质层包括第一电解质层和第二电解质层，以及其中第二电解质层在第一电解质层与负电极之间。
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公开(公告)号：CN101567456B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN200910133194.1
申请日：2009-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种控制燃料电池系统的方法，所述燃料电池系统包括产生转化气的燃料处理器以及通过从燃料处理器接收转化气产生能量的电池堆。所述方法包括步骤：执行初始操作，在初始操作中，燃料处理器操作以产生加热的热能，热介质通过由燃料处理器产生的热能加热，并且通过具有高温的热介质将电池堆的温度升高到正常操作温度；以及执行正常操作，在正常操作中，当电池堆的温度已经达到正常操作温度后，将转化气供给到电池堆。电池堆的温度升高，直到电池堆通过由燃料处理器产生的热量加热的热介质的循环加热该电池堆而正常操作为止。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111880375B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN201911364910.7
申请日：2019-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法。所述系统可以包括：腔室；极紫外光(EUV)源，位于腔室中，并且被构造为产生EUV束；光学系统，位于EUV源上，并且被构造为将EUV束提供到基底；基底台，位于腔室中，并且被构造为容纳基底；标线台，位于腔室中，被构造为保持标线，标线被构造为使EUV束投射到基底上；以及颗粒收集器，位于标线与光学系统之间，并且被构造为允许EUV束的选择性透射并去除颗粒。
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公开(公告)号：CN115050918A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210222688.2
申请日：2022-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供电极结构、包括其的二次电池以及制造电极结构的方法。该电极结构包括活性材料结构，该活性材料结构包括：第一活性材料板，具有在第一活性材料板的厚度方向上延伸的多个第一穿透孔；以及第二活性材料板，在第一方向上堆叠在第一活性材料板的一侧上，其中电极结构被配置用于二次电池。
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公开(公告)号：CN106920918B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201610885623.0
申请日：2016-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/13 , H01M50/474 , H01M50/477 , H01M50/483
Abstract: 三维(3D)电极结构包括：电极集电板；多个活性材料板，设置在电极集电板上并且从电极集电板突出；以及分隔壁，布置在电极集电板上并且在平面图中基本上垂直于多个活性材料板从而提供多个活性材料板的结构稳定性，其中3D电极结构可以是彼此间隔开并且电解质层位于其间的两个电极结构之一。
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公开(公告)号：CN111200115A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911132352.1
申请日：2019-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/131 , H01M4/136 , H01M4/04 , H01M4/1391 , H01M4/1397 , H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 本公开提供了一种电极结构、制造该电极结构的方法和包括该电极结构的二次电池。该电极结构包括：基础层，包括第一活性材料；以及多个活性材料板，在基础层的第一表面上并且彼此间隔开，所述多个活性材料板包括第二活性材料。基础层的活性材料密度小于所述多个活性材料板中的活性材料板的活性材料密度。
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公开(公告)号：CN111146403B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201911035417.0
申请日：2019-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/13 , H01M4/139 , H01M10/052 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了电极结构、制造电极结构的方法以及包括电极结构的二次电池。该电极结构，包括：包括第一活性材料的基层；多个活性材料板，多个活性材料板中的板包括相对的侧壁和下壁，其中下壁设置在基层上，其中多个活性材料板中的相邻的板彼此间隔开，并且其中多个活性材料板中的活性材料板包括第二活性材料；在多个活性材料板中的相邻的板之间的通道，其中通道包括由相邻的板的相邻侧壁限定的第一通道区域以及连接到第一通道区域并由相邻的板的下壁与基层限定的第二通道区域。
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