公开(公告)号：CN113809092A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110654337.4

申请日：2021-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  权永振 ,  金政垠 ,  朴昞坤 ,  赵晟元

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了存储器装置和包括存储器装置的存储系统。所述存储器装置包括：下结构；堆叠结构，位于下结构上，堆叠结构包括沿竖直方向交替地堆叠的水平层和层间绝缘层，并且水平层中的每个包括栅电极；垂直结构，沿竖直方向穿透堆叠结构，垂直结构具有核心区、位于核心区上的具有垫金属图案的垫图案、介电结构以及位于介电结构与核心区之间的沟道层，介电结构包括面对核心区的侧表面的第一部分、面对垫金属图案的侧表面的至少一部分的第二部分以及数据存储层；接触结构，位于垂直结构上；以及导电线，位于接触结构上。

公开(公告)号：CN113394227A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110198791.3

申请日：2021-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金嘉银 ,  孙仑焕 ,  朴珠希 ,  赵晟元

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种半导体存储器件和用于制造半导体存储器件的方法，所述器件包括：位于衬底上的外围逻辑结构；位于所述外围逻辑结构上的水平导电衬底；包括沿垂直方向堆叠的多个电极焊盘的堆叠结构；连接到所述水平导电衬底的板接触插塞；以及连接到所述下连接布线主体的第一穿透电极，其中，所述板接触插塞的上表面和所述第一穿透电极的上表面位于同一平面上，所述板接触插塞包括彼此直接连接的上部和下部，所述第一穿透电极包括彼此直接连接的上部和下部，远离所述板接触插塞的所述上表面和所述第一穿透电极的所述上表面移动，所述上部的宽度增大并且所述下部的宽度减小。

公开(公告)号：CN112349729A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010776340.9

申请日：2020-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄昇 ,  高东旭 ,  朴珠希 ,  宋柱鹤 ,  安钟善 ,  赵晟元

IPC: H01L27/11578 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/11573

Abstract: 一种垂直半导体器件可以包括衬底、堆叠结构、绝缘中间层、缓冲图案和第一接触插塞。堆叠结构可以包括在衬底上一个堆叠在另一个上的绝缘图案和导电图案。导电图案可以在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸，并且导电图案的边缘可以具有阶梯形状。导电图案可以包括由导电图案的暴露的上表面限定的焊盘图案。绝缘中间层可以覆盖堆叠结构。缓冲图案可以在绝缘中间层上。第一接触插塞可以穿过缓冲图案和绝缘中间层。第一接触插塞可以接触焊盘图案中的一个。缓冲图案可以减少由形成第一接触插塞引起的缺陷。

公开(公告)号：CN215578559U

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202121328315.0

申请日：2021-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  权永振 ,  金政垠 ,  朴昞坤 ,  赵晟元

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了存储器装置和包括存储器装置的存储系统。所述存储器装置包括：下结构；堆叠结构，位于下结构上，堆叠结构包括沿竖直方向交替地堆叠的水平层和层间绝缘层，并且水平层中的每个包括栅电极；垂直结构，沿竖直方向穿透堆叠结构，垂直结构具有核心区、位于核心区上的具有垫金属图案的垫图案、介电结构以及位于介电结构与核心区之间的沟道层，介电结构包括面对核心区的侧表面的第一部分、面对垫金属图案的侧表面的至少一部分的第二部分以及数据存储层；接触结构，位于垂直结构上；以及导电线，位于接触结构上。因此，可以改善存储器装置的生产率、可靠性和电特性。